专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]保护电路电路系统以及烹饪器具-CN201720458670.7有效
  • 姚斌;樊杜平;陈舒 - 浙江苏泊尔家电制造有限公司
  • 2017-04-27 - 2017-11-24 - H05B6/06
  • 本实用新型提供了一种保护电路电路系统以及烹饪器具,所述电路系统用于IH加热器,包括驱动电路,用于检测功率的电压,并根据所述电压确定最大导通时间;比较电路,用于比较当前电流与预设的最大电流;所述驱动电路,还用于在时长达到所述最大导通时间时,或,在所述比较电路确定所述当前电流大于所述最大电流时,将所述功率关闭。由此可见,本实用新型中,根据最大导通时间和预设的最大电流,由驱动电路控制功率的关断,实现了更精准的控制,有效地保护功率
  • 保护电路系统以及烹饪器具
  • [发明专利]具有高负电压的自举供电MOSFET/IGBT驱动线路-CN201310512956.5有效
  • 侯典立;张庆范;刘晓 - 山东大学
  • 2013-10-25 - 2014-01-22 - H02M1/08
  • 本发明公开了一种具有高负电压的自举供电MOSFET/IGBT驱动线路,包括:上位功率M1驱动电路和下位功率M2驱动电路,上位功率M1驱动电路包括:自举供电线路、上位推挽驱动线路、上位负压生成线路和上位保护线路;下位功率M2驱动电路包括:低压直流稳压电源、下位推挽驱动线路、下位负压生成线路和下位保护线路;本发明有益效果:解决了传统自举供电基础上难以实现负电压关断问题,以及传统负压不够稳定,随着功率增大负压减小的问题;既保证了线路的简洁性,又能保证功率的可靠关断。
  • 具有电压供电mosfetigbt驱动线路
  • [实用新型]具有高负电压的自举供电MOSFET/IGBT驱动线路-CN201320666507.1有效
  • 侯典立;张庆范;刘晓 - 山东大学
  • 2013-10-25 - 2014-04-09 - H02M1/08
  • 本实用新型公开了一种具有高负电压的自举供电MOSFET/IGBT驱动线路,包括:上位功率M1驱动电路和下位功率M2驱动电路,上位功率M1驱动电路包括:自举供电线路、上位推挽驱动线路、上位负压生成线路和上位保护线路;下位功率M2驱动电路包括:低压直流稳压电源、下位推挽驱动线路、下位负压生成线路和下位保护线路;本实用新型有益效果:解决了传统自举供电基础上难以实现负电压关断问题,以及传统负压不够稳定,随着功率增大负压减小的问题;既保证了线路的简洁性,又能保证功率的可靠关断。
  • 具有电压供电mosfetigbt驱动线路
  • [发明专利]一种低损耗馈能式箝位电路及驱动控制方法-CN201010133478.3无效
  • 袁义生 - 华东交通大学
  • 2010-03-26 - 2010-08-04 - H02M3/07
  • 一种低损耗馈能式箝位电路及驱动控制方法,电路由箝位二极管、缓冲电容和含辅助功率的单开关直流变换器组成,箝位二极管的阳极接被保护功率的漏极,箝位二极管的阴极接缓冲电容的一端,缓冲电容的另一端和被保护功率的源极相连,缓冲电容与单开关直流变换器的输入端连接,单开关直流变换器的输出接装置的直流吸收环节;方法为检测箝位电压幅值,仅当其上升到大于上限电压后,辅助功率与主功率同时开关,直至其下降到小于下限电压;而其它时间辅助功率关断本发明既可将受保护功率的关断电压有效箝位;又可将缓冲电容中的能量以较小的损耗回馈到电路的直流侧,简单易行,可提高高频电力电子装置的开关频率,降低电路损耗。
  • 一种损耗馈能式箝位电路驱动控制方法
  • [发明专利]一种自带短路保护功率MOSFET-CN202011419731.1在审
  • 钟任生 - 华羿微电子股份有限公司
  • 2020-12-07 - 2021-03-19 - H02H7/20
  • 本发明涉及功率MOSFET的技术领域,更具体的涉及一种自带短路保护功率MOSFET,其包括主功率,其为双源极功率MOSFET,所述双源极功率MOSFET包括第一源极和第二源极;短路保护电路,其通过所述第二源极、双源极功率MOSFET的栅极与所述双源极功率MOSFET连接;其中,所述第一源极为双源极功率MOSFET向外引出的源极。本发明在主功率的源极和栅极连接短路保护电路,其采用的短路保护电路能快速切断主功率的栅极的驱动电流,极大地提高了安全性能。
  • 一种短路保护功率mosfet
  • [发明专利]LDO折返限流保护电路及芯片-CN202310147444.7在审
  • 姚井淳;李红艳 - 拓尔微电子股份有限公司
  • 2023-02-21 - 2023-05-02 - G05F1/56
  • 本申请提供一种LDO折返限流保护电路及芯片,包括LDO功率、采样电路及折返限流电路,LDO功率与输入电压连接,LDO功率具有电压输出端,电压输出端用于向外部负载提供输出电压;采样电路与输入电压及LDO功率连接,采样电路具有采样输出端,采样电路根据流过LDO功率的负载电流生成采样电流;折返限流电路与采样输出端及电压输出端连接,折返限流电路用于在采样电流高于阈值电流,将负载电流限制至第一预设电流,折返限流电路还用于在输出电压低于阈值电压该设计能够在负载电流过大或输出电压过低时对LDO自身电路及后级负载电路起到良好的保护作用。
