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[发明专利]双向分断的桥式断路器及其使用方法-CN201510916224.1在审
发明人：杨飞;荣命哲;纽春萍;吴益飞;张含天;胡杨;赵展 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2015-12-10 - 公布日： 2016-02-24 - 主分类号： H02H9/02 文献下载
摘要：一种双向分断的桥式断路器及其使用方法，桥式断路器包括主电流电路、转移电流电路、过电压限制电路以及第一接入端(S1)和第二接入端(S2)，所述第一功率半导体器件(A1)与第四功率半导体器件(A4)串联形成的转移电流电路第一支路与所述主电流电路并联，所述第二功率半导体器件(A2)与所述第三功率半导体器件(A3)串联形成的转移电流电路第二支路与所述主电流电路并联；所述功率半导体器件(A0)为双向导通的功率半导体器件，第一、第二、第三、第四和第五功率半导体器件(A1、A2、A3、A4、A5)为单向导通的功率半导体器件，所述功率半导体器件(A0)和所述第五功率半导体器件(A5)可关断电流。
双向断路器及其使用方法

[发明专利]功率半导体模块-CN201310488724.0有效
发明人：彼得·贝克达尔;于尔根·斯蒂格 -专利权人：赛米控电子股份有限公司
申请日： 2013-10-17 - 公布日： 2017-11-17 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本发明涉及一种功率半导体模块，该功率半导体模块具有基底，其中，该功率半导体模块具有第一和第二直流电压负载电流接头元件以及第一和第二功率半导体结构元件，并且该第一和第二功率半导体结构元件沿基底的横向的第一方向布置，其中，该功率半导体模块具有薄膜复合结构，该薄膜复合结构具有第一金属薄膜层和结构化的第二金属薄膜层以及布置在第一与第二金属薄膜层之间的电绝缘薄膜层，其中，第一功率半导体结构元件和第二功率半导体结构元件与薄膜复合结构并且与基底导电连接，其中，第一和第二功率半导体结构元件关于第一和第二直流电压负载电流接头元件布置在共同的侧上。本发明还提供了一种功率半导体模块，其具有感应特别低的结构。
功率半导体模块

[发明专利]开关单元及利用其切换多个电压水平的变换器电路-CN200810088475.5无效
发明人： P·巴博萨;P·斯泰默;T·乔德休里 -专利权人： ABB研究有限公司
申请日： 2008-03-31 - 公布日： 2008-10-01 - 主分类号： H02M1/00 文献下载
摘要：本发明涉及开关单元和利用其切换多个电压水平的变换器电路，开关单元有包括第一、第二、第三、第四、第五和第六可控双向功率半导体开关的开关组，第一与第二可控双向功率半导体开关反串联，第三与第四可控双向功率半导体开关反串联，电容器与第一和第二可控双向功率半导体开关的连接点及与第三和第四可控双向功率半导体开关的连接点连接，第五与第四可控双向功率半导体开关连接且与第一和第二可控双向功率半导体开关的连接点连接，第六与第二可控双向功率半导体开关连接且与第三和第四可控双向功率半导体开关的连接点连接设有第一和与之串联的第二电容性蓄能器，第一与第三可控双向功率半导体开关在第一和第二电容性蓄能器的连接点处相互连接。
开关单元利用切换电压水平变换器电路

[发明专利]电力转换装置-CN201380043814.7有效
发明人：堀内敬介;西原淳夫;中津欣也;桑野盛雄;原阳成 -专利权人：日立汽车系统株式会社
申请日： 2013-07-24 - 公布日： 2017-01-18 - 主分类号： H02M7/00 文献下载
摘要：一种电力转换装置，包括功率半导体组件(150a)；收纳上述功率半导体组件(150a)的流路形成体(20)；和将上述功率半导体组件(150a)固定于上述流路形成体(20)的盖(5)，上述功率半导体组件(150a)包括功率半导体元件、与上述功率半导体元件电连接的主端子(157b、158b)和收纳上述功率半导体元件的壳体，上述盖(5)形成有凹部(5c)和形成在上述凹部(5c)的底面部的开口(5a)，上述功率半导体组件(150a)配置成与上述凹部(5c)嵌合，并且上述功率半导体组件(150a)以上述主端子(157b、158b)贯通上述开口(5a)的方式固定于上述盖(5)，在上述壳体与上述凹部(5c)的内壁之间形成气密结构，防止冷却剂向具有两面冷却结构的功率半导体组件的内部侵入和冷却剂向组件外部流出。
电力转换装置

