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[发明专利]利用石墨烯插入层在玻璃衬底上外延AlN薄膜的方法-CN201610370844.4在审
发明人：安平博;赵丽霞;魏同波;陈召龙;王军喜;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2016-05-30 - 公布日： 2016-10-26 - 主分类号： C23C16/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用石墨烯插入层在玻璃衬底上外延AlN薄膜的方法及该方法制成的AlN薄膜外延结构。所述方法包括：S1、在一临时衬底上生长单层石墨烯；S2、将所述临时衬底上的生长的单层石墨烯转移到所述玻璃衬底上；S3、在表面具有单层石墨烯的玻璃衬底上生长AlN薄膜。本发明利用石墨烯作为插入层，可以解决外延薄膜和非晶玻璃衬底晶格不匹配问题，为AlN外延提供模版，改善了在非晶衬底上外延AlN的薄膜质量。
利用石墨插入玻璃衬底外延 aln 薄膜方法

[发明专利]一种基于双周期石墨烯阵列的复合结构-CN202011504143.8在审
发明人：张亚平 -专利权人：湖北科技学院
申请日： 2020-12-18 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： G02F3/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于双周期石墨烯阵列的复合结构，属于全光通信技术领域。包括若干个周期复合单元，每个复合单元包括第一电介质层、第二电介质层和单层石墨烯，复合单元的排列方式为：由复合结构的入射方向一侧至另一侧依次设置单层石墨烯、第一电介质层、单层石墨烯、第二电介质层；第一电介质层的厚度小于第二电介质层；出射方一侧为一层石墨烯。
一种基于双周石墨阵列复合结构

[实用新型]锌液石墨勺定容浇铸装置-CN200720169844.4有效
发明人：姬奎生;邹舜卿;佟康令;邱杰敏 -专利权人：中国恩菲工程技术有限公司
申请日： 2007-07-23 - 公布日： 2008-07-16 - 主分类号： B22D39/02 文献下载
摘要：本实用新型一种锌液石墨勺定容浇铸装置，包含单层轨道，该单层轨道由上部曲线轨和下部直线轨组合而成，直线轨道可以使石墨勺探入锌液熔池内部，该单层轨道上设有沿轨道运行的小车，小车上连接有双石墨勺，并包含有驱动装置驱动小车沿轨道运行，本装置保证石墨勺充分深入到锌液熔池中，并以同样的姿态舀出锌液，能够达到定量舀出，而不会受到液面波动的影响，采用双石墨勺一次完成两个铸模，提高了生产效率。
石墨勺定容浇铸装置

[发明专利]一种还原氧化石墨烯聚苯乙烯复合材料及其制备方法-CN202110929474.4有效
发明人：赵雄燕;刘全中;董亚茹 -专利权人：河北科技大学
申请日： 2021-08-13 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： C08L25/08 文献下载
摘要：本发明涉及高分子复合材料技术领域，具体公开一种还原氧化石墨烯聚苯乙烯复合材料及其制备方法。所述复合材料为类豌豆荚结构，包括作为豌豆荚壳的还原氧化石墨烯，以及分散在所述还原氧化石墨烯片层之间的交联阳离子聚苯乙烯微球。本申请通过将交联阳离子聚苯乙烯微球插入到还原氧化石墨烯层中，实现了单层石墨烯结构，改善了氧化石墨烯自因片层多而易团聚的问题；同时交联阳离子聚苯乙烯具有球形结构，规整性好，其与单片层还原氧化石墨烯两者结合，使得还原氧化石墨烯聚苯乙烯复合材料具有优异的耐热性，其热分解温度达到393℃，最大瞬时分解温度达到431℃。
一种还原氧化石墨聚苯乙烯复合材料及其制备方法

[发明专利]一种独立自支撑石墨烯碳管复合膜的制备方法-CN201810061919.X有效
发明人：高超;彭蠡;许震;郭燕 -专利权人：杭州高烯科技有限公司
申请日： 2018-01-23 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： C01B32/158 文献下载
摘要：本发明公开了一种独立自支撑石墨烯碳管复合膜的制备方法，该石墨烯膜由氧化石墨烯和羧化碳管经过溶液成膜、化学还原、以及高温处理等步骤得到。该石墨烯膜由单层石墨烯通过物理交联组成，其中石墨烯基元结构完整，没有明显缺陷以及褶皱，片层间AB结构含量超过70％，因此具有极好的电导率及导热性能。此石墨烯膜可用作高柔性透明导热导电器件。
一种独立支撑石墨烯碳管复合制备方法

