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[发明专利]半导体制备装置-CN202211041657.3在审
发明人：方青春 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-08-29 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本申请提供一种半导体制备装置，涉及半导体制造技术领域，用于解决晶圆的良率低的技术问题，该半导体制备装置包括机台和至少一组清洁组件，至少一组清洁组件设置在机台上且位于目标器件的至少一侧；清洁组件包括刷头和静电吸附件
半导体制备装置

[发明专利]半导体制备装置-CN202111387359.5在审
发明人：朱海洋;荆学珍;刘月华;伍斌 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2021-11-22 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：一种半导体制备装置，包括：腔体；位于所述腔体内的工作台；位于所述工作台上方的盖板，所述盖板具有相对的第一表面和第二表面，所述第二表面面向所述工作台，所述盖板边缘与所述腔体侧壁固定；位于所述腔体上方的光源所述半导体制备装置的使用寿命更长，同时使制备工艺的稳定性更高。
半导体制备装置

[发明专利]一种半导体制备系统-CN202310989838.7在审
发明人：请求不公布姓名 -专利权人：国镓芯科（成都）半导体科技有限公司
申请日： 2023-08-08 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制备技术，具体公开了一种半导体制备系统，包括生产单元和中控单元，生产单元用于半导体的制备生产，中控单元用于对生产单元在进行制备生产半导体时，对其工作状况进行精确控制，其中，生产单元包括：外机体和半导体制备室，半导体制备室位于外机体内部，且其自上而下设有半导体制备腔和半导体成型腔，在半导体制备腔和半导体成型腔之间还设有流通管，半导体制备腔为一密闭腔室，在其内部蓄有镓液，半导体制备腔的侧部还安装有第一加热组件，在半导体制备腔的顶部贯穿设有延伸至外机体外部的第一输入管，第一输入管的底端通过伸缩件连接有分流件，提升整个系统的智能化和便捷化，并确保最终生成的半导体成品质量更好。
一种半导体制备系统

[发明专利]一种石墨烯PN结半导体制冷片及制备方法-CN202111517983.2在审
发明人：蔡金明;周燕;蔡晓明;戴东方;郝振亮 -专利权人：广东墨睿科技有限公司
申请日： 2021-12-13 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： C01B32/186 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制冷技术领域，具体涉及一种石墨烯p‑n结半导体制冷片及制备方法，石墨烯p‑n结半导体制冷片是采用CVD法在铜箔上生长出石墨烯，将石墨烯分别进行p型、n型掺杂，再将石墨烯pn结转移到陶瓷平板半导体制冷元件上，得到石墨烯pn结半导体制冷片；方法包括CVD法制备石墨烯，铜箔上石墨烯的转移，石墨烯p‑n结与陶瓷平板半导体制冷元件的复合，以及石墨烯p‑n结半导体制冷片与导热硅脂片的粘合。利用本发明制备的石墨烯pn结半导体制冷片能快速均匀地散出热量，通过调整掺杂剂的种类可改变制冷片的性能。本发明制备的石墨烯pn结半导体制冷片比传统的陶瓷半导体制冷片具有更出色的制冷性能，在电子器件的散热、防护服制冷等方面有巨大的应用潜力。
一种石墨 pn 半导体制冷制备方法

[发明专利]一种半导体制冷器及其制备方法-CN202211187215.X在审
发明人：刘峰铭;陈可;黄议 -专利权人：广西自贸区见炬科技有限公司
申请日： 2022-09-28 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H01L35/02 文献下载
摘要：本发明涉及了半导体制冷器技术领域，具体提供了一种半导体制冷器及其制备方法，旨在解决现有的半导体制冷器密封技术中填充的材料和填充方法，会造成制冷量损失且制冷面温度均匀性差、密封效果不稳定、降低半导体制冷器的性能和缩短半导体制冷器的使用寿命问题所述半导体制冷器的结构由上到下依次为上层陶瓷基板、P‑N型半导体颗和下层陶瓷基板；在所述上层陶瓷基板和下层陶瓷基板之间的内部空间内完全填充气凝胶；所述一种半导体制冷器的制备方法及步骤。实现了半导体制冷器防潮绝缘性能要求，降低了半导体制冷器的制冷量损失、提高了制冷面温度均匀性和整体性能以及延长了半导体制冷器的使用寿命。
一种半导体制冷及其制备方法

