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[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201910659564.9在审
发明人：叶凌彦;卡罗司·迪亚兹 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-07-22 - 公布日： 2020-02-11 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：所述堆叠包括多个第一磊晶层和多个第二磊晶层，此些第一磊晶层和此些第二磊晶层彼此交替地堆叠。第一磊晶层包括硫、磷、硒、砷或上述的组合。对堆叠进行第一蚀刻制程，以形成鳍。介电层形成于鳍上方。使用碳氢化合物化学蚀刻法，对鳍的通道区中的第一磊晶层的每一者的第一部分进行第二蚀刻制程。第二蚀刻制程蚀刻第一磊晶层的蚀刻速率高于第二蚀刻制程蚀刻第二磊晶层的蚀刻速率。形成栅极结构，此栅极结构环绕鳍的通道区中的第二磊晶层的每一者的第一部分。
磊晶层蚀刻蚀刻制程堆叠通道区栅极结构半导体装置化学蚀刻法碳氢化合物介电层基材环绕暴露制造

[发明专利]微发光二极管阵列基板的制作方法-CN201910238711.5有效
发明人：田婷;窦树谦;傅晓亮;邓立广;周大勇;范志强;韩永杰;张亚文;王忠俊;张东;刘宇;李哲然;金亨奎 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司
申请日： 2019-03-27 - 公布日： 2020-07-31 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了微发光二极管阵列基板的制作方法。该方法包括：提供基板，基板上具有多个阵列排布的像素单元，像素单元包括多个用于承接不同颜色微发光二极管的子像素区域，不同颜色的微发光二极管的磊晶层厚度不同；提供第一基板，第一基板上具有多个阵列排布且颜色相同的微发光二极管，并将第一基板上的微发光二极管整体转移到基板上与微发光二极管颜色相同的子像素区域处；按照微发光二极管磊晶层厚度依次增大的顺序，多次重复转移第一基板上微发光二极管的步骤，直至像素单元中的多个子像素区域均设置有颜色与之对应的微发光二极管由此，该方法具有效率高的优点，由该方法制作出的微发光二极管阵列基板可以实现彩色化显示。
发光二极管阵列制作方法

[发明专利]半导体装置和其形成方法-CN202110280302.9在审
发明人：唐瀚楀;张宏台;游明华;杨育佳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-03-16 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：一种半导体装置和其形成方法，半导体装置包括从基板延伸的第一鳍片、在第一鳍片上且沿着第一鳍片的侧壁的第一栅极堆叠、沿着第一栅极堆叠的侧壁配置的第一栅极间隔物以及在第一鳍片中且邻近第一栅极间隔物的第一磊晶源极/漏极区域，第一磊晶源极/漏极区域的外表面在第一平面具有多于八个晶面，第一平面正交于基板的顶表面。
半导体装置形成方法

[发明专利]纳米线堆叠栅极全环绕元件及制造方法、及半导体结构-CN201910329043.7有效
发明人：王梓仲;郑兆钦;陈自强;李东颖 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-04-23 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种半导体结构包括基板、垂直堆叠于基板之上的多个单独半导体纳米线条、邻接多个单独半导体纳米线条中的每一者且侧向接触多个单独半导体纳米线条中的每一者的半导体磊晶区域、至少部分地在多个单独半导体纳米线条之上的栅极结构以及侧向位于半导体磊晶区域与栅极结构之间的介电结构
纳米堆叠栅极环绕元件制造方法半导体结构

[实用新型]氮化镓基LED的发光装置-CN02292591.0无效
发明人：洪详竣;黄振斌 -专利权人：炬鑫科技股份有限公司
申请日： 2002-12-26 - 公布日： 2003-12-17 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种氮化镓基LED的发光装置，系利用光的来回共振，刺激量子井内电子与电洞再结合的速率，以提升氮化镓基LED的发光效率；包括一基板、一n－GaN基的磊晶沉积层、一多量子井的活性层、一p－型布拉格反射镜(DBR)、一p－GaN基的磊晶沉积层、一n型金属电极、及一p型金属电极，且基板底部并设有一金属反射层，具有成本较低及易于制造等特性。
氮化 led 发光装置