[发明专利]制备石墨烯/半导体量子点复合材料的方法-CN201010264796.3无效
发明人：程萍;蓝天;余家龙;王俊飞;陈瑞昊;郭守武 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2010-08-27 - 公布日： 2010-12-15 - 主分类号： C01B31/04 文献下载
摘要：一种无机纳米材料技术领域的制备石墨烯/半导体量子点复合材料的方法，通过制备单层石墨烯和量子点溶液，再把石墨烯溶液和量子点溶液混合均匀后得到石墨烯/量子点复合材料。本发明采用巯基酸作为稳定剂合成的水溶性量子点，这些量子点表面带有羧基，而化学氧化还原法制备的石墨烯片层表面带有羟基，通过羟基和羧基的共价结合，形成石墨烯与量子点的复合材料，由于石墨烯和量子点可在水中互溶
制备石墨半导体量子复合材料方法

[发明专利]WS2带孔纳米片/石墨烯电化学贮锂复合电极及制备方法-CN201410339880.5有效
发明人：陈卫祥;叶剑波;马琳;王臻 -专利权人：浙江大学
申请日： 2014-07-17 - 公布日： 2017-04-19 - 主分类号： H01M4/136 文献下载
摘要：本发明公开了一种WS2带孔纳米片/石墨烯复合纳米材料及其制备方法，其由WS2带孔纳米片与石墨烯复合构成，WS2带孔纳米片是单层或少层数的，WS2与石墨烯之间的物质的量之比为 11‑13。其制备方法是首先将氧化石墨烯超声分散在去离子水中，再加入阳离子型柱[5]芳烃超分子，并充分搅拌，然后依次加入L‑半胱氨酸和硫代钨酸铵，充分搅拌使其溶解，将上述混合分散体系转移到水热反应釜中，于230‑250
ws sub 纳米石墨电化学复合电极制备方法

[发明专利]磺化单层石墨与聚合物复合材料及其制备和应用-CN200810152471.9无效
发明人：陈永胜;万相见;许艳菲;马延风;黄毅 -专利权人：南开大学
申请日： 2008-10-24 - 公布日： 2009-03-11 - 主分类号： C08L65/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种磺化单层石墨与聚合物复合材料及其制备和应用。具体为一种使用磺化单层石墨材料作为掺杂剂，掺杂PEDOT(聚3，4-乙烯二氧噻吩)后形成的复合材料。按照下述重量份数配比制备：磺化单层石墨材料0.1～100份，聚合物0.1～100份。本发明提供的磺化单层石墨与聚合物复合材料高透光，高导电，可溶水和有机溶剂，价格便宜。
磺化单层石墨聚合物复合材料及其制备应用

[发明专利]单层石墨与富勒烯复合杂化材料及其制备方法和应用-CN200810152467.2无效
发明人：陈永胜;黄毅;张小岩;马延风 -专利权人：南开大学
申请日： 2008-10-24 - 公布日： 2009-03-18 - 主分类号： C01B31/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种单层石墨与富勒烯复合杂化材料及其制备方法和应用。它是以单层石墨材料和富勒烯为原料通过化学缩合反应制备并且通过共价键连接而成，制备方法是单层石墨在水和/或有机溶剂中溶解分散进行酰氯化反应，反应液然后再与富勒烯反应，丙酮中沉淀出固体产物，分离，干燥得单层石墨和富勒烯复合杂化材料
单层石墨富勒烯复合材料及其制备方法应用

[发明专利]用于石墨烯部分的电气接触-CN201510042685.0在审
发明人： R.费尔格;G.鲁尔 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2015-01-28 - 公布日： 2015-07-29 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：本发明涉及用于石墨烯部分的电气接触。公开了电气或电子器件。在一些实施例中，一种电气器件包括：单层石墨烯部分，其在横向方向延伸；以及多层石墨烯结构，其与所述单层石墨烯部分横向接触。所述电气或电子器件还包括石墨部分，其与所述多层石墨烯结构的表面接触。在其他实施例中，一种电气器件包括：石墨烯部分，其在横向方向延伸；以及石墨部分，其被配置为提供针对所述石墨烯部分的横向接触。
用于石墨部分电气接触