[发明专利]一种冷冻装置及其制备高强韧层状多孔钛合金材料的方法-CN202011267741.8有效
发明人：姚正军;杜文博;张莎莎;束长青;章旗超;张帆;李祥硕;姚孟欣 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2020-11-13 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： C22C1/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种冷冻装置及其制备高强韧层状多孔钛合金材料的方法，冷冻装置包括模具、金属薄片、半导体制冷片组、热敏半导体、温控器、电源、金属空心板、冷却管路、冷却液存储单元及冷却和动力单元；模具置于金属薄片上，金属薄片固定在半导体制冷片组上；半导体制冷片组与电源连接；热敏半导体固定在模具底部，温控器与热敏半导体连接，监测模具底部的温度；温控器还与电源连接，通过调节电源的输出控制半导体制冷片组；半导体制冷片组固定在金属空心板上本发明具有材料结构可调控、制备简单成本低等优点。
一种冷冻装置及其制备强韧层状多孔钛合金材料方法

[发明专利]利用半导体制冷片对温敏凝胶冷热调节的细胞片制备装置-CN201110286443.8有效
发明人：吕永钢;邹杨;杨力 -专利权人：重庆大学
申请日： 2011-09-23 - 公布日： 2012-01-25 - 主分类号： C12M3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用半导体制冷片对温敏凝胶冷热调节的细胞片制备装置，包括一固定框(1)，其上设有半导体制冷片(2)，半导体制冷片(2)上涂有导热油与培养器皿(3)紧密连接，半导体制冷片(2)并联或串联，通过导线连通接有电源的控制器(6)，培养器皿(3)内壁底覆有一层温敏凝胶(4)，外壁底布置有温度传感器(5)，通过其中的半导体制冷片(2)对温敏凝胶(4)的温度进行调节，实现组织工程细胞片的制备，该装置结构简单紧凑
利用半导体制冷凝胶冷热调节细胞制备装置

[实用新型]利用半导体制冷片对温敏凝胶冷热调节的细胞片制备装置-CN201120360993.5有效
发明人：吕永钢;邹杨;杨力 -专利权人：重庆大学
申请日： 2011-09-23 - 公布日： 2012-08-01 - 主分类号： C12M3/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种利用半导体制冷片对温敏凝胶冷热调节的细胞片制备装置，包括一固定框(1)，其上设有半导体制冷片(2)，半导体制冷片(2)上涂有导热油与培养器皿(3)紧密连接，半导体制冷片(2)并联或串联，通过导线连通接有电源的控制器(6)，培养器皿(3)内壁底覆有一层温敏凝胶(4)，外壁底布置有温度传感器(5)，通过其中的半导体制冷片(2)对温敏凝胶(4)的温度进行调节，实现组织工程细胞片的制备，该装置结构简单紧凑
利用半导体制冷凝胶冷热调节细胞制备装置

[实用新型]一种半导体制备装置以及砷化镓半导体制备装置-CN201821021064.X有效
发明人：雷仁贵;肖亚东;谈笑天 -专利权人：汉能新材料科技有限公司
申请日： 2018-06-29 - 公布日： 2019-08-13 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种半导体制备装置以及砷化镓半导体制备装置，应用于水平布里奇曼法半导体制备，其中该半导体制备装置包括第一炉体和第二炉体，所述第一炉体和第二炉体分别单独设置温度控制装置，所述第一炉体和所述第二炉体由中间管道连接本实用新型的装置实现了有效地独立控制高温区与低温区的温度，避免了由于出现石英管变形和开裂等导致的多晶料氧化或砷泄露，以及多晶料尾部合成不完全等问题；此外，由于高温区与中温区之间设置适当的保温措施，使得蒸发的组分得以完全与其他组分反应，得到配比均匀的半导体化合物。
半导体制备装置炉体本实用新型中间管道多晶料高温区砷化镓半导体化合物温度控制装置半导体制备布里奇曼法保温材料保温措施单独设置独立控制装置实现组分反应低温区石英管有效地中温区包覆配比外周蒸发变形泄露合成应用

[实用新型]基于半导体的制冷装置及风扇-CN202220278347.2有效
发明人：刘志才;雷俊;王云峰;邱水兵;韩平英;郑量 -专利权人：广东美的环境电器制造有限公司
申请日： 2022-02-10 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： F24F5/00 文献下载
摘要：本申请提供了半导体制冷装置及风扇，半导体制冷装置包括半导体制冷组件、风扇控制组件以及风扇组件，风扇组件连接半导体制冷组件以及风扇控制组件；半导体制冷组件包括依次连接的半导体制冷控制模块、半导体制冷驱动模块以及半导体制冷片；半导体制冷控制模块向半导体制冷驱动模块发送半导体制冷控制信号；半导体制冷驱动模块根据半导体控制信号控制半导体制冷片的制冷状态。本申请通过半导体制冷组件，调节其两端电压，使室内空气温度进一步降低，得到更好的制冷降温效果。
基于半导体制冷装置风扇

