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[实用新型]一种用于半导体器件的烧结设备-CN202122651393.0有效
发明人：王亮;唐新灵;林仲康;靳清;胡博 -专利权人：全球能源互联网研究院有限公司;国家电网有限公司;深圳市先进连接科技有限公司
申请日： 2021-11-01 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体器件加工设备技术领域，具体涉及一种用于半导体器件的烧结设备。一种用于半导体器件的烧结设备，包括：工作台，所述工作台上设有驱动结构和加热结构；压制结构，设于所述工作台上，且与所述驱动结构对应设置，所述压制结构包括夹持机构和设于所述夹持机构上的多个施力机构，多个施力机构与设于所述工作台上的多个半导体器件一一对应，所述施力机构包括压头和与所述压头连接的压力均衡组件，所述压力均衡组件包括在所述压头施力时沿施力方向发生形变的第一偏压件。本实用新型提供了一种工作时压力稳定，降低半导体器件的损坏率的用于半导体器件的烧结设备。
一种用于半导体器件烧结设备

[发明专利]半导体组件及其制造方法-CN200380102160.7有效
发明人： D·瑞斯特;C·魏因特劳布;J·F·布勒;J·奇克 -专利权人：先进微装置公司
申请日： 2003-10-27 - 公布日： 2005-12-14 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种具有源极侧晕圈区(120)的绝缘栅极场效应半导体组件(100)，以及制造该半导体组件(100)的方法。在半导体衬底(102)上形成栅极结构(112)。在半导体衬底(102)中形成源极侧晕圈区(120)。在形成源极侧晕圈区(120)之后，在邻接栅极结构(112)的相反两边形成间隔体(127，128，152，154)。利用斜角注入在半导体衬底(102)中形成源极延伸区(136A)和漏极延伸区(138A)。该源极延伸区(136A)延伸于栅极结构(112)之下，而漏极延伸区(138A)可以延伸于栅极结构(112)之下或侧向地从栅极结构(112)相隔开。在半导体衬底(102)中形成源极区(156)和漏极区(158)。
半导体组件及其制造方法

[实用新型]半导体制冷器件的安装结构、柜体及制冷设备-CN202020518487.3有效
发明人：梁绍桐;沈万辉;郎红军;张亮 -专利权人：合肥华凌股份有限公司;合肥美的电冰箱有限公司;美的集团股份有限公司
申请日： 2020-04-09 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： F25D19/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种半导体制冷器件的安装结构、柜体及制冷设备，其中所述半导体制冷器件的安装结构包括板组件，所述板组件的正面开设有第一凹进部，所述板组件的背面开设有第二凹进部，所述第一凹进部与所述第二凹进部以通孔相连通，所述通孔用于供所述半导体制冷器件的冷端穿过。本实用新型中的半导体制冷器件的安装结构使得安装操作较为方便且提高了安装效率。
半导体制冷器件安装结构设备

[发明专利]半导体封装件的制法-CN201310206617.4有效
发明人：陈彦亨;林畯棠;詹慕萱;纪杰元;廖宴逸 -专利权人：矽品精密工业股份有限公司
申请日： 2013-05-29 - 公布日： 2017-04-05 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：一种半导体封装件的制法，包括提供一承载件；设置至少一半导体组件于该承载件上；形成绝缘层于该承载件与半导体组件上；移除该承载件；形成压合件于该绝缘层上；以及形成线路重布结构于该半导体组件上。
半导体封装制法

[实用新型]一种物理气相沉积设备-CN201922093302.9有效
发明人：钟瑞伦;吴俊鹏 -专利权人：吴俊鹏;陈纪宇
申请日： 2019-11-28 - 公布日： 2021-05-21 - 主分类号： C23C14/02 文献下载
摘要：一种物理气相沉积设备，包括除气室、等离子体室以及反应室，其中除气室用以去除半导体组件上的水分，等离子体室通过感应耦合式等离子体清洁半导体组件的表面以及填补半导体组件的表面悬浮键结，以及反应室对半导体组件实施镀膜工艺以在半导体组件的表面形成金属基膜本实用新型披露的物理气相沉积设备通过等离子体室内的感应耦合式等离子体清洁半导体组件的表面以及填补半导体组件的表面悬浮键结，如此一来可以降低半导体组件上外延层不必要的损伤，进而提升半导体组件的可靠度。
一种物理沉积设备

