“半导体LED”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果895911个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]白光LED-CN201210089060.6有效
发明人：金元浩;李群庆;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2012-03-30 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：一种白光LED，包括：三个第一LED半导体结构和一个第二LED半导体结构，每一LED半导体结构包括依次层叠设置的一第一半导体层、一活性层和一第二半导体层，所述三个第一LED半导体结构和第二LED半导体结构共用所述第一半导体层，每一LED半导体结构的活性层设置在所述第一半导体层的一第一表面且间隔设置，所述三个第一LED半导体结构中的活性层设置在所述第二LED半导体结构中的活性层的四周，所述三个第一LED半导体结构分别为红、绿、蓝三基色的发光单元，所述第二LED半导体结构为一光栅。
白光 led

[发明专利]显示器用发光元件及具有其的显示装置-CN202080020179.0在审
发明人：张成逵;申赞燮;李剡劤;李豪埈 -专利权人：首尔伟傲世有限公司
申请日： 2020-03-12 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：根据一实施例的显示器用发光元件包括：第一LED叠层；第二LED叠层，位于第一LED叠层之下；第三LED叠层，位于第二LED叠层之下；及凸块焊盘，布置于第一LED叠层上，第一LED叠层至第三LED叠层都包括：第一导电型半导体层；及第二导电型半导体层，位于第一导电型半导体层之下，第一LED叠层包括通过第二导电型半导体层暴露的第一导电型半导体层，并具有贯通第一导电型半导体层的上通孔，第二LED叠层包括通过第二导电型半导体层暴露的第一导电型半导体层，并具有贯通第一导电型半导体层的下通孔，第三LED叠层包括通过第二导电型半导体层暴露的第一导电型半导体层，凸块焊盘利用上通孔和下通孔而电接通于第二LED叠层和第三LED叠层。
显示器用发光元件具有显示装置

[发明专利]形成单片发光二极管前驱体的方法-CN202080085843.X在审
发明人： W·S·谭 -专利权人：普列斯半导体有限公司
申请日： 2020-12-03 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：该方法包括：提供具有顶表面的衬底；在衬底的顶表面上形成包含III族氮化物的第一半导体层；用LED掩模层选择性地掩模第一半导体层，LED掩膜层包括孔，该孔通过LED掩模层的厚度到第一半导体层的未掩模部分限定LED阱，LED阱包括从第一半导体层的顶表面延伸到LED掩模层的顶表面的LED阱侧壁；以及在第一半导体层的未掩膜部分上的LED阱内选择性地形成单片LED堆叠。单片LED堆叠包括n型半导体层、有源层和p型半导体层，n型半导体层包含III族氮化物且形成在第一半导体层上，有源层形成在第一半导体层上且包括一个或多个量子阱子层，有源层包含III族氮化物，p型半导体层包含III族氮化物且形成在第二半导体层上。单片LED堆叠的从第一半导体层的顶表面延伸的LED堆叠侧壁与LED掩模层的LED阱侧壁一致。
形成单片发光二极管前驱方法

[发明专利]单片LED阵列及其前体-CN201980044914.9在审
发明人：安德烈亚·皮诺斯;萨米尔·迈祖阿里 -专利权人：普列斯半导体有限公司
申请日： 2019-07-04 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明提供了一种单片LED阵列前体，包括：共享第一半导体层的多个LED结构，其中，第一半导体层限定LED阵列前体的平面，每个LED结构包括：(i)第一半导体层上的第二半导体层，该第二半导体层具有与LED阵列前体的平面平行的上表面部分，该第二半导体层具有与上表面部分垂直的规则梯形截面，使得第二半导体层具有倾斜侧面；(ii)第二半导体层上的第三半导体层，该第三半导体层具有与LED阵列前体的平面平行的上表面部分，该第三半导体层具有与上表面部分垂直的规则梯形截面，使得第三半导体层具有与第二半导体层的倾斜侧面平行的倾斜侧面；(iii)第三半导体层上的第四半导体层，该第四半导体层具有与LED阵列前体的平面平行的上表面部分，该第四半导体层具有与上表面部分垂直的规则梯形截面，使得第四半导体层具有与第三半导体层的倾斜侧面平行的倾斜侧面；以及(iv)第四半导体层上的主电触点，其中，触点仅在第四半导体层的与LED阵列前体的平面平行的上表面部分上，其中，第三半导体层包括多个量子阱子层，该量子阱子层的与LED阵列前体的平面平行的部分具有更大的厚度，与LED阵列前体的平面不平行的部分具有减小的厚度。
单片 led 阵列及其

