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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]金属化穿透孔结构及其制造方法-CN201510169138.9有效
发明人：花长煌;卓宜德;陈家豪 -专利权人：稳懋半导体股份有限公司
申请日： 2015-04-10 - 公布日： 2018-09-07 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明提供一种金属化穿透孔结构及其制造方法，金属化穿透结构的制造方法包括：以可蚀刻磊晶结构而无法蚀刻化合物半导体基板的蚀刻介质自磊晶结构的上表面蚀刻基板之上的磊晶结构以形成磊晶凹槽，使蚀刻自动终止于基板；在磊晶结构之上以及磊晶凹槽的内表面形成正面金属层；以可蚀刻基板而无法蚀刻磊晶结构及正面金属层的蚀刻介质自基板的下表面蚀刻基板以形成基板凹槽，其中基板凹槽的底部与该磊晶凹槽的底部至少部分相接触，使蚀刻自动终止于磊晶结构及正面金属层或自动终止于正面金属层；以及在基板之下以及基板凹槽的内表面形成背面金属层，使该背面金属层与正面金属层相接触；从而大幅缩小正面金属层的面积，在应用时可大幅缩小元件的大小。
金属化穿透结构及其制造方法

[发明专利]单色LED复合面板显示模组制造方法-CN201410816681.9有效
发明人：严敏;程君;周鸣波 -专利权人：环视先进数字显示无锡有限公司
申请日： 2014-12-24 - 公布日： 2018-08-24 - 主分类号： G09F9/33 文献下载
摘要：本发明涉及一种单色LED复合面板显示模组及其制造方法，该方法包括：在复合单色LED磊晶基板上制备共晶电极；所述复合单色LED磊晶基板包括磊晶基板和在磊晶基板上磊晶生长的单色LED；所述多个单色LED之间由晶片切割槽隔离，所述晶片切割槽内填充有SiO2；制备金属化电子线路；所述金属化电子线路与所述共晶电极相连通；对所述复合单色LED磊晶基板的衬底进行研磨减薄；将减薄后的复合单色LED磊晶基板的衬底侧与透明面板贴合，并根据所需尺寸进行边缘切割；在所述金属化电子线路上制作控制电路；安装集成电路分立器件；所述集成电路分立器件用于提供控制信号，通过所述控制电路控制每个所述单色LED的工作。
单色 led 复合面板显示模组及其制造方法

[发明专利]具蚀刻停止层的磊晶结构及其制造方法-CN201110428930.3有效
发明人：武东星;洪瑞华;蔡宗晏 -专利权人：李德财
申请日： 2011-12-20 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种具蚀刻停止层的磊晶结构及其制造方法，所述制造方法包含以下步骤：首先，于一层第一基板上成长一图样化牺牲层，该第一基板部分面积露出，未受该图样化牺牲层遮盖，接着，于该第一基板部分露出面积与图样化牺牲层上，侧向磊晶成长一层暂时磊晶层，而后，于该暂时磊晶层上成长一层蚀刻停止层，再来，于该蚀刻停止层上成长一层磊晶结构层，通过该蚀刻停止层形成于该磊晶结构层的下方，因此，后续在蚀刻移除该图样化牺牲层、该暂时磊晶层时，不至过度蚀刻该磊晶结构层，进而维持光电元件品质。
蚀刻停止结构及其制造方法

[发明专利]磊晶晶片的制造方法及磊晶晶片-CN200580045209.9无效
发明人：高见泽彰一;佐山隆司 -专利权人：信越半导体股份有限公司
申请日： 2005-11-30 - 公布日： 2007-12-19 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：一种制造磊晶晶片的方法，至少包含以下的步骤：在具有初期厚度的磊晶用基板的表面上，使磊晶层生长至比最后目标磊晶层的厚度更厚的步骤(D)；对前述已生长的磊晶层进行平面磨削而平坦化的步骤(G)；以及研磨经前述平面磨削后的磊晶层的步骤优选是使用TTV(表示平坦度)为2微米以下的基板作为磊晶用基板，使磊晶层生长后，进一步含有：磨削该基板的斜角部的步骤(E)和研磨该经磨削的斜角部的步骤(E)。由此，可以提供一种技术，即使具有较厚的磊晶层时，亦能够以高生产力且低成本地制造磊晶层厚度均匀性优良的磊晶晶片。
晶片制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201210244579.7无效
发明人：谢炎璋 -专利权人：华夏光股份有限公司
申请日： 2012-07-13 - 公布日： 2014-01-29 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：形成第一磊晶结构在具有多个突起部的图案化基板上，且形成穿隧接面层在第一磊晶结构上。其中，第一磊晶结构因图案化基板而具有一特定数量的位错（dislocation），至少部份位错延伸向上而形成多个凹坑在第一磊晶结构的上表面，且凹坑位于第一磊晶结构上表面的分布密度大于1x108/平方厘米。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]固态半导体制作方法-CN201010513029.1无效
发明人：黄世晟;凃博闵;杨顺贵;黄嘉宏 -专利权人：展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司
申请日： 2010-10-21 - 公布日： 2012-05-16 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种固态半导体制作方法，包括步骤：提供一基板；在该基板上形成一缓冲层；在该缓冲层上形成一第一磊晶层；在该第一磊晶层上化学气相沉积一具有粗化表面的第二磊晶层；在该第二磊晶层的粗化表面上成长一固态半导体结构该种固态半导体制作方法能够降低磊晶差排密度，减少晶格缺陷。
固态半导体制作方法