[实用新型]一种应用于智能手机主板上面的二极管-CN201520953141.5有效
发明人：李建民 -专利权人：深圳市唐为电子有限公司
申请日： 2015-11-26 - 公布日： 2016-08-03 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种应用于智能手机主板上面的二极管，包括N正极半导体、半导体组件、外层面上的负极电极，所述N正极半导体末端安装有N负极半导体；所述N负极半导体上端设置着半导体组件；所述半导体组件外部包裹着外层面上的负极电极；所述外层面上的负极电极镶嵌着外层面上的正极电极；所述外层面上的正极电极通过主体阴极部件连接着在阳极上分离的组件；所述在阳极上分离的组件下端设置着直线型传动部分；所述直线型传动部分外端面安装有圆弧曲线外壳部分本实用新型结构简单、设计合理、操作简便，有效的将晶体管结合生产实际，实现了晶体管的数据传输，而且生产成本较低，适合运用推广。
一种应用于智能手机主板上面二极管

[实用新型]半导体处理设备-CN202123350033.3有效
发明人：温子瑛;王博洋;孙富成;王吉;温欣;樊裕斌;沈爱华;丁维维 -专利权人：无锡华瑛微电子技术有限公司
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种半导体处理设备，其包括：相邻放置的多个半导体处理模块，每个半导体处理模块内设置有一台半导体处理装置；紧邻所述半导体处理模块的第一侧设置的设备前端组件；位于所述半导体处理模块下方的流体承载模块；和紧邻所述半导体处理模块的与第一侧相对的第二侧设置的多个阀门模块，每个阀门模块包括多个受控阀门。本实用新型中的半导体处理设备由几个模块组成，具有结构简单，组装方便灵活、结构紧凑等特点，还能够提高晶圆的处理效率。
半导体处理设备

[发明专利]半导体封装件及其制法-CN201310112017.1在审
发明人：林畯棠;赖顗喆 -专利权人：矽品精密工业股份有限公司
申请日： 2013-04-02 - 公布日： 2014-09-17 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：一种半导体封装件及其制法，该半导体封装件的制法为先结合多个第一半导体组件于该中介板上，再以第一封装胶体包覆该第一半导体组件；接着，设置多个第二半导体组件于该第一半导体组件上，并以第二封装胶体包覆该第二半导体组件通过先堆栈半导体组件，再薄化中介板，不仅能降低整体堆栈厚度，且使该中介板不翘曲。
半导体封装及其制法

[发明专利]半导体封装及半导体封装组件-CN201611159530.6有效
发明人：许志骏;林圣谋 -专利权人：联发科技股份有限公司
申请日： 2016-12-15 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明提供了半导体封装及半导体封装组件。半导体封装包括：封装基板，具有第一区域以及限定在该封装基板的边缘与该第一区域的边缘之间的第二区域；半导体晶片，在该第一区域中设置在该封装基板上；导电屏蔽元件，设置在该封装基板上并且覆盖该半导体晶片；以及三维天线，该三维天线包括：平面结构部，在该第二区域中设置在该封装基板上；以及桥结构部，位于该平面结构部上方并且与该平面结构部连接。本发明将三维天线集成到了半导体封装中，降低了生产成本，能够实现小且紧凑的SiP组件，并且可以防止三维天线与半导体晶片之间的信号耦合。
半导体封装组件

[发明专利]半导体封装及半导体封装组件-CN202010227595.X有效
发明人：许志骏;林圣谋 -专利权人：联发科技股份有限公司
申请日： 2016-12-15 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明提供了半导体封装及半导体封装组件。半导体封装包括：封装基板，具有第一区域以及限定在该封装基板的边缘与该第一区域的边缘之间的第二区域；半导体晶片，在该第一区域中设置在该封装基板上；导电屏蔽元件，设置在该封装基板上并且覆盖该半导体晶片；以及三维天线，该三维天线包括：平面结构部，在该第二区域中设置在该封装基板上；以及桥结构部，位于该平面结构部上方并且与该平面结构部连接。本发明将三维天线集成到了半导体封装中，降低了生产成本，能够实现小且紧凑的SiP组件，并且可以防止三维天线与半导体晶片之间的信号耦合。
半导体封装组件

[发明专利]半导体结构的制作方法-CN202011002431.3在审
发明人：陈宪伟;陈明发;陈英儒 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-09-22 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：一种半导体结构的制作方法包括以下步骤。提供半导体晶片，半导体晶片包括集成电路组件、分别环绕集成电路组件的密封环及设置在密封环之间的测试结构。至少沿第一路径执行第一晶片锯切工艺，以将半导体晶片单体化成多个第一单体化集成电路组件，所述多个第一单体化集成电路组件各自包括测试结构之中的一测试结构。当执行第一晶片锯切工艺时，测试结构的测试接垫位于第一路径旁边，使得第一单体化集成电路组件中的测试结构中的对应的一个测试结构的测试接垫在侧向上与第一单体化集成电路组件的侧壁间隔开一定距离。
半导体结构制作方法

