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[实用新型]复合导体及电接触元件-CN202321298603.5有效
发明人：马瑜;付金良 -专利权人：浙江正泰电器股份有限公司;上海新池能源科技有限公司
申请日： 2023-05-25 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01B1/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种复合导体及电接触元件，涉及导体技术领域。本申请提供的复合导体包括：金属颗粒；包覆所述金属颗粒的碳化物层；以及包覆所述碳化物层和所述金属颗粒的石墨烯层。本申请提供的复合导体，碳化物层包覆金属颗粒，有利于碳化物与金属颗粒的结合，碳化物可显著提高金属颗粒的硬度和抗氧化性能；石墨烯层包覆金属颗粒和碳化物层，有利于石墨烯均匀分布，提升金属颗粒的导电性；本申请提供的复合导体，同时提高了复合导体的硬度和导电性。
复合导体接触元件

[实用新型]一种复合材料及电接触导体-CN202321294044.0有效
发明人：马瑜;曹函星;钱天宝 -专利权人： 上海新池能源科技有限公司;浙江正泰电器股份有限公司
申请日： 2023-05-25 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： B22F1/16 文献下载
摘要：本申请公开一种复合材料及电接触导体。本申请的复合材料，具有核壳结构，通过在金属核的表面形成石墨烯壳层以对所述金属核进行包覆，以及在所述石墨烯壳层的表面设置的第一子金属壳层，结合了金属以及石墨烯的优异性能，使所述复合材料具有较好的强度以及导电性。
一种复合材料接触导体

[实用新型]散热片、VR眼镜及固态断路器-CN202223120381.6有效
发明人：赵大伟;陈尚;马瑜 -专利权人： 上海新池能源科技有限公司;浙江正泰电器股份有限公司
申请日： 2022-11-23 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H05K7/20 文献下载
摘要：本申请提供一种散热片、VR眼镜及固态断路器，所述散热片包括本体，具有表面；石墨烯散热涂层，所述石墨烯散热涂层包覆所述表面，所述石墨烯散热涂层的厚度为15至70um。本申请旨在不改变散热片尺寸和形状的情况下，通过在散热片表面涂覆石墨烯散热涂层和对散热涂层结构设计，提高散热片的散热能力，以满足不同产品的散热需求。
散热片 vr 眼镜固态断路器

[发明专利]铜稀土石墨烯电触头材料的制备方法-CN202110887085.X在审
发明人：马瑜;曹函星 -专利权人： 上海新池能源科技有限公司;浙江正泰电器股份有限公司
申请日： 2021-08-03 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： C22C9/00 文献下载
摘要：一种铜稀土石墨烯电触头材料的制备方法，包括以下步骤:步骤a：将铜稀土合金粉和硅粉末在气氛保护下均匀混合，得到混合粉体；步骤b：将步骤a得到的混合粉体置于真空化学气相沉积室中，在保护性气体和还原气氛下，保持在800‑1050℃下，通入碳源气体，进行化学气相沉积，得到铜稀土石墨烯与硅粉末的混合粉体；步骤c：将步骤b得到的铜稀土石墨烯与硅粉末的混合粉体中的硅粉末进行分离后，得到铜稀土石墨烯粉体；步骤d：将步骤c得到的铜稀土石墨烯粉体烧结，得到预制体；步骤e：将步骤d得到的预制体进行挤压拉拔后，加工制成铜稀土石墨烯电触头材料。本发明提供一种高耐腐蚀性、高导电导热和机械性能优异的铜稀土石墨烯电触头材料的制备方法。
稀土石墨烯电触头材料制备方法