[发明专利]形成复数个半导体发光装置的方法-CN201210056945.6无效
发明人：洪瑞华;卢怡安 -专利权人：华夏光股份有限公司;财团法人成大研究发展基金会
申请日： 2012-03-06 - 公布日： 2013-01-23 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种形成复数个半导体发光装置的方法，包含：形成磊晶结构于第一暂时基材上，其中磊晶结构具有第一型掺杂层、发光层、第二型掺杂层；以第一粘着层将第二暂时基材耦接至磊晶结构的上表面；移除第一暂时基材，以暴露出磊晶结构的底面；以第二粘着层将永久半导体基材耦接至磊晶结构的底面；移除第一粘着层与第二暂时基材；在永久半导体基材上的磊晶结构，形成复数个半导体发光装置。该方法可以提高由磊晶结构所制成的发光二极管的发光效率。
形成复数半导体发光装置方法

[发明专利]发光薄膜、发光阵列薄膜、微发光二极管阵列与其制法-CN202110529706.7在审
发明人：林清富;黄容宽;黄腾毅;林仪姗;蔡涵宇 -专利权人：林清富
申请日： 2021-05-14 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L33/50 文献下载
摘要：在一个实施例中，在基板上形成磊晶层，以及在磊晶层上形成薄膜转换层。可通过微影制程(lithography)定义像素，像素的尺寸可以非常小。此制造方法不需要巨量转移。
发光薄膜阵列发光二极管与其制法

[发明专利]微型发光元件显示装置-CN201911391953.4有效
发明人：吴志凌;陈彦烨;苏义闵;史诒君;吴柏威;罗玉云;林映廷;林子旸 -专利权人：錼创显示科技股份有限公司
申请日： 2019-12-30 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： G09F9/33 文献下载
摘要：本发明提供一种包括电路基板、多个微型发光元件、第一型共电极层以及第二型共电极层的微型发光元件显示装置被提出。这些微型发光元件设置于电路基板上，且各自包括磊晶结构以及分别设置于磊晶结构的相对两侧表面上的第一型电极与第二型电极。第一型共电极层设置于电路基板上，且直接覆盖这些微型发光元件的多个第一型电极。
微型发光元件显示装置

[发明专利]一种发光器件及其制备方法、显示装置-CN202210179662.4在审
发明人：王飞;梁轩;王明星;齐琪;杨明坤;董学 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2022-02-25 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L33/08 文献下载
摘要：本公开实施例提供一种发光器件及其制备方法、显示装置，其中，该发光器件包括：第一金属层；第一磊晶结构，位于第一金属层的一侧；第二磊晶结构，位于第一磊晶结构的背离第一金属层的一侧；第二金属层，位于第一磊晶结构与第二磊晶结构之间，第二金属层具有镂空部；透明导电层，位于第二磊晶结构的背离第一金属层的一侧。
一种发光器件及其制备方法显示装置

[发明专利]半导体元件的结构及其制造方法-CN01144503.3有效
发明人：詹光阳;刘慕义;范左鸿;叶彦宏;卢道政 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2001-12-18 - 公布日： 2003-07-02 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：接着，在沟渠中形成第一磊晶层，再在第一磊晶层中形成源/漏极掺杂区。然后，在基底与第一磊晶层上形成第二磊晶层，再在第二磊晶层上形成栅极。其后，以栅极为罩幕进行离子植入步骤，以在第二磊晶层中形成延伸掺杂区，再进行快速热回火步骤，以使源/漏极掺杂区以及延伸掺杂区形成源/漏极。
半导体元件结构及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其应用-CN200810005300.3有效
发明人：刘人诚;杨敦年;洪志明;王文德;庄俊杰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2008-02-27 - 公布日： 2008-10-08 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：此半导体装置包括半导体基材、形成于半导体基材上的第一磊晶半导体层、形成覆盖在第一磊晶半导体层上的第二磊晶半导体层、以及位在第二磊晶半导体层上的影像感测器。其中第一磊晶半导体层具有第一型掺质及第一掺质浓度，而第二磊晶半导体层则具有第一型掺质及浓度低于第一掺质浓度的第二掺质浓度。
半导体装置及其应用