[发明专利]一种石墨烯散热膜的制备方法-CN202310146630.9在审
发明人：林建斌;黄卫明;刘明;叶俊楠;洪江彬 -专利权人：厦门凯纳石墨烯技术股份有限公司
申请日： 2023-02-21 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： C01B32/19 文献下载
摘要：本发明公开了一种石墨烯散热膜的制备方法，涉及石墨烯制备技术领域。该方法包括如下步骤：S1，制备石墨分散液；S2，制备混合分散液；S3，制备石墨导电片；S4，制备石墨烯散热膜，将石墨导电片置于硫酸溶液内，通电电解制成氧化石墨烯溶液并还原后制备石墨烯散热膜。在石墨烯散热膜的制备过程中加入分散的银纳米线或铜纳米线，混合后涂覆沉积在衬底上，形成复合的石墨烯膜，干燥后烧结并转移石墨烯膜，形成石墨烯散热膜，该方法制备的散热膜能够得到分散均匀的石墨烯膜产品，减少了杂质存在，同时银/铜纳米线的存在，减少了堆叠的石墨烯层数，降低了石墨烯中的13C的比例，提高12C的含量，提升石墨烯散热膜的导热率，更加接近单层石墨烯的导热效果。
一种石墨散热制备方法

[发明专利]一种简易制备直立石墨烯纳米片阵列的方法-CN201811589279.6有效
发明人：栗军帅;郭鑫;李亚丽 -专利权人：兰州大学
申请日： 2018-12-25 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： C01B32/186 文献下载
摘要：一种简易制备直立石墨烯纳米片阵列的方法，包括以下步骤，步骤一：将合适的含碳固相前驱物的溶液、粉体、胶状物等涂覆于具有催化作用的衬底上并干燥；步骤二：将含碳前驱物置于管式炉中，在惰性气体的保护下，升高炉内温度，实现直立石墨烯纳米片阵列的制备。本发明具有以下优点：第一，设备简单且易于操作及维护，可大规模生产；第二，制备过程简单、低劳动强度、能耗低，不涉及高温、高压，满足安全、绿色的生产理念；第三，生长的直立石墨烯纳米片可以为单层也可以为少数层
一种简易制备直立石墨纳米阵列方法

[发明专利]一种石墨烯-CuInS₂量子点复合物及其制备方法-CN201210472353.2有效
发明人：高锋;王命泰;岳文瑾 -专利权人：中国科学院等离子体物理研究所
申请日： 2012-11-21 - 公布日： 2013-03-13 - 主分类号： C09K11/65 文献下载
摘要：本发明公开了一种石墨烯-CuInS2量子点复合物及其制备方法，利用环境友好的乙醇作为溶剂，通过溶剂热反应合成了由还原态氧化石墨烯和黄铜矿CuInS2量子点组成的复合物，CuInS2量子点尺寸为2-5nm,CuInS2量子点以单层分散于石墨烯片层上和在石墨烯片层表面聚集形成三维聚集体两种形式存在。
一种石墨 cuins sub 量子复合物及其制备方法

[发明专利]一种层状结构石墨烯过滤膜及其制备方法-CN202310328624.5在审
发明人：杨雁冰;袁荃;王敬锋 -专利权人：武汉大学
申请日： 2023-03-27 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： B01D71/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种层状结构石墨烯过滤膜及其制备方法，所述方法包括：采用化学气相沉积法制备单层石墨烯；采用介孔掩模板结合氧等离子体刻蚀法在单层石墨烯内引入均一孔径分布的亚纳米孔，获得单层纳米孔石墨烯；将所获得的单层纳米孔石墨烯利用聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)辅助转移方法进行交错堆叠，获得层状结构石墨烯过滤膜。本发明的有益效果为：本发明中制备的层状结构石墨烯过滤膜由原子薄层二维材料组成，具有超薄的膜厚度。
一种层状结构石墨滤膜及其制备方法

[发明专利]一种单层MoS₂与石墨烯复合纳米材料的制备方法-CN201210187882.8有效
发明人：陈卫祥;王臻;黄国创;马琳 -专利权人：浙江大学
申请日： 2012-06-08 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： C01B31/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种单层MoS2与石墨烯复合纳米材料的制备方法，该复合材料由单层MoS2与石墨烯复合构成，单层MoS2与石墨烯之间物质量之比为1∶0.5-1∶4，其制备方法是先将氧化石墨烯超声分散在去离子水中，然后加入阳离子表面活性剂，充分搅拌后再加入硫代钼酸铵，并向上述混合体系中慢慢滴加水合肼，连续搅拌并加热到95℃，在回流下反应，使硫代钼酸铵和氧化石墨烯同时分别还原成MoS2和石墨烯，离心分离收集固体产物本发明方法具有工艺简单，易于工业化扩大应用的特点，可以大规模制备单层MoS2与石墨烯复合纳米材料。
一种单层 mos sub 石墨复合纳米材料制备方法