[发明专利]一种半导体制程管道的清洁方法-CN202111021987.1在审
发明人：赵振合 -专利权人：筑磊半导体技术（上海）有限公司
申请日： 2021-09-01 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： C23C26/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体制程管道的清洁方法，涉及半导体制程管道技术领域，包括以下步骤：预先制备清洁涂料，再进行对半导体制程管道进行二次总成钝化，进行保护焊缝区域因打磨处理而导致一次钝化膜被破坏的区域，进行对半导体制程管道被焊缝区域进行浸镍处理，将制备半成品涂抹清洁涂料制得成品。本发明经浸镍处理的半导体制程管道，强度大大提高，而通过半导体制程管道涂抹清洁涂料，提高其耐腐蚀性能，不仅消除潜在质量隐患，满足加工工艺要求且满足生产装配需求的同时，而且使用状况优良，延长半导体制程管道的使用寿命
一种半导体管道清洁方法

[发明专利]半导体制冷模块的制备方法-CN201410853617.8有效
发明人：高希成;王定远;刘杰;栾明业;孙珺超;裴玉哲 -专利权人：青岛海尔智能技术研发有限公司
申请日： 2014-12-31 - 公布日： 2020-10-02 - 主分类号： F24F5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体制冷模块的制备方法，该半导体制冷模块主要由第一换热系统(120)、第二换热系统(121)、半导体制冷片(106)和外壳(100)构成，所述外壳(100)围成中空腔(107)，所述半导体制冷片(106)包括第一工作表面和第二工作表面，所述第一换热系统(120)包括所述半导体制冷片(106)的第一工作表面和第一翅片(109)，所述第二换热系统(121)包括所述半导体制冷片(106)的第二工作表面和第二翅片本发明所制备的半导体制冷模块，将两个换热系统的物理隔离，有效提高了能量的利用效率。
半导体制冷模块制备方法

[发明专利]一种半导体制备用切割装置-CN202010976899.6在审
发明人：林素芳 -专利权人：广州正心科技有限公司
申请日： 2020-09-17 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： B28D5/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制备技术领域，且公开了一种半导体制备用切割装置，包括底板，所述底板下表面的四角均设置有减震装置，所述底板上表面的左右两侧均设置有调节式夹持装置，所述底板上表面的左右两侧固定连接有龙门架，该半导体制备用切割装置，通过固定杆、U形夹持板、连接板、调节握把和回位弹簧之间的配合使用，实现了对半导体材料的夹持固定，保证了在对半导体材料进行切割时半导体材料的稳定性，降低了半导体材料偏离原位现象出现的概率，保证了对半导体材料的切割效果。
一种半导体制备切割装置

[发明专利]一种半导体制冷片及其制备方法-CN201510847899.5在审
发明人：苏仕进;赵丽红;罗文海 -专利权人：比亚迪股份有限公司
申请日： 2015-11-27 - 公布日： 2017-06-09 - 主分类号： H01L35/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体制冷片及其制备方法，该半导体制冷片包括上端绝缘导热层、下端绝缘导热层、绝缘纤维、绝缘填充剂、N/P型电偶对和导体。采用本发明的制备方法所制作的半导体制冷片力学性能好，抗拉性能高。
一种半导体制冷及其制备方法

[发明专利]基于半导体制冷实现空气取水与海水淡化的装置和方法-CN202210512126.1在审
发明人：邓昊;冯道伦;陈珍慧 -专利权人：上海海事大学
申请日： 2022-05-11 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： E03B3/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于半导体制冷实现空气取水与海水淡化的装置和方法，该装置包括：半导体制冷片；冷凝室，位于半导体制冷片的制冷侧，冷凝室由半导体制冷片的制冷端与低导热板密封而成，冷凝室用于对通入的高温空气进行冷凝，生成冷凝水；蒸发冷凝室，位于半导体制冷片的制热侧，蒸发冷凝室由半导体制冷片的制热端、低导热板和高导热换热板密封而成，蒸发冷凝室用于对注入的海水进行蒸发冷凝，生成冷凝水和海盐。本发明能够同时实现空气取水和海水淡化，并可提高热带岛礁、远洋船舶等环境下的净化水制备效率。
基于半导体制冷实现空气取水海水淡化装置方法

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