[发明专利]具有电流阻塞结构的四元系垂直发光二极管及其制备方法-CN201010260023.8有效
发明人：许亚红;蔡家豪;廖齐华;邱姝颖;陈文欣;邱树添 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2010-08-23 - 公布日： 2011-01-26 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：具有电流阻塞结构的四元系垂直发光二极管及其制备方法，分布布拉格反射层形成于衬底上，第一型磊晶层形成于分布布拉格反射层上，发光层形成于第一型磊晶层上，第二型磊晶层形成于发光层上，表面呈凹陷的十字交叉状扩展条的图形化GaP窗口层形成于第二型磊晶层上；第一电极形成于图形化GaP窗口层正上方，第一电极与图形化GaP窗口层呈中空电流阻塞结构；第二电极形成于衬底背面。本发明完成常规工艺后，采用第一电极与图形化GaP窗口层形成以空气为介质的中空电流阻塞结构，以改变电流从发光层到达表面扩展层的方向，将更多的电流从GaP窗口层四周扩展后汇集至电极，使发光二极管比采用公知技术的二极管的发光效率提高
具有电流阻塞结构四元系垂直发光二极管及其制备方法

[实用新型]连接夹具及磊晶生长装置-CN202120149665.4有效
发明人：游中佑 -专利权人：泉芯集成电路制造(济南)有限公司
申请日： 2021-01-19 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： C30B23/02 文献下载
摘要：一种连接夹具及磊晶生长装置，涉及磊晶晶圆的制造设备技术。该连接夹具包括本体和至少两组呈间隔分布于本体上的驱动组件，本体用于连接于磊晶生长装置的下圆盖远离上圆盖的一端，驱动组件包括连接件和设于本体内的驱动件，其中，连接件被配置于磊晶生长装置的旋转升降机构上，且连接件的一端伸出于旋转升降机构之外并与驱动件传动连接该连接夹具能够便于对磊晶生长装置的升降旋转机构进行微调，从而调节晶圆在腔室内的位置，以利于磊晶膜的生长。该连接夹具能够便于对磊晶生长装置的升降旋转机构进行微调，从而调节晶圆在腔室内的位置，以利于磊晶膜的生长。
连接夹具生长装置

[发明专利]一种micro LED芯片制程方法及micro LED外延片-CN201980003325.6在审
发明人：杨顺贵;黄嘉宏;林雅雯;黄国栋 -专利权人：重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请日： 2019-12-16 - 公布日： 2020-06-26 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本申请涉及一种micro LED芯片制程方法及micro LED外延片，所述方法包括：在生长基底上每颗micro LED芯片的生长区域涂布光阻剂；在所述生长区域的边界生长磊晶隔绝墙；将所述生长基底上的所述光阻剂去除，留下所述磊晶隔绝墙；在所述生长区域内生长第一半导体层、发光层、第二半导体层，得到micro LED磊晶；按照所述磊晶隔绝墙对所述生长基底进行切割，得到至少两颗micro LED磊晶。通过本申请中对芯片的生长区域之间设置磊晶隔绝墙并按照磊晶隔绝墙进行切割，避免直接对生长完成的外延片切割导致原子断键的产生，提高了电子电洞复合效率。
一种 micro led 芯片方法外延

[发明专利]发光二极管组件及其制造方法-CN03102571.4有效
发明人：潘锡明;蔡政达;涂如钦;许荣宗 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2003-02-12 - 公布日： 2004-08-18 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种发光二极管组件及其制造方法，系先于一基板表面形成具有斜面之氮化镓混成厚膜，利用氮化镓磊晶的特性自然形成磊晶斜面，再于氮化镓混成厚膜上成长发光二极管结构以形成发光二极管组件，可有效简化其制造过程；本发明系应用氮化镓之厚膜磊晶特性来制作各种具多边斜面与不同结构的发光二极管组件晶粒，由于晶粒出光的表面积增大，而且多边斜面减少内部全反射的机率，此发光二极管组件较习知氮化镓发光二极管组件具有较佳发光效率
发光二极管组件及其制造方法