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[发明专利]一种单层氧化石墨烯尺寸分离的方法-CN202310673478.X在审
发明人：周强;彭村;包文虎 -专利权人：湖南科技学院
申请日： 2023-06-08 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： C01B32/198 文献下载
摘要：本发明属于氧化石墨烯二维纳米材料技术领域。本发明提供了一种单层氧化石墨烯尺寸分离的方法，包含如下步骤：将水和有机溶剂混合后静置，得到含油相和水相的油/水两相体系；将表面活性剂和单层氧化石墨烯水溶液分别加入油相和水相中静置，重复收集油水界面层溶液，将界面层溶液顺次进行洗涤和离心，得到大尺寸单层氧化石墨烯；将剩余水相溶液进行离心，得到小尺寸单层氧化石墨烯。本发明单层氧化石墨烯尺寸分离的方法具有良好的分离精度；并且，其与超声法、离心法、膜过滤法相比，反应条件温和，能耗低，不会造成氧化石墨烯结构和尺寸的变化；与沉淀法、液晶法相比，反应时间较短；与电泳法相比，不会改变氧化石墨烯的结构。
一种单层氧化石墨尺寸分离方法

[发明专利]一种石墨烯/Mn5-CN201910329382.5有效
发明人：李昂;崔奋为;朱海龙;黄本锐;马妮 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所;中国科学院大学
申请日： 2019-04-23 - 公布日： 2020-04-03 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：本发明提供一种石墨烯/Mn5Ge3/锗(110)异质结及其制备方法，该制备方法包括以下步骤：S1：提供一种单层石墨烯样品，单层石墨烯在锗(110)衬底上的覆盖率为30％～70％；S2：将单层石墨烯样品放入样品制备真空腔内进行加热，真空度为5×10‑10～1.5×10‑9毫巴，加热温度为1050～1150K；S3：将单层石墨烯样品的加热温度改变为600～650K，使用蒸发源向单层石墨烯样品上蒸发沉积金属锰；以及S4：关闭蒸发源，保持加热温度不变继续加热该制备方法具有工艺过程简单，可控性好等优点，该石墨烯/Mn5Ge3/锗(110)异质结因石墨烯电子态呈半导体特性，因此可制备成半导体器件
一种石墨 mn base sub

[发明专利]一种单层二硒化钒二维材料的制备方法-CN201710665732.6有效
发明人：王业亮;刘中流;武旭;邵岩;高鸿钧 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2017-08-07 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： C01B32/21 文献下载
摘要：本发明公开了一种单层二硒化钒二维材料的制备方法，包括如下步骤：1)将石墨基底进行机械剥离，将剥离后的石墨基底在真空环境下进行预处理，得到表面干净平整的石墨基底；2)将预处理后的石墨基底加热至250‑300℃，然后将硒原子和钒原子蒸发沉积到加热的石墨基底上，沉积反应30‑60min，反应结束后将石墨基底保温5‑10min，得到单层二硒化钒二维材料。本发明通过外延法在石墨基底上生长单层二硒化钒二维材料，由于石墨与二硒化钒仅通靠范德瓦尔斯力相互吸附，不会影响单层二硒化钒的电学性质，不仅有利于单层二硒化钒性质的研究，而且在未来信息电子学特别是自旋电子器件开发研究方面具有广发的应用潜力
一种单层二硒化钒二维材料制备方法

[发明专利]确定含有单层石墨烯区的石墨烯样品堆垛次序的方法-CN201710546012.8有效
发明人：谭平恒;林妙玲;刘雪璐 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2017-07-06 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： G01N21/65 文献下载
摘要：一种确定含有单层石墨烯区的石墨烯样品堆垛次序的方法，包括以下步骤：使用拉曼光谱仪测试单层石墨烯及石墨烯样品的拉曼G模强度，确定石墨烯样品中的单层石墨烯区；使用显微光谱仪测试石墨烯样品中与单层石墨烯区紧邻的多层石墨烯区的光学衬度谱，以及AB堆垛多层石墨烯每一不同区域的光学衬度谱，比对两者的光学衬度谱得到特征峰；选择与特征峰相匹配的激光，采用超低波数拉曼光谱仪测试得到石墨烯样品每一不同区域的剪切模和呼吸模，并将剪切模和呼吸模的峰位与线性链模型的预测结果比对，确定石墨烯样品中每一不同区域的总层数及堆垛次序。本公开的方法简单明确，可以推广至4层以上石墨烯样品堆垛次序的确定，同时还可避免对样品造成破坏。
确定含有单层石墨样品堆垛次序方法