[实用新型]显示器用发光元件及具有其的显示装置-CN202020303676.9有效
发明人：张成逵;申赞燮;李剡劤;李豪埈 -专利权人：首尔伟傲世有限公司
申请日： 2020-03-12 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： H01L33/08 文献下载
摘要：一种显示器用发光元件及具有其的显示装置，包括：第一LED叠层；第二LED叠层，位于第一LED叠层之下；第三LED叠层，位于第二LED叠层之下；及凸块焊盘，布置于第一LED叠层上，第一LED叠层至第三LED叠层都包括：第一导电型半导体层；及第二导电型半导体层，位于第一导电型半导体层之下，第一LED叠层包括通过第二导电型半导体层暴露的第一导电型半导体层，并还具有贯通第一导电型半导体层的上通孔，第二LED叠层包括通过第二导电型半导体层暴露的第一导电型半导体层，并还具有贯通第一导电型半导体层的下通孔，第三LED叠层包括通过第二导电型半导体层暴露的第一导电型半导体层，凸块焊盘利用第一LED叠层的上通孔和第二LED叠层的下通孔而电接通于第二和第三LED叠层。
显示器用发光元件具有显示装置

[发明专利]LED芯片及其制备方法、芯片晶圆、Micro-LED显示装置-CN201910456585.0有效
发明人：侯孟军;李延钊;孟虎;刘宗民 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2019-05-29 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种LED芯片及其制备方法、芯片晶圆、Micro‑LED显示装置，涉及显示技术领域，可以解决LED芯片侧壁受损形成漏电通道，进而影响LED芯片的发光效率的问题。该LED芯片包括依次层叠设置的第一电极、第一半导体图案、发光图案、第二半导体图案以及第二电极；第一电极与第一半导体图案接触，第二电极与第二半导体图案接触，第二电极为透明电极；第一半导体图案和/或第二半导体图案在发光图案上的正投影的边界位于发光图案的边界以内；第一半导体图案、第二半导体图案以及发光图案沿LED芯片的厚度方向具有重叠区域；第一半导体图案为n型半导体，第二半导体图案为p型半导体；或者，第一半导体图案为p型半导体，第二半导体图案为n型半导体。
led 芯片及其制备方法 micro 显示装置

[发明专利]发光半导体LED器件水冷散热-CN201610083454.9在审
发明人：刘建忠 -专利权人：刘建忠
申请日： 2016-02-07 - 公布日： 2017-08-01 - 主分类号： F21V29/503 文献下载
摘要：本发明“发光半导体器件LED水冷散热”，对于发热量很大的发光半导体器件LED提出了效率比较高的散热方式。本发明内容组成为中空的壳体，壳体由金属或者陶瓷制成。在壳体上贴附发光半导体LED器件，发光半导体LED器件紧贴在壳体上，向中空壳体内注入和流出冷却水的金属管。通过用冷却水的循环，带走半导体LED器件的热量，给发光半导体LED器件进行散热。
发光半导体 led 器件水冷散热

[发明专利]LED外延结构及其制备方法-CN202310450614.9在审
发明人：董雪振;毕京锋;李森林;高默然;丘金金;薛龙;王亚宏;廖寅生;赖玉财 -专利权人：厦门士兰明镓化合物半导体有限公司
申请日： 2023-04-24 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种LED外延结构及其制备方法，其中所述LED外延结构从下至上依次包括：衬底、缓冲层、非故意掺杂层、N型半导体层、有源层以及P型半导体层，其中P型半导体层包括依次堆叠的第一P型半导体层、第二P型半导体层和第三P型半导体层，P型半导体层中的至少部分结构层掺杂有Mg，且第二P型半导体层的Mg掺杂浓度第一P型半导体层的Mg掺杂浓度第三P型半导体层的Mg掺杂浓度。本发明通过设置“U”字型掺杂的P型半导体层，能够增强电流扩展能力，提高LED的抗静电能力，改善LED的漏电问题，进而提高LED的可靠性。
led 外延结构及其制备方法