[发明专利]一种金属基石墨烯复合材料的制备方法及金属基石墨烯电触点-CN202110683747.1在审
发明人：马瑜;吕雪超;沈晗睿;曹函星;钱天宝 -专利权人： 上海新池能源科技有限公司;浙江正泰电器股份有限公司
申请日： 2021-06-21 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： C22C9/00 文献下载
摘要：一种金属基石墨烯复合材料的制备方法及金属基石墨烯电触点，所述制备方法包括如下步骤：步骤S1：石墨烯浆料和金属粉混合，形成混合浆料。步骤S2：混合浆料在无氧和980℃～1050℃的环境中通过化学气相沉积法形成金属基石墨烯复合材料。金属基石墨烯电触点由金属基石墨烯复合材料制备形成。本发明制备过程简单，制备形成的金属基石墨烯电触点材料成本低，制备形成的金属基石墨烯复合材料改善了原始金属材料的性能，采用该材料制备形成的电触点具有优异的导电导热性，并具有抗氧化、抗腐蚀的特性，保证了电触点在使用过程中的优良性能。
一种金属基石复合材料制备方法墨烯电触点

[发明专利]生长单层石墨烯的工艺方法-CN202110622642.5在审
发明人：马瑜;沈晗睿 -专利权人： 上海新池能源科技有限公司;浙江正泰电器股份有限公司
申请日： 2021-06-03 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： C23C16/26 文献下载
摘要：本发明涉及材料制备技术领域，具体涉及一种生长单层石墨烯的工艺方法，其包括以下步骤：步骤1，将铜箔固定在阴极并置于酸性电解液中，在工作电极和对电极之间施加电压V0，对铜箔进行处理，持续时间t0；步骤2，将步骤1得到的铜箔依次置于去离子水和酒精中清洗，并用氮气吹干铜箔；步骤3，将步骤2得到的铜箔置在两层石墨片之间，采用化学气相沉积法，在铜箔两侧生长单层石墨烯；本发明的工艺方法，其制备的单层石墨烯纯净度高。
生长单层石墨工艺方法

[发明专利]一种防腐涂料及制备方法-CN202110364795.4在审
发明人：赵大伟;施建中 -专利权人： 上海新池能源科技有限公司;浙江正泰电器股份有限公司
申请日： 2021-04-02 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： C09D163/00 文献下载
摘要：防腐涂料包括A组分和B组分，所述A组分按照质量百分比包含下列成分：树脂15％～40％、分散剂0.5％～5％、消泡剂0.5‰～2‰、助溶剂2％～7％、润湿剂0.2％～4％、锌粉50％～80％、石墨烯0.5‰～10‰；所述B组分按照质量百分比包含下列成分：固化剂5％～15％、封闭剂5％～15％、助溶剂1％～7％、水65％～80％；其中，所述A组分与B组分的质量百分比为2∶1～6∶1。防腐涂料制备方法包括制备树脂浆料、石墨烯与树脂浆料混合从而制得A组分、制备B组分以及A组分与B组分混合步骤。本发明公开一种防腐涂料及其制备方法，减小石墨烯的团聚现象，能够提高、延长防腐性能并降低锌粉含量。
一种防腐涂料制备方法

[发明专利]超高导电电线电缆及其制备方法-CN202110188006.6在审
发明人：马瑜;付金良;杨军;张文卿 -专利权人： 上海新池能源科技有限公司;浙江正泰电器股份有限公司
申请日： 2021-02-18 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01B1/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种超高导电电线电缆及其制备方法。该方法首先枝晶状铜粉与防烧结剂粉混合并等离子处理，然后氢气还原、CVD法沉积石墨烯，经过SPS烧结及电缆拉丝工艺得到超高导电电线电缆。本发明的超高导电电线电缆及其制备方法，使用单晶铜以及控制相应的温度等参数，可以更好地控制石墨烯的层数，实现单晶铜基石墨烯复合材料的大规模制备，最大程度上提高材料电导率，实现超高导电(100％IACS)。
超高导电电线电缆及其制备方法

