专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种单管半导体激光器老化测试装置-CN202010182915.4在审
  • 王智勇;杨逸飞;刘友强;秦文斌;曹银花 - 北京工业大学
  • 2020-03-16 - 2020-06-05 - G01R31/26
  • 本发明涉及半导体激光器制造领域,公开了一种单管半导体激光器老化测试装置,包括搭载平台、供电搭接件及探针组件;搭载平台用于搭载预测试的单管半导体激光器;供电搭接件安装在搭载平台上,并与探针组件相连接;供电搭接件用于伸向预测试的单管半导体激光器上侧的预设位置,以使得探针组件的端部与预测试的单管半导体激光器的电极相接触;本发明结构简单、成本低廉,可十分精细对预测试的单管半导体激光器进行通电操作,其操作便捷且精准可靠,并不会对预测试的单管半导体激光器的结构造成损坏,大大方便了对预测试的单管半导体激光器的老化测试。
  • 一种半导体激光器老化测试装置
  • [发明专利]一种LED器件及制作方法、显示模组、终端-CN202010261044.5在审
  • 曲爽;朱家庆 - 华为技术有限公司
  • 2020-04-03 - 2021-10-26 - H01L33/02
  • 本申请实施例公开了一种LED器件及制作方法、显示模组、终端,包括:包括:设置在基板上的:外延层,该外延层包括层叠设置的第一半导体层、第二半导体层,以及位于该第一半导体层和该第二半导体层之间的第一发光层,其中,该第一半导体层靠近该基板,该第二半导体层背离该基板;该第一发光层用于在该第一半导体层和该第二半导体层之间的电场的激发下发出蓝光;其中,该第二半导体层远离该基板的一侧设有荧光组件,该荧光组件用于将通过该第二半导体层的蓝光转化为白光由此,将荧光组件设置在LED器件的出光面,无需设置其他封装结构,减小了器件尺寸。同时,提高了背光模组色度的均匀性。
  • 一种led器件制作方法显示模组终端
  • [实用新型]一种半导体加工用机械组件-CN201922465751.1有效
  • 戴军 - 镇江佳鑫精工设备有限公司
  • 2019-12-31 - 2020-11-03 - B25H1/10
  • 本实用新型公开了一种半导体加工用机械组件,包括半导体组架和防护杆,所述半导体组架的内部底端固定有液压缸,且液压缸的顶端连接有升降杆,所述液压缸的内部焊接有护架,所述升降杆的顶部设置有夹持架,且夹持架的顶端安装有卡合架,所述防护杆设置于卡合架的顶端两侧,所述半导体组架的顶端连接有半导体安装架,所述卡合架的内部中部设置有散热网。该半导体加工用机械组件,有效的将中空结构的卡合架安装在半导体安装架之间,可将散热网和隔离弹簧安装在半导体安装架之间,依靠隔离弹簧的弹性能够使得散热网之间保持一定的散热空间,提高半导体加工过程中散热流通性,提高半导体组件整体加固效果。
  • 一种半导体工用机械组件
  • [发明专利]沟渠式金氧半导体组件的制作方法-CN200910140625.7有效
  • 涂高维;黄彦智 - 尼克森微电子股份有限公司
  • 2009-06-08 - 2010-12-08 - H01L21/336
  • 一种沟渠式金氧半导体组件的制作方法。首先,形成一图案层于一半导体底材上。随后,在图案层的开口的侧边制作一侧壁结构,以形成闸极沟渠于半导体底材内。接下来,填入介电材料于图案层的开口内,以形成介电结构于闸极上方。在去除图案层与侧壁结构后,形成一介电层覆盖介电结构,并利用位于介电结构侧边的介电层定义源极区于闸极沟渠的侧边。形成源极区之后,形成一介电层覆盖介电结构,并利用位于介电结构侧边的介电层定义重掺杂区于源极区的旁边。本发明的沟渠式金氧半导体组件的制作方法可缩小金氧半导体组件的尺寸,提高组件密度,降低生产成本。
  • 沟渠式金氧半导体组件制作方法
  • [实用新型]一种屏蔽栅极半导体组件-CN201720952780.9有效
  • 夏倩 - 深圳晶鼎科实业有限公司
  • 2017-08-02 - 2018-02-13 - H01L23/367