[发明专利]功率半导体芯片以及用于制造功率半导体芯片的方法-CN201611035382.7有效
发明人： W·M·舒尔茨 -专利权人：赛米控电子股份有限公司
申请日： 2016-11-18 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：本发明涉及功率半导体芯片，其具有半导体部件主体(2)并且具有多层金属化部(10)，所述金属化部(10)布置在半导体部件主体(2)上并且具有布置在半导体部件主体(2)上方的镍层(6)。本发明还涉及用于制造功率半导体芯片(1)的方法。本发明还涉及功率半导体器件。本发明提供功率半导体芯片(1)，其具有金属化部(10)，在键合期间不设置有厚金属覆盖层的铜线(11)能够可靠地键合到所述金属化部(10)，而不损坏功率半导体芯片(1)。
功率半导体芯片以及用于制造方法

[发明专利]半导体装置-CN202110864330.5在审
发明人：皆川启 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2021-07-29 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H03K17/081 文献下载
摘要：本发明提供半导体装置，在用功率半导体开关元件构成的半导体装置中，高精度地检测各功率半导体开关元件的温度，并高效地收集所述温度的半导体装置。在具备多个功率模块的半导体装置中，输出各功率模块的警告信号的逻辑或作为外部警告信号，所述功率模块具有：功率半导体开关元件，其具备温度检测用二极管；以及驱动电路，其具备使所述功率半导体开关元件进行导通/关断动作的输出电路，并且如果所述温度检测用二极管的正向电压的值变为第一基准电压值以下，则输出用于提醒注意的警告信号，如果所述正向电压的值变为小于所述第一基准电压值的第二基准电压值以下，则输出用于使所述功率半导体开关元件的导通
半导体装置

[实用新型]功率半导体器件-CN202022541853.X有效
发明人：朱袁正;黄薛佺;杨卓;叶鹏 -专利权人：无锡新洁能股份有限公司
申请日： 2020-11-06 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体器件技术领域，具体公开了一种功率半导体器件，功率半导体器件被划分为终端区和元胞区，终端区环绕元胞区设置，其中，功率半导体器件包括第一MOSFET器件和第二MOSFET器件，第一MOSFET器件的源极与第二MOSFET器件的源极连接后作为功率半导体器件的源极，第一MOSFET器件的漏极和第二MOSFET器件的漏极连接后作为功率半导体器件的漏极，第一MOSFET器件的栅极作为功率半导体器件的第一栅极，第二MOSFET器件的栅极作为功率半导体器件的第二栅极，位于元胞区内的第一MOSFET器件的元胞的数量大于第二MOSFET器件的元胞的数量。本实用新型提供的功率半导体器件具有高可靠性的优势。
功率半导体器件

[发明专利]功率半导体模块及其使用寿命检测方法和逆变器装置-CN201911058848.9在审
发明人：李俊 -专利权人：富士电机(中国)有限公司
申请日： 2019-11-01 - 公布日： 2020-01-14 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明提供了一种功率半导体模块及其寿命检测方法和逆变器装置，包括：功率半导体器件；饱和压降检测单元，与所述功率半导体器件电性连接，以用于检测所述功率半导体器件的饱和压降V
功率半导体器件饱和压降饱和压降检测绝缘基板使用寿命提示信息焊锡层劣化升高功率半导体模块半导体器件逆变器装置电性连接寿命检测寿命提示芯片结合影响功率绑定线结合部铜底板检测电阻松脱剥离测算芯片

[发明专利]基于集成热电阻的半导体功率器件保护方法及电路-CN201810701262.9在审
发明人：金岩;阚啸;王文 -专利权人：西安翌飞核能装备股份有限公司
申请日： 2018-06-29 - 公布日： 2018-12-07 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了基于集成热电阻半导体功率器件的保护方法及电路，在线监测半导体功率器件的热电阻值，并将半导体器件的热电阻值与预设保护阈值进行比较；当热电阻值超过保护阈值时发出故障信号，并阻断半导体功率器件的开通信号和/或断开功率回路对其进行保护，通过在线监测全部半导体功率器件的热电阻值，实时与预设的保护阈值进行比较，实现了可针对应用中的任意一个半导体功率器件进行有效的温度保护；针对每一个半导体功率器件的集成热电阻进行监测，可保证远离散热器上的温度开关或温度计的半导体功率器件得到可靠的保护。
半导体功率器件热电热电阻在线监测预设电路散热器半导体器件功率回路故障信号开通信号温度保护温度开关温度计阈值时断开监测应用保证

[实用新型]用于功率半导体器件的控制器件-CN200920166723.3有效
发明人： M·卢舍 -专利权人： ABB瑞士有限公司
申请日： 2009-07-31 - 公布日： 2010-09-08 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：本实用新型公开一种用于功率半导体器件的控制器件。用于控制高电流的系统(300)提供有用于功率半导体器件(302)的控制器件(301)。控制器件(301)，特别是IGCT门极驱动器，设计成用于控制功率半导体器件(302)的电流流动并且包括用于连接控制器件(301)到功率半导体器件(302)的连接(303)。用于门极驱动器通过连接门极驱动器到晶闸管的多层连接来控制例如该晶闸管的功率半导体器件。该连接(303)设计成用于提供一定水平的电感以致不需要在功率半导体器件(302)周围增加缓冲器电路以限制在功率半导体器件(302)的关断时电压的升高使得功率半导体器件(302)不被破坏。
用于功率半导体器件控制器件