[发明专利]LED磊晶结构-CN201110181775.X无效
发明人：林雅雯;黄世晟;凃博闵;黄嘉宏;杨顺贵 -专利权人：展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司
申请日： 2011-06-30 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明提供一种LED磊晶结构，包括一个基板、一个缓冲层以及一个磊晶层。所述缓冲层成长在所述基板的顶面，所述磊晶层成长在所述缓冲层的顶面。所述磊晶层包括一个第一N型磊晶层以及一个第二N型磊晶层，所述第一、二N型磊晶层之间形成一个阻挡层，所述阻挡层具有图型化沟槽设置，使所述第一、二N型磊晶层通过所述沟槽接触连接。所述第二N型磊晶层上依序成长一个发光层、一个P型磊晶层以及一个导电层。本发明并提供所述LED磊晶结构的制程。
led 结构

[发明专利]发光二极管及其制造方法-CN201010513624.5有效
发明人：黄世晟;凃博闵;杨顺贵;黄嘉宏 -专利权人：展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司
申请日： 2010-10-20 - 公布日： 2012-05-16 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：一种发光二极管，其包括一基板及生长于该基板上的若干磊晶结构，这些磊晶结构之间互不连接，以减小磊晶结构生长过程中的应力累积。一种发光二极管的制造方法，包括如下步骤：提供一基板；利用微影技术在基板的其中一表面上制造出图案化的阻挡层区域；对阻挡层区域进行氧化或氮化处理，以使基板对应阻挡层区域的部分被氧化或氮化形成一阻挡层；在基板上的该表面上生长磊晶结构，磊晶结构于阻挡层处不生长而使得基板的该表面上形成若干间隔的磊晶结构。与现有技术相比，本发明的发光二极管在基板上生长多个互不连接的磊晶结构，以减少在基板上生长一整片磊晶结构所带来的应力累积。
发光二极管及其制造方法

[发明专利]图案化基板及其构成的发光二极管-CN201010558981.3无效
发明人：武东星;洪瑞华;林威廷 -专利权人：萧介夫
申请日： 2010-11-25 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：一种图案化基板，由蓝宝石为主要材料，且具有一个顶面、数个由该顶面往下延伸且间隔排列的围绕面、数个分别连结围绕面下缘的基面，及数个分别自每一基面向上形成的凸柱，以该图案化基板向上磊晶形成于供电时发光的磊晶层体，及设置供电的电极单元而成的发光二极管，因该图案化基板的围绕面、基面与凸柱的配合，可得到较佳磊晶质量的磊晶层体，并可以改变该磊晶层体发出并向该图案化基板方向行进的光的行进方向，而有效提升发光二极管正向发光亮度
图案化基板及其构成发光二极管

[发明专利]磊晶用碳化硅基板及半导体芯片-CN201710812888.2有效
发明人：吴耀铨;陈柏霖;吴佩瑜;郭彦廷;庄志远;刘哲铭;施英汝;李奇泽 -专利权人：环球晶圆股份有限公司
申请日： 2017-09-11 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： H01L23/15 文献下载
摘要：本发明提供一种磊晶用碳化硅基板及半导体芯片，其中碳化硅基板具有一表面及自所述表面凸起形成的多个图案化结构，所述表面的晶面为(0001)面；所述图案化结构的宽度由下往上逐渐减小且形成倾斜的至少一侧面，侧面的晶面为碳化硅基板的顶部设置有一氮化镓磊晶层以构成所述半导体芯片。因此，氮化镓磊晶层的底部形成侧向延伸的差排缺陷，不易形成往上延伸的穿透差排缺陷，让氮化镓磊晶层具有良好的磊晶品质。
磊晶用碳化硅半导体芯片