[发明专利]铜基石墨烯及导体的制备方法和电线电缆-CN202110033699.1在审
发明人：马瑜;张文卿;沈晗睿;杨军;付金良 -专利权人： 上海新池能源科技有限公司;浙江正泰电器股份有限公司
申请日： 2021-01-11 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： C23C16/26 文献下载
摘要：一种铜基石墨烯的制备方法，包括如下步骤：对铜材进行表面清洗、干燥处理；依次将耐高温基片、铜材、耐高温基片堆叠放置，形成三层堆叠结构；退火处理；采用化学气相沉积法，在铜材的表面生长石墨烯层，得到铜基石墨烯。一种铜基石墨烯导体的制备方法，将上述铜基石墨烯经过热压烧结、拉丝、退火处理，得到铜基石墨烯导体。一种电线电缆，由多根绞合单体绞合而成，多根绞合单体包括一根或多根铜基石墨烯导体。本发明提供一种铜基石墨烯及导体的制备方法和电线电缆，采用基片‑铜材‑基片的三层堆叠结构，且从源头上减少氧化颗粒的形成，解决石墨烯制备过程中杂质污染的问题，制备出洁净石墨烯，可极大限度的提高电导率。
基石导体制备方法电线电缆

[实用新型]石墨烯金属复合粉体生长炉-CN202122026921.3有效
发明人：马瑜 -专利权人： 上海新池能源科技有限公司;浙江正泰电器股份有限公司
申请日： 2021-08-26 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：一种石墨烯金属复合粉体生长炉，包括控制系统、CVD管式炉、试样仓和旋转电机，所述CVD管式炉具有真空腔室，所述试样仓设置在真空腔室内，所述控制系统与旋转电机控制连接，所述旋转电机与试样仓驱动连接；操作控制系统开启或关闭旋转电机，旋转电机带动试样仓旋转或停止。本实用新型提供一种石墨烯金属复合粉体生长炉，炉体内部有独立的试样仓，采用内置可旋转试样仓的方式，实现量产粉体载体的翻转和旋转，保证粉体的空间运动，从而实现石墨烯在衬底上稳定均匀生长，也可有效避免粉体在翻转和旋转过程中发生的飞溅、溢出的问题。
石墨金属复合生长

[发明专利]一种铜基石墨烯的制备方法及电触点的制备方法-CN202010717715.4在审
发明人：沈晗睿;马瑜;曹函星;钱天宝;吴庚 -专利权人： 上海新池能源科技有限公司;浙江正泰电器股份有限公司
申请日： 2020-07-23 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： B22F1/102 文献下载
摘要：一种铜基石墨烯的制备方法及电触点的制备方法，所述铜基石墨烯的制备方法包括如下步骤：含酚羟基有机物、金属化合物溶解于溶剂中形成浆料，浆料与铜粉混合均匀形成铜基初体；铜基初体干燥形成铜基成品，铜基成品通过化学气相沉积法形成铜基石墨烯初体，最后经由除杂、烘干形成铜基石墨烯成品。所述电触点的制备方法为将按上述方法制备形成的铜基石墨烯成品依次经由压制、烧结、热挤压步骤制备形成电触点。本发明采用含酚羟基的有机物与金属离子发生络合反应，在铜粉中起到防烧结的作用，该防烧结剂不影响后期石墨烯的生长，且后序易除杂，除杂过程不影响成品的性能。铜基石墨烯进一步加工形成的电触点具有良好的导电性能。
一种基石制备方法触点

[发明专利]结构化铜基上生长石墨烯的方法、电缆芯材及其制备方法-CN202010664212.5在审
发明人：马瑜;沈晗睿;杨军;付金良;张文卿 -专利权人： 上海新池能源科技有限公司;浙江正泰电器股份有限公司
申请日： 2020-07-10 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： B22F7/04 文献下载
摘要：结构化铜基上生长石墨烯的方法、电缆芯材及其制备方法，其中，结构化铜基上生长石墨烯的方法包括如下步骤：步骤S1：铜粉和铜箔交替层叠放入模具中，经等静压处理成型，形成锭块；步骤S2：锭块经由化学气相沉积法生长石墨烯，形成铜基石墨烯。形成的铜基石墨烯依次经由复压、烧结和热烧结拉丝成型，制得电缆芯材。制备形成的电缆芯材包括铜材和石墨烯，铜材包括铜箔和铜粉，石墨烯包覆铜箔和铜粉。采用铜粉和铜箔交替层叠的方式对铜基进行结构化处理，整体提升了铜基石墨烯材料的寿命和性能。进一步加工形成电缆芯材产生明显的各向异性，改善了电缆芯材在使用中因交流电导致的电流分布不均匀，等效电阻增大的现象。
结构化铜基上生长石墨方法电缆及其制备