[实用新型]一种LED灯-CN201821191231.5有效
发明人：王增斌;张国万;韩军海 -专利权人：北京量子体系科技股份有限公司
申请日： 2018-07-25 - 公布日： 2019-05-03 - 主分类号： F21S8/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种LED灯，该LED灯包括：LED阵列，用于提供光源进行照明；半导体制冷装置，与所述LED阵列连接，用于对所述LED阵列进行制冷；散热片，与所述半导体制冷装置连接，用于对所述半导体制冷装置进行散热；第一绝缘导热硅脂层，设置在所述半导体制冷装置与所述LED阵列之间，用于将所述LED阵列产生的热量传导至所述半导体制冷装置；控制电路，分别与所述半导体制冷装置和所述LED阵列电连接，用于在所述LED阵列温度高于预设温度时启动所述半导体制冷装置通过上述方式，本实用新型能够提高LED灯的散热效率及质量可靠性，并拓宽LED灯的应用领域。
半导体制冷装置本实用新型绝缘导热硅脂质量可靠性控制电路热量传导散热效率电连接散热片散热预设光源制冷

[发明专利]发光结构及其制作方法-CN202111222881.8在审
发明人：程凯 -专利权人：苏州晶湛半导体有限公司
申请日： 2021-10-20 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明提供了一种发光结构及其制作方法，发光结构包括：GaN基LED结构以及位于GaN基LED结构的侧壁的含氮钝化层；GaN基LED结构包括：第一半导体层、第二半导体层以及位于第一半导体层与第二半导体层之间的发光层，第一半导体层与第二半导体层的导电类型相反。根据本发明的实施例，在GaN基LED结构的侧壁外延生长的含氮钝化层，可钝化第一半导体层与第二半导体层的侧壁，降低非辐射复合。此外，还可防止发光层两侧的第一半导体层与第二半导体层发生漏电，甚至短路，从而改善LED结构的动态特性，延长LED的使用寿命。
发光结构及其制作方法

[实用新型]一种基于半导体制冷器的LED灯具散热结构-CN201920163685.X有效
发明人：易斌;林曜 -专利权人：成都易明半导体有限公司
申请日： 2019-01-30 - 公布日： 2019-08-13 - 主分类号： F21V29/54 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于半导体制冷器的LED灯具散热结构,包括依次固定连接的散热组件、半导体制冷器外壳（1）和LED光源（2）；所述LED光源（2）内设置有LED电路基板（3）；所述半导体制冷器外壳（1）内安装有半导体制冷器（4）。本实用新型结构简单，通过半导体制冷器能够对LED光源产生的热量进行散热，散热效率高，同时通过吹风机、吸风机和湿度传感器能够避免湿空气在半导体制冷器的冷端容易凝结水珠从而造成LED灯具的线路板损坏或者P极半导体和N极半导体短路的问题，设置在半导体制冷器放热端的散热组件能够快速高效地对半导体制冷器产生的热量散发出去。
半导体制冷器本实用新型散热结构散热组件半导体湿度传感器热量散发散热效率线路板导体吹风机湿空气吸风机制冷器短路散热放热冷端水珠凝结