  • 本实用新型公开了一种屏蔽栅极半导体组件,包括半导体组件本体,所述半导体组件本体的侧面设有导热装置,半导体组件本体的一端通过第一连接机构连接有第一接触件,所述半导体组件本体的另一端通过第二连接机构连接有第二接触件,所述导热装置包括导热片和散热装置,导热片和散热装置均均匀分布在半导体组件本体的端部侧面,所述散热装置包括散热凹槽,散热凹槽开设在半导体组件本体的侧面,本屏蔽栅极半导体组件,通过导热装置对该半导体组件进行防护,避免该半导体组件长期在高温作用下而导致性能下降,大大增加了该半导体组件的使用寿命,通过便于拆卸和安装的连接机构对接触件进行组装,方便其进行维护或更换。
  • 一种屏蔽栅极半导体组件
  • [发明专利]一种化合物半导体硅基混合器件及其制备方法-CN201711373158.3在审
  • 王子昊;朱忻 - 苏州矩阵光电有限公司
  • 2017-12-19 - 2018-05-18 - H01L27/15
  • 本发明涉及半导体技术领域,提供一种化合物半导体硅基混合器件及其制备方法,其中制备方法,包括:在第一衬底上依次形成牺牲层、半导体功能层,形成第一组件;将第二衬底划分为光波导区和键合区,在所述光波导区上形成光波导结构,在所述键合区形成对准组件;在所述键合区表面形成键合凸台;将所述第一组件设置在所述键合区上,所述半导体功能层与所述键合凸台相键合,所述半导体功能层靠近所述光波导区的侧壁与所述光波导结构的端面耦合。该方法能够避免半导体功能层与光波导结构精准对位的问题(即在垂直以及水平方向上无源对准);此外,提高了半导体器件的集成度和化合物半导体光电器件与硅基光波导的耦合精度,提高了生产效率。
  • 一种化合物半导体混合器件及其制备方法
  • [发明专利]半导体组件承载结构及其叠接结构-CN200710092235.8有效
  • 连仲城;张家维 - 全懋精密科技股份有限公司
  • 2007-04-02 - 2008-10-08 - H01L23/488
  • 一种半导体组件承载结构及其叠接结构,该半导体组件承载结构包括:一电路板,表面设有线路层,该电路板具有至少一开口,且该线路层具有多个电性连接垫及导电结构;一具有多个电极垫的半导体组件,其嵌埋于该开口中,且该些电极垫并通过该导电结构电性连接该线路层;以及多个导电凸块,其设于该电性连接垫表面;各该半导体组件承载结构可设置对应导电凸块的焊锡球,以供一电路板的导电凸块对应接合至另一电路板的焊锡球,由此形成叠接结构
  • 半导体组件承载结构及其
  • [发明专利]半导体封装件的制法-CN201310222505.8有效
  • 纪杰元;黄荣邦;陈彦亨;廖宴逸;林辰翰 - 矽品精密工业股份有限公司
  • 2013-06-06 - 2017-11-21 - H01L21/60
  • 一种半导体封装件的制法,包括提供具有第一表面的第一承载件、具有作用面的半导体组件与第一强化结构,该半导体组件以该作用面设置于该第一承载件的第一表面上,该第一强化结构设置于该第一承载件的第一表面上;形成封装材料于该第一承载件的第一表面上,以包覆该半导体组件并外露出该第一强化结构;以及对该第一承载件、封装材料与第一强化结构进行烘烤。藉此,本发明能避免该封装材料等产生翘曲的情形,进而提升该半导体封装件的良率。
  • 半导体封装制法
  • [发明专利]用于制造电声模块的改进方法-CN202210874380.6在审
  • M·A·肖;M·德尔·萨尔托 - 意法半导体股份有限公司
  • 2022-07-22 - 2023-02-03 - B81C1/00
  • 一种用于制造电声模块的方法,包括:形成具有再分布结构和布置在介电区域中的多个管芯的组件;形成具有半导体本体和横向交错的多个相应单元部分的晶片,单元部分中的每一个单元部分包括被设置成与半导体本体接触的相应支撑区域和多个致动器;减小半导体本体的厚度,然后选择性地去除部分半导体本体,以便从晶片开始单片化多个换能结构,每一个换能结构包括半导体衬底,该半导体衬底接触对应的支撑区域并且被腔体穿过,该腔体由形成与致动器机械耦接的膜的支撑区域的部分来界定;然后将换能结构耦接到组件再分布结构
  • 用于制造电声模块改进方法

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