[发明专利]金属基石墨烯复合材料的制备方法及金属基石墨烯电触点-CN202010572579.4在审
发明人：马瑜;吕雪超;沈晗睿;曹函星;钱天宝 -专利权人： 上海新池能源科技有限公司;浙江正泰电器股份有限公司
申请日： 2020-06-22 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： C22C1/05 文献下载
摘要：一种金属基石墨烯复合材料的制备方法及金属基石墨烯电触点，所述制备方法包括如下步骤：步骤S1：石墨烯粉体和金属粉体研磨混合，形成混合粉体；步骤S2：混合粉体在无氧和950～1050℃的环境中通过化学气相沉积法形成金属基石墨烯复合材料。金属基石墨烯电触点由金属基石墨烯复合材料制备形成。本发明整体制备工艺简单高效，制备形成的金属基石墨烯复合材料改善了原始金属材料的性能，采用该材料制备形成的电触点具有优异的导电导热性，并具有抗氧化、抗腐蚀的特性，保证了电触点在使用过程中的优良性能。
金属基石复合材料制备方法墨烯电触点

[发明专利]石墨烯增强铜铬电触头材料的制备方法-CN202010573010.X在审
发明人：马瑜;曹函星;钱天宝;沈晗睿;吕雪超 -专利权人： 上海新池能源科技有限公司;浙江正泰电器股份有限公司
申请日： 2020-06-22 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： C22C1/05 文献下载
摘要：石墨烯增强铜铬电触头材料的制备方法，包括如下步骤：步骤S1：铜粉和铬粉在保护性气氛中混合均匀，形成第一混合粉体；步骤S2：第一混合粉体通过化学气相沉积使铜粉表面生成石墨烯层，形成铜基石墨烯和铬粉的第二混合粉体；步骤S3：第二混合粉体经冷压成型后烧结，制得预制体；步骤S4：对预制体复压复烧，制得电触头材料。本发明将铜粉和铬粉的混合粉体通过化学气相沉积法制备形成掺杂有石墨烯层的混合粉体，制备过程中铬粉作为防烧剂，石墨烯在铜粉上能快速高质量地生长并最终在铜铬粉体中分散均匀，采用本发明制备形成的材料制备电触头，电触头的界面结合良好，高致密，力学性能和物理性能优异，具有耐腐蚀且耐电弧侵蚀的特点。
石墨增强铜铬电触头材料制备方法

[发明专利]一种铜粉表面生长石墨烯薄膜的方法-CN202010573258.6在审
发明人：马瑜;杨军;沈晗睿;吕雪超;曹函星 -专利权人： 上海新池能源科技有限公司;浙江正泰电器股份有限公司
申请日： 2020-06-22 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： C23C16/26 文献下载
摘要：一种铜粉表面生长石墨烯薄膜的方法，上述方法包括如下步骤：S1：铜粉或铜粉混合物在化学气相沉积炉中初步升温至氧化温度后，对铜粉进行预氧化处理；S2：预氧化处理结束，化学气相沉积炉中继续升温至成长温度后，同时进行铜粉表面的还原和石墨烯的生长操作；S3：生长结束后，对生长产物进行降温处理。本发明铜粉表面生长石墨烯薄膜的方法，简化了铜粉表面石墨烯薄膜的成长工艺，提升了整体的工艺效率。并且，预氧化处理配合后期的还原及生长操作，减少了铜粉表面的成核点，使铜粉表面生长形成的石墨烯薄膜的晶粒尺寸较大，通常能达到5～10微米，石墨烯的晶界和缺陷减少，石墨烯的品质得到了很大地提升。
一种表面生长石墨薄膜方法

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