[发明专利]一种利用单层羟基氧化铁/还原氧化石墨烯光催化剂降解水体中抗生素的方法-CN202310344353.2在审
发明人：吴艳;周国玺;颜智勇 -专利权人：湖南农业大学
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： C02F1/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用单层羟基氧化铁/还原氧化石墨烯光催化剂降解水体中抗生素的方法，该方法是利用单层羟基氧化铁/还原氧化石墨烯光催化剂对水体中抗生素进行光‑芬顿降解处理，其中单层羟基氧化铁/还原氧化石墨烯光催化剂，包括单层羟基氧化铁和还原氧化石墨烯，所述单层羟基氧化铁套嵌在还原氧化石墨烯中以及负载在还原氧化石墨烯表面。本发明利用单层羟基氧化铁/还原氧化石墨烯光催化剂降解水体中抗生素的方法，具有工艺简单、操作方便、处理效率高、降解效果好、成本低、无二次污染等优点，能够实现高效快速去除水体中的抗生素，是一种可以被广泛采用
一种利用单层羟基氧化铁还原氧化石墨光催化剂降解水体抗生素方法

[发明专利]一种快速简易的制备石墨烯的方法-CN201210046817.3无效
发明人：辛红星;王宁宁;张建;朱晓光;郭广磊;孔明光;宋春军;秦晓英 -专利权人：中国科学院合肥物质科学研究院
申请日： 2012-02-28 - 公布日： 2012-07-25 - 主分类号： C01B31/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种快速简易的制备石墨烯的方法，将石墨块放入容器中，倒入液体，用刷子蘸取液体刷石墨块，收集液体，进行高速离心，离心转速1000-4000转，离心5分钟以上，使得未剥离的石墨颗粒和石墨片通过离心作用沉淀于离心管或者离心筒底部，而上层溶液即为单层石墨烯和多层石墨烯，对上层溶液进行浓缩、分离，可以获得石墨烯粉体或者稳定的石墨烯溶液。本发明具有简便快速，石墨烯导电性优良，可以方便地使用的特点。
一种快速简易制备石墨方法

[发明专利]一种具有高导热系数兼有优良电磁屏蔽性能的硅胶复合材料-CN201911368898.7有效
发明人：李鸿韬;郭成 -专利权人：东莞市奥博特导热科技有限公司
申请日： 2019-12-26 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： C08L83/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种一种具有高导热系数兼有优良电磁屏蔽性能的硅胶复合材料，所述硅胶复合材料的成分如下：MXene材料1‑3g；h‑BN材料3‑5g；单层石墨烯粉末0.5‑1.5g；尿素20‑50g；硅胶10‑45g；其中所述的MXene材料具有电磁屏蔽、导热、传导电荷的作用；所述的h‑BN材料具有绝缘、隔离MXene与石墨烯纳米片以及导热的作用；所述的石墨烯具有电磁屏蔽、导热的作用；所述尿素为球磨剂，兼有对二维材料表面进行改性的作用通过将MXene材料、h‑BN材料、单层石墨烯粉末作为填料，经尿素分子在等离子球磨的条件下剥离并混合，制备得到复合填料，再分散于硅胶，得到硅胶基复合材料。
一种具有导热系数兼有优良电磁屏蔽性能硅胶复合材料

[发明专利]负载单层花状MXene纳米片的三维石墨烯复合材料及其制备方法和应用-CN202010377901.8有效
发明人：赵焱;储炜;廖小彬 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2020-05-07 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： C01B32/921 文献下载
摘要：本发明涉及负载单层花状MXene纳米片的三维石墨烯复合材料及其制备方法，其可作为锂硫电池电极材料的应用。直至反应完全；2)所得溶液离心洗涤至中性后分散到TMAOH溶液当中；3)所得溶液离心洗涤后用惰性气体保护超声，然后将产物用低温冷冻处理，再将冷冻完全的产物转移到冻干机内，冻干；4)用喷雾干燥方法处理后得到单层花状MXene纳米片与氧化石墨烯共混并搅拌分散均匀，最后通过添加还原剂并加热反应得到负载MXene的三维石墨烯复合材料，再将其冷冻干燥即可得到。
负载单层 mxene 纳米三维石墨复合材料及其制备方法应用