[发明专利]声波元件改良结构、整合结构及其制造方法-CN201510776164.8有效
发明人：蔡绪孝;林瑞钦;廖珮淳;林正国;覃永忠 -专利权人：稳懋半导体股份有限公司
申请日： 2015-11-13 - 公布日： 2018-09-14 - 主分类号： H03H9/17 文献下载
摘要：本发明的整合结构，包括：化合物半导体磊晶基板、形成于该化合物半导体磊晶基板的第一侧之上的功率放大器上层结构以及形成于该化合物半导体磊晶基板之第二侧之上的薄膜体声波共振器，其中化合物半导体基板及形成于该化合物半导体基板之上的磊晶结构构成该化合物半导体磊晶基板；其中该化合物半导体磊晶基板的第一侧以及该功率放大器上层结构构成功率放大器；该化合物半导体磊晶基板的第二侧以及该薄膜体声波共振器构成声波元件。本发明可缩小元件体积、最佳化该功率放大器及该声波元件的阻抗匹配以及减少信号的损耗。
声波元件改良结构整合及其制造方法

[发明专利]发光二极管及其制造方法-CN200510075269.7有效
发明人：武良文;陈铭胜;简奉任 -专利权人：璨圆光电股份有限公司
申请日： 2005-06-09 - 公布日： 2006-12-13 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种发光二极管是由基板以及位于基板上的磊晶结构所构成，且磊晶结构的表面具有数个传质化图案，这些传质化图案是通过传质方法使磊晶结构原有的粗糙表面形变而成的，其中传质化图案的表面形态比磊晶结构的原有表面的表面形态拥有更为平缓且圆融的表面，以增加发光二极管的光取出效率，并减少发光二极管表面粗化或图案所造成仪器判别元件位置困难的问题。
发光二极管及其制造方法

[发明专利]磊晶基板及液相磊晶生长方法-CN200710139910.8有效
发明人：樋口晋;川崎真 -专利权人：信越半导体股份有限公司
申请日： 2007-08-03 - 公布日： 2008-02-06 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种磊晶基板，是通过液相磊晶生长方法在基板上层积磊晶层而成的磊晶基板，其层积在上述基板上的磊晶层中的碳浓度轮廓，与基于由碳制成的用以保持溶剂的治具供给而得到的碳浓度的±50％的浓度轮廓交叉。由此，可以提供一种磊晶基板及液相磊晶生长方法，该磊晶基板具有被调整后的任意的碳浓度轮廓，而不是通过治具的自动掺杂所产生的固定的碳浓度轮廓。
磊晶基板液相磊晶生长方法

[发明专利]氮化镓磊晶生长方法-CN201410116061.4在审
发明人：郑克勇;王佑立;杨伟臣;邱绍谚 -专利权人：郑克勇
申请日： 2014-03-26 - 公布日： 2015-09-30 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化镓磊晶生长方法，其包含：提供半导体积层或异质基板；形成位于该半导体积层或该异质基板上的平台；在该半导体积层或该异质基板上形成纳米柱或纳米洞；以及在该半导体积层或该异质基板上形成异质磊晶区域采用纳米等级的图案化工序，氮化镓磊晶层的差排缺陷密度可进一步降低。纳米级图案化工序，都已验证于蓝宝石基板上可有效降低GaN磊晶层的差排缺陷密度。本发明将借软模NIL图案化已于GaAs基板上实现InAs量子点的均匀沉积与控位。将应用NIL，辅以干式蚀刻，于异质基板上，进行纳米级图案化，从而利用非平面基板来控制、沉积III-N的磊晶结构，抑制差排缺陷密度向上延伸，预期将可获得低缺陷密度。
氮化镓磊晶生长方法

[发明专利]LED的基板重制方法-CN201210314108.9无效
发明人：施佳贤;詹博筌 -专利权人：荣易化学有限公司
申请日： 2012-08-30 - 公布日： 2013-03-13 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种LED的基板重制方法，其利用电浆蚀刻技术去除成长在基板上的不良磊晶层，基板包含素基板及已奈米图案化的基板，电浆蚀刻技术可透过电浆蚀刻设备实现，其中电浆蚀刻设备使用有适当的气体，以及将反应温度及功率控制于特定范围内，接着再透过清洗处理，即可将成长不良的磊晶层完全去除，不良的磊晶层完全去除后，基板则可回复原状，因此可在基板上再次成长磊晶层，藉以有效提升蓝宝石基板的利用率，节省原料成本并可提升产品良率。
led 基板重制方法

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