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[发明专利]半导体激光器控制系统-CN201610998627.X在审
发明人：黄彩妹;钟绪浪;梁其能;朱正余;朱宝华;王瑾;高云峰 -专利权人：大族激光科技产业集团股份有限公司
申请日： 2016-11-11 - 公布日： 2018-05-25 - 主分类号： H01S5/042 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体激光器控制系统，包括上位机和多个半导体激光器模块，所述上位机连接多个半导体激光器模块，上位机用于接收外部控制指令并根据所述外部控制指令实时控制多个半导体激光器模块，以使不同数量的半导体激光器模块驱动对应的半导体激光器，获得不同的输出功率。上述半导体激光器控制系统通过上位机控制接收外部控制指令并实时控制多个半导体激光器模块，以使不同数量的半导体激光器模块驱动对应的半导体激光器，获得不同的输出功率，这样各个半导体激光器模块以模块化的形式往上扩展，能适用于大功率的半导体激光器，同时也可以兼容小功率半导体激光器，提高了系统的功率扩展性，对应用环境的适应性也随之增强。
半导体激光器模块半导体激光器外部控制指令控制系统上位机实时控制输出功率小功率半导体激光器上位机控制应用环境扩展性驱动模块化兼容

[发明专利]一种功率半导体器件浪涌电流承受能力检测系统及方法-CN201911137416.7在审
发明人：陈中圆;杨晓亮;李翠;陈艳芳;张西子;孙帅;李金元 -专利权人：全球能源互联网研究院有限公司;国网山东省电力公司电力科学研究院
申请日： 2019-11-19 - 公布日： 2020-03-27 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种功率半导体器件浪涌电流承受能力检测系统，其特征在于，所述系统包括：电源装置、辅助IGBT器件、辅助IGBT器件对应的驱动单元、被测功率半导体器件和被测功率半导体器件对应的驱动单元。本发明提供的技术方案能够准确快速的对被测功率半导体器件进行浪涌电流承受能力检测，满足了电力系统用功率半导体器件不同波形的浪涌电流测试需求。
一种功率半导体器件浪涌电流承受能力检测系统方法

[发明专利]一种压紧功率半导体器件的装置-CN201610790260.2有效
发明人：杨鸣峰 -专利权人：无锡康博瑞特电子科技有限公司
申请日： 2016-08-30 - 公布日： 2018-09-18 - 主分类号： H05K7/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种压紧功率半导体器件的装置，其安装及拆卸简便、压紧效果优良、性能可靠、成本低廉。其包括主壳体、压紧钢条，所述主壳体包括有散热器结构，所述主壳体的内腔设置有印刷电路板固定卡槽、功率半导体器件定位钩、压紧钢条定位凸起，所述压紧钢条定位凸起位于所述功率半导体器件定位钩的对应上方，所述压紧钢条定位凸起朝向功率半导体器件定位钩的端面、功率半导体器件定位钩的定位构端面之间的空间位置用于定位成排放置的功率半导体器件，所述压紧钢条为长排状结构，所述压紧钢条的两端部分别设置有定位凸起、功率半导体器件压着凸起。
一种压紧功率半导体器件装置

[实用新型]一种压紧功率半导体器件的装置-CN201621005448.3有效
发明人：杨鸣峰 -专利权人：无锡康博瑞特电子科技有限公司
申请日： 2016-08-30 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H05K7/20 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种压紧功率半导体器件的装置，其安装及拆卸简便、压紧效果优良、性能可靠、成本低廉。其包括主壳体、压紧钢条，所述主壳体包括有散热器结构，所述主壳体的内腔设置有印刷电路板固定卡槽、功率半导体器件定位钩、压紧钢条定位凸起，所述压紧钢条定位凸起位于所述功率半导体器件定位钩的对应上方，所述压紧钢条定位凸起朝向功率半导体器件定位钩的端面、功率半导体器件定位钩的定位构端面之间的空间位置用于定位成排放置的功率半导体器件，所述压紧钢条为长排状结构，所述压紧钢条的两端部分别设置有定位凸起、功率半导体器件压着凸起。
一种压紧功率半导体器件装置