[实用新型]PIN针及半导体功率器件-CN201922267033.3有效
发明人：刘斌;朱贤龙;闫鹏修 -专利权人：广东芯聚能半导体有限公司
申请日： 2019-12-17 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： H01R12/57 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种PIN针及半导体功率器件。其中，PIN针包括：PIN针本体；底座，设置于PIN针本体的第一端，用于焊接固定于半导体功率器件的基板上，并与半导体功率器件内部导电件形成电连接；底座与PIN针本体一体成型。本实用新型通过在PIN针本体上设置一体成型的底座，可以直接通过底座固定于半导体功率器件的基板上，与半导体功率器件内部导电件形成电连接，无需额外通过连接针座进行安装固定，不容易因外力而分离，即使半导体功率器件工作发热，也不会使PIN针本体与底座分离，保证PIN针与半导体功率器件内部电路正确的电连接关系，提高半导体功率器件的可靠性。
pin 半导体功率器件

[实用新型]功率半导体模块及车辆-CN201920447732.3有效
发明人：李慧;张建利;韩寅平;严百强 -专利权人：比亚迪股份有限公司;深圳比亚迪微电子有限公司
申请日： 2019-04-03 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本公开涉及一种功率半导体模块及车辆，该模块包括功率半导体芯片和分别连接在该功率半导体芯片两侧的第一散热基板和第二散热基板，该模块还包括第一电气转接块，第一散热基板或第二散热基板上具有导电层，功率半导体芯片通过第一电气转接块与导电层相连通过在功率半导体芯片的两侧设置第一散热基板和第二散基板以实现对功率半导体芯片的双面散热，并且通过设置第一电气转接块和导电层的电连接，可以通过导电层使得功率半导体芯片完成和其他器件的电连接，从而取代现有的绑线实现功率半导体芯片的电连接
功率半导体芯片散热基板导电层转接电连接功率半导体模块两侧设置双面散热绑线基板

[实用新型]一种功率半导体器件安装结构-CN202122154224.6有效
发明人：赫金涛 -专利权人：杭州中恒电气股份有限公司
申请日： 2021-09-07 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： H05K1/18 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种功率半导体器件安装结构，包括功率半导体器件、散热金属体、导热粘接绝缘膜和PCB板；功率半导体器件的本体通过导热粘接绝缘膜粘接固定在散热金属体上；PCB板与散热金属体垂直设置，其中，PCB板与散热金属体之间设有绝缘条，散热金属体同时与绝缘条和PCB固定，且功率半导体器件的引脚穿过PCB板并固定。且功率半导体器件、散热金属体和导热粘接绝缘膜均为扁平结构，节约了空间；散热金属体、功率半导体器件和PCB板形成功率半导体模块形成功率半导体模块，使产品模块化，便于产品的组装、存储和管理。
一种功率半导体器件安装结构

[发明专利]功率半导体装置和半导体功率模块-CN202310804059.5在审
发明人：大塚拓一;岩桥清太;畑野舞子;渡边龙太;吉原克彦 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2018-05-10 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L23/14 文献下载
摘要：本发明提供功率半导体装置和半导体功率模块。该功率半导体装置具备平板状的厚铜基板、部分地配置在所述厚铜基板上的导电性的接合层、配置于所述接合层上的半导体功率器件、以及与所述半导体功率器件的电极电连接的外部连接用端子，所述厚铜基板的维氏硬度为50以下
功率半导体装置模块

[发明专利]功率半导体模块以及操作功率半导体模块的方法-CN201010610706.1有效
发明人： H·哈通;D·西佩 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2010-11-19 - 公布日： 2011-07-27 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本发明涉及功率半导体模块以及操作功率半导体模块的方法。本发明涉及功率半导体模块(100)，其包括被设置在绝缘载体(20)的金属化层(22)上的功率半导体芯片(8)。在连接位置(8c)处，连接导体(85)被接合至功率半导体芯片(8)的背离电路载体(2)的那一面。封装化合物(5)从电路载体(2)延伸至至少在功率半导体芯片(8)的背离电路载体(2)的那一面上，并完全覆盖所述面。此外，封装化合物至少在连接位置(8c)的区域中包围连接导体(85)。在功率半导体模块工作期间，功率半导体芯片(8)以至少20秒的持续时间工作在不低于150℃的结温度下。
功率半导体模块以及操作方法