[发明专利]单片LED阵列及其前体-CN202180040129.3在审
发明人：安德烈亚·皮诺斯;萨米尔·迈祖阿里;谭唯欣;约翰·莱尔·怀特曼 -专利权人：普列斯半导体有限公司
申请日： 2021-05-28 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：一种单片LED阵列前体，包括共享第一半导体层的多个LED结构，其中，该第一半导体层限定该LED阵列前体的平面，每个LED结构包括：(i)该第一半导体层上的第二半导体层，具有与该LED阵列前体的平面平行的上表面部分，该第二半导体层具有垂直于该上表面部分的规则梯形截面，使得该第二半导体层具有倾斜的侧面；(ii)该第二半导体层上的第三半导体层，具有与该LED阵列前体的平面平行的上表面部分，该第三半导体层具有垂直于该上表面部分的规则梯形截面，使得该第三半导体层具有与该第二半导体层的倾斜的侧面平行的倾斜的侧面；(iii)该第三半导体层上的第四半导体层，具有与该LED阵列前体的平面平行的上表面部分，该第四半导体层具有垂直于该上表面部分的规则梯形截面，使得该第四半导体层具有与该第三半导体层的倾斜的侧面平行的倾斜的侧面；(iv)该第四半导体层上的初级电接触件，其中，该接触件仅位于该第四半导体层的与该LED阵列前体的平面平行的上表面部分上；(v)该第四半导体层的倾斜的侧面上的光学透明的电绝缘间隔件，这些间隔件具有面向该第四半导体层的倾斜的侧面的内表面和相反的外表面；以及(vi)反射层，在这些间隔件的外表面上导电延伸，其中，该第三半导体层包括多个量子阱子层，这些量子阱子层在与该LED阵列前体的平面平行的部分上具有更大的厚度
单片 led 阵列及其

[发明专利]一种LED晶片结构-CN201310367768.8在审
发明人：吴少红 -专利权人：深圳市凯信光电有限公司
申请日： 2013-08-21 - 公布日： 2013-11-20 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种LED晶片结构，包括衬底、LED半导体层、透明导电层、第一透明绝缘层、正电极和负电极；LED半导体层包括依次设置的n型半导体层、发光层、p型半导体层；正电极延伸设置在衬底和LED半导体层的一侧，正电极与P型半导体层的端部、透明导电层的端部直接接触连接，或者仅通过透明导电层的端部直接接触连接，再或者省略掉透明导电层，与P型半导体层的端部直接接触连接；负电极延伸设置在衬底和LED半导体层的另一侧，负电极与LED半导体层中的n型半导体层的端部直接接触连接。本发明中的LED晶片结构，正电极、负电极延伸设置在两侧，LED晶片结构的散热性能、导电性能均较好，且封装时不再需要打金线，封装成本较低，封装工序简便。
一种 led 晶片结构

[实用新型]一种LED晶片结构-CN201320513335.4有效
发明人：吴少红 -专利权人：深圳市凯信光电有限公司
申请日： 2013-08-21 - 公布日： 2014-02-26 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种LED晶片结构，包括衬底、LED半导体层、透明导电层、第一透明绝缘层、正电极和负电极；LED半导体层包括依次设置的n型半导体层、发光层、p型半导体层；正电极延伸设置在衬底和LED半导体层的一侧，正电极与P型半导体层的端部、透明导电层的端部直接接触连接，或者仅通过透明导电层的端部直接接触连接，再或者省略掉透明导电层，与P型半导体层的端部直接接触连接；负电极延伸设置在衬底和LED半导体层的另一侧，负电极与LED半导体层中的n型半导体层的端部直接接触连接。本实用新型中的LED晶片结构，正电极、负电极延伸设置在两侧，LED晶片结构的散热性能、导电性能均较好，且封装时不再需要打金线，封装成本较低，封装工序简便。
一种 led 晶片结构

[发明专利]一种异型低电压高亮度LED芯片-CN201711434008.9在审
发明人：黄星群 -专利权人：黄星群
申请日： 2017-12-26 - 公布日： 2018-05-18 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种异型低电压高亮度LED芯片，包括：蓝宝石衬底层、成核层、第一半导体层、发光层、第二半导体层；其中LED芯片的第一半导体层、发光层、第二半导体层按田字平均分成四个区，分别为一区第一半导体层、发光层、第二半导体层，二区第一半导体层、发光层、第二半导体层，三区第一半导体层、发光层、第二半导体层，四区第一半导体层、发光层、第二半导体层，各区第一半导体层上分别设置有第一电极，LED芯片中间蚀刻有第二半导体层的平台，在LED芯片第二半导体层平台上设置有一个第二电极。
一种异型电压亮度 led 芯片

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条