  • ldo折返限流保护电路芯片
  • [发明专利]H桥驱动电路、控制方法及驱动电机-CN202010316415.5有效
  • 张长洪;袁莹莹 - 圣邦微电子(北京)股份有限公司
  • 2020-04-21 - 2022-11-29 - H02M3/158
  • 本发明公开了一种H桥驱动电路、控制方法及驱动电机,驱动电路包括两路相同的驱动模块,每路驱动模块均包括串联于第一电源端与接地端之间的上功率和下功率,以及第一驱动控制模块和第二驱动控制模块,所述第一驱动控制模块分别与所述上功率的栅极和源极连接,接收外部控制信号,并根据外部控制信号和所述上功率的源极电压调节所述上功率的栅极电压,所述第二驱动模块与所述下功率的栅极连接,用于控制所述下功率在所述上功率的关断状态下导通,其中,在所述上功率关断状态下,所述上功率的栅极与源极之间的电压差恒定。该桥驱动电路实现了功率关断状态下H的安全保护
  • 驱动电路控制方法电机
  • [实用新型]升压电路、电源模块及电子设备-CN202221730881.9有效
  • 刘迪吉 - 广州视源电子科技股份有限公司;广州视琨电子科技有限公司
  • 2022-07-06 - 2023-03-03 - H02H3/08
  • 本实用新型涉及一种升压电路、电源模块以及电子设备,升压电路包括电源输入端、电源输出端、升压模块、功率开关模块、功率理模块、采样模块和短路保护模块;功率开关模块和采样模块的连接处形成采样节点;功率理模块的功率控制端与第一开关的第一受控端连接;短路保护模块的输入端与采样节点连接,其输出端与功率理模块的第一采样端连接,若短路保护模块接收到采样节点处的短路信号时,将短路信号转换传输至功率理模块的第一采样端,功率理模块接收短路信号时,生成第一调节信号输出至第一开关的第一受控端该升压电路能够在出现短路时及时关断功率开关模块减少电量输出。
  • 升压电路电源模块电子设备
  • [发明专利]一种可调节限流保护电路-CN201610178174.6有效
  • 王彬;王利;潘福跃;宣志斌;李现坤 - 中国电子科技集团公司第五十八研究所
  • 2016-03-25 - 2018-07-20 - H02H9/02
  • 本发明涉及一种可调节限流保护电路。可调节限流保护电路中包括片上的限流保护电路和片外的限流电阻。片上的限流保护电路包括误差放大器、功率、采样管、开关管、电流镜电路和运算放大器结构。由片外的限流电阻决定极限电流的大小,当流过功率的电流较小使采样电流小于极限电流时,开关管处于截止状态,保护电路未启动。当流过功率的电流较大使采样电流大于极限电流时,开关管处于导通状态,保护电路启动使功率截止,输出电流减小起到保护电路的作用。通过调节片外限流电阻来调节极限电流,与采样电流相比较来控制开关管导通或关断,从而控制限流保护电路打开或关断。本发明具有极限电流可调,结构简单、灵活简便、实用性强的特点。
  • 一种调节限流保护电路
  • [发明专利]一种新型低电压高频带逆变电路-CN202010388255.5在审
  • 周文华;闫兴浩;王笑;纵金龙;鲍俊杰 - 上海紫通信息科技有限公司
  • 2020-05-09 - 2020-09-01 - H02M7/537
  • 本发明公开了一种新型低电压高频带逆变电路。R4;所述运放工作电源V+接入三极管D3发射极,其基极与通过电阻、稳压管、电容形成的参考电压相连接;所述运放电源生成三极管D3集电极与限流电阻R9、驱动电阻R7形成串联关系,两电阻分压后经限流电阻接入功率D2栅极;所述PNP三极管、限流电阻R10、取样电阻R11构成功率回路,用于功率D2的实时保护。本发明用全新的逆变控制思路,通过合理的参数设计,能使回路提供几百伏安的功率输出,且频率响应速度快,结构简单、调试方便等优点。
  • 一种新型电压频带电路
  • [实用新型]一种新型低电压高频带逆变电路-CN202020754573.4有效
  • 周文华;闫兴浩;王笑;纵金龙;鲍俊杰 - 上海紫通信息科技有限公司
  • 2020-05-09 - 2021-10-22 - H02M7/537
  • 本实用新型公开了一种新型低电压高频带逆变电路。R4;所述运放工作电源V+接入三极管D3发射极,其基极与通过电阻、稳压管、电容形成的参考电压相连接;所述运放电源生成三极管D3集电极与限流电阻R9、驱动电阻R7形成串联关系,两电阻分压后经限流电阻接入功率D2栅极;所述PNP三极管、限流电阻R10、取样电阻R11构成功率回路,用于功率D2的实时保护。本实用新型用全新的逆变控制思路,通过合理的参数设计,能使回路提供几百伏安的功率输出,且频率响应速度快,结构简单、调试方便等优点。
  • 一种新型电压频带电路

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