[发明专利]发光组件-CN201911075803.2有效
发明人：郭修邑 -专利权人：隆达电子股份有限公司
申请日： 2019-11-06 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：发光组件包括堆叠结构及覆盖堆叠结构的至少多个侧面的第一绝缘层。堆叠结构包括P型及N型半导体层、位于P型及N型半导体层之间的发光层、位于N型半导体层上的N型电极、位于N型半导体层及N型电极之间的N型接触层、位于P型半导体层上的P型电极、位于N型电极上的N型接触垫、位于P型电极上的P型接触垫、以及位于发光层与N型接触层之间的半导体反射器。半导体反射器包括多个周期，各周期包括至少一第一层及至少一第二层，第一层的折射率不同于第二层的折射率，可以提升发光组件的发光效率。发光组件可应用于广色域背光模块或超薄背光模块。
发光组件

[发明专利]一种高压蓄电池的汇流排、电池包、及冷却方法-CN202210684190.8有效
发明人：林金源;汤桃峰;游道亮;李斌 -专利权人：江铃汽车股份有限公司
申请日： 2022-06-16 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01M50/507 文献下载
摘要：本发明提出一种高压蓄电池的汇流排，包括：导电体，绝缘层、冷却装置；其中，导电体具有毛细管结构、空腔结构；毛细管结构设于导电体的内壁面；导电体内部设有冷却介质；绝缘层套设在导电体外部；导电体的中段区域具有缓冲区；缓冲区设有冷却装置，冷却装置包括第一导线、第二导线、第一壳体、第二壳体、半导体组件和密封剂；其中，半导体组件包括多个N型半导体和多个P型半导体；N型半导体和P型半导体间隔设置，且端部设有铜金属片使整体串联；第一导线、第二导线分别与两侧的铜金属片相连接；半导体组件设于第一壳体、第二壳体之间并且通过铜金属片适配连接；第一壳体与第二壳体的端部之间的间隙填充密封剂。
一种高压蓄电池汇流电池冷却方法

[发明专利]一种半导体石墨管内壁打磨装置-CN202211497637.7在审
发明人：周志强;李志恒;杨淑强 -专利权人：浙江华熔科技有限公司
申请日： 2022-11-28 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： B24B5/40 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体石墨管内壁打磨装置，包括支撑架，支撑架上设置有转动组件，转动组件包括转盘，转盘设置为中空结构，转盘的左右两侧分别设置有上料组件和下料组件，转盘上固定设置有若干个承载板，若干个承载板上均滑动设置有夹持组件，转盘内固定设置有导向组件，转盘的上方设置有打磨组件，转盘内还设置有吸尘组件，上料组件用于输送半导体石墨管，转动组件用于带动夹持组件进行转动，夹持组件用于在转动的过程中与导向组件配合将半导体石墨管进行夹持或松开，打磨组件用于将半导体石墨管的内壁进行打磨，吸尘组件用于将打磨过程中产生的废屑进行收集，下料组件用于输出打磨后的半导体石墨管，本发明提高了工作效率，无需人工将半导体石墨管进行上下料。
一种半导体石墨内壁打磨装置

[实用新型]一种温控式温差发电试验系统-CN201521011952.X有效
发明人：张峻峰;王军;孙章;冯朝润;白波;陈科;杨波勇;魏川翔;明俊;于文萍;陶成玉;陶天伟;甘伸权;唐静;张向龙;刘占千 -专利权人：西华大学;王军;孙章
申请日： 2015-12-09 - 公布日： 2016-05-11 - 主分类号： H02N11/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种温控式温差发电试验系统，包括温控式温差发电加热系统组件、温差发电制冷水循环系统组件、半导体温差发电组件，所述温控式温差发电加热系统组件包括温控器、温度传感器、电加热板、加热回路；所述温差发电制冷水循环系统组件包括金属散热水箱、分流接头、PVC软管、循环泵机、水槽；所述半导体温差发电组件包括多组半导体温差发电模块，每组半导体温差发电组件由多块半导体温差发电片串并联组成。本实用新型温度控制上采用可控闭环方式，实现了对温度的有效控制，完成了对半导体温差发电片输出功率大小的有效控制；结构上采用热板双面敷设双道半导体温差发电片，极大提高热源利用率；系统架设简单经济，便于广大科研人员推广使用
一种温控温差发电试验系统