[发明专利]一种利用金属插层大面积制备单层石墨烯的方法-CN201911013432.5有效
发明人：惠欣;胡廷伟;杨东;马飞;马大衍;徐可为 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2019-10-23 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： C01B32/188 文献下载
摘要：本发明公开一种大面积单层石墨烯的制备技术，利用插层技术对缓冲层进行In原子插层，原来只有缓冲层的表面，In原子插入到缓冲层与SiC基底之间并使缓冲层转变为石墨烯，一方面制备出单层大面积的石墨烯，另一方面降低了石墨烯的制备温度原缓冲层与单层外延石墨烯共存的表面，In原子插入到缓冲层与SiC基底之间，缓冲层变为石墨烯并与原有的外延石墨烯完美相连，形成大面积的单层石墨烯。此外，插层形成的石墨烯与衬底的相互作用较弱，为分离态的石墨烯，达到了离化的效果。用这种技术不仅可以制备出大面积的石墨烯，还可以控制石墨烯的层厚，这对于相关微电子、超导以及应变工程等领域的应用提供重要的指导与借鉴价值。
一种利用金属大面积制备单层石墨方法

[发明专利]单层锗基石墨烯低温后固化转移方法-CN202111354758.1有效
发明人：胡开明;屠尔琪;张文明;李修远;辛宜航;邓心陆 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2021-11-16 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： B32B9/00 文献下载
摘要：一种单层锗基石墨烯低温后固化转移方法，在通过CVD工艺生长的锗基石墨烯表面旋涂载体材料，并三层复合结构以载体材料面朝上置于容器中，浇入未固化的PDMS与气泡法剥离得到的多层石墨烯(beGr)的混合物进行低温后固化工艺，然后对三层复合结构上的锗片进行刻蚀处理并最后进行触发加热实现三层复合结构的平坦化。本发明利用低温后固化构筑柔性目标基底，将大面积、高质量单层锗基石墨烯有效地转移，构建三层结构体系，既能够保证石墨烯与PMMA界面处、PMMA与PDMS界面处有足够的界面粘附能，也能避免高温后固化工艺引起PMMA与PDMS之间形成梯度界面层，从而构筑石墨烯/PMMA/beGr‑PDMS三层系统，并制备出单一尺度、失稳模式可控的石墨烯共型褶皱图案。
单层基石低温固化转移方法

[发明专利]应用于光电转化的石墨烯/硫化镉量子点复合材料的制备方法-CN200910050333.4无效
发明人：曹傲能;刘振;常艳丽;范承伟;吴明红;刘元方 -专利权人：上海大学
申请日： 2009-04-30 - 公布日： 2009-10-21 - 主分类号： B82B3/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种应用于光电转化的石墨烯/硫化镉量子点复合材料的制备方法。属于纳米无机材料及能量化学领域。本发明方法的要点是：取一定量的石墨粉，在强烈的氧化条件下将其氧化得到的氧化石墨，将其配制成一定浓度的单层氧化石墨片溶液，然后在水合肼还原剂溶液中，在95℃下搅拌15小时，得到还原产物，即为单层石墨烯黑色固体；将所述石墨烯固体与二水合乙酸镉以摩尔比1∶1配合成混合物，分散于一定体积的二甲亚砜溶液中，并在超声处理一段时间后，将其转到反应釜中，在150～200℃下退火8～16小时，产物经丙酮和乙醇反复多次洗涤后即得到石墨烯
应用于光电转化石墨硫化量子复合材料制备方法

[发明专利]一种高导电性石墨烯粉体的制备技术方法-CN201610286981.X有效
发明人：王云峰 -专利权人：江苏超电新能源科技发展有限公司
申请日： 2016-04-29 - 公布日： 2017-12-12 - 主分类号： C01B32/19 文献下载
摘要：本发明提供了一种高导电性石墨烯粉体的制备方法，包括以下步骤S1、将原料级石墨分散于含有插层剂与氧化剂中搅拌均匀；S2、置于压力容器中通入惰性气体保压搅拌；S3、通过纯化操作后提取上层插层剂，并对下层产物采用机械方式剥离出单层氧化石墨烯溶液；S4、在粉体干燥工艺干燥处理后，将单层氧化石墨烯粉体重新溶解于溶剂中，以形成低浓度的单层氧化石墨烯溶液；S5、加入还原剂，在0℃至50℃搅拌反应一定时间，得到单层石墨烯溶液；S6、将单层石墨烯溶液通过粉体干燥工艺干燥处理及热处理后得到该高导电性石墨烯粉体本发明的优点在于所制备的石墨烯结构缺陷少，导电性好，且产率高；制备过程操作简便，成本低廉，易于规模化生产。
一种导电性石墨烯粉体制备技术方法

[发明专利]平面结构的不对称氧、硫通道实现AB堆积型双层石墨烯的逐层生长方法-CN201910649347.1有效
发明人：孙正宗;刘冰 -专利权人：复旦大学
申请日： 2019-07-18 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： C01B32/186 文献下载
摘要：本发明涉及一种平面结构的不对称氧、硫通道实现AB堆积型双层石墨烯的逐层生长方法。采用化学气相沉积法，在铜箔两面上生长单层石墨烯薄膜；采用低压常温空气等离子体技术，刻蚀去除铜箔一面单层石墨烯薄膜，氧化此面铜生成氧化亚铜；或采用氢气等离子体技术还原氧化亚铜再热沉积一层硫，得到结构为单层石墨烯薄膜/铜/氧化亚铜或单层石墨烯薄膜/铜/硫；采用化学气相沉积法，以甲烷和氢气为气源，在不对称基底的富氧或富硫的表面上，高温下甲烷分解产生碳原子，碳原子在固相铜里扩散，转移至单层石墨烯下面以AB堆积方式析出第二层石墨烯来得到双层石墨烯薄膜制备的双层石墨烯薄膜其覆盖率达到95%，AB堆积方式的比例达到99%。
平面结构不对称通道实现 ab 堆积双层石墨生长方法

[发明专利]一种微纳机电振动式能量采集器-CN202110297042.6在审
发明人：颜建伟;熊明;李轩 -专利权人：华东交通大学
申请日： 2021-03-19 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： H02K35/00 文献下载
摘要：一种微纳机电振动式能量采集器，包括绝缘基底（1）、金属片（2、7）、永磁体（3、5）、输出电极（4、6）和石墨烯条带（8）。绝缘基底位于最底层；两块金属片分别垂直固定在绝缘基底纵向方向的两端，且对称布置；两个输出电极分别连接在两块金属片的表面；两块永磁体垂直固定在绝缘基底横向方向的两端，且对称布置；所述石墨烯条带的两端分别固定于两片金属片顶端上，且石墨烯条带处于两块永磁体建立的磁场中。本发明利用单层石墨烯条带优异的机械性能，将机械振动能转换成电能，可全天候地为各种低功耗的电子器件供电。
一种机电振动能量采集

[发明专利]一种液体橡胶剥离鳞片石墨制备石墨烯的方法-CN201910640260.8有效
发明人：汤庆国;黄彬;梁秀红;梁金生 -专利权人：河北工业大学
申请日： 2019-07-16 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： C01B32/19 文献下载
摘要：本发明为一种液体橡胶剥离鳞片石墨制备石墨烯的方法。该方法将不同种类液体橡胶和鳞片石墨混合在一起，利用盘磨机、胶体磨、剥片机以及振动磨等研磨设备的机械剪切力，结合润湿剂强化润湿鳞片石墨表面，促进其快速剥离成为单层、少层结构的石墨烯胶乳。本发明得到石墨烯含量可达30％以上的石墨烯复合胶乳块，实施过程中，不使用强酸、强碱、强氧化剂以及剧毒性物质，符合环境、经济绿色环保发展的需求。
一种液体橡胶剥离鳞片石墨制备方法