[发明专利]功率变换器、短路保护电路与控制方法-CN201410293338.0有效
发明人：仲庆龙;李岩;甘鸿坚 -专利权人：台达电子企业管理（上海）有限公司
申请日： 2014-06-25 - 公布日： 2018-02-27 - 主分类号： H02H7/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种功率变换器、短路保护电路与控制方法。功率变换器用以产生输出电压，并包含功率半导体开关、短路保护电路与信号处理模块。功率半导体开关用以根据驱动信号调整输出电压。短路保护电路用以根据控制信号与功率半导体开关之一短路状态而产生短路保护信号。信号处理模块用以根据调变信号产生控制信号与驱动信号，并根据短路保护信号关断功率半导体开关。其中，调变信号与控制信号具有延迟时间，且功率半导体开关在延迟时间内为导通。本发明能提高功率变换器与功率半导体开关的可靠度。
功率变换器短路保护电路控制方法

[发明专利]一种功率半导体芯片的集成驱动模块及其封装方法-CN202211234490.2在审
发明人：董义卓;车黎明;雷光寅 -专利权人：复旦大学
申请日： 2022-11-14 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种功率半导体芯片的集成驱动模块，包括双面散热模块和集成在双面散热模块上的功率半导体芯片和驱动电路，双面散热模块包括上层散热板、下层散热板、位于上层散热板和下层散热板之间的垫块组件。其中驱动电路焊接在上层散热板的下表面，功率半导体芯片焊接在下层散热板的上表面，驱动电路的信号输出端通过导电材料连接至功率半导体芯片的栅极。该方案能够减小驱动电路和功率半导体芯片之间的寄生参数，提高功率半导体芯片的开关速度，降低损耗；能够对驱动电路和功率半导体芯片有效散热，提升了模块工作的可靠性，同时减小封装体积，提高了功率密度。
一种功率半导体芯片集成驱动模块及其封装方法

[发明专利]功率半导体封装器件及功率变换器-CN202110494785.2有效
发明人：陈东;石磊;刘云峰 -专利权人：华为数字能源技术有限公司
申请日： 2021-05-07 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本申请提供一种功率半导体封装器件。该功率半导体封装器件包括依次层叠的功率半导体晶圆、导热层和散热器，以及包裹和密封功率半导体晶圆和至少部分导热层的密封件。功率半导体封装器件还包括管脚，管脚包括包裹于密封件内的连接段，以及位于密封件之外的延伸段。连接段与功率半导体晶圆电连接，延伸段与散热器的第一外表面之间的最近距离，大于功率半导体晶圆的最高工作电压所对应的爬电距离。本申请还提供一种功率变换器。
功率半导体封装器件变换器

[发明专利]大功率半导体和散热器的组装结构-CN201510520942.7在审
发明人：冯文标 -专利权人：冯文标
申请日： 2015-08-21 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本发明涉及一种大功率半导体和散热器的组装结构，包括大功率半导体模块，所述大功率半导体模块包括印刷电路板以及设置在印刷电路板上的大功率半导体元件；散热器，所述散热器具有至少两个主散热鳍片，所述大功率半导体模块设置在相邻两个主散热鳍片之间；间隙填充层，所述间隙填充层设置在所述大功率半导体模块与主散热鳍片之间，所述间隙填充层与主散热鳍片的表面紧贴。在本发明中，由于将大功率半导体模块设置在散热器的主散热鳍片之间形成的容置空间内，并在大功率半导体模块和主散热鳍片之间设置间隙填充层，使大功率半导体模块所产生的热量能够快速的传导至散热器的主散热鳍片上并通过主散热鳍片快速的向外扩散
大功率半导体散热器组装结构

[发明专利]功率半导体装置和用于制造功率半导体装置的方法-CN201410446027.3有效
发明人：英戈·博根;马库斯·贝克;哈特姆特·库拉斯;亚历山大·波佩斯修;赖因哈德·赫尔德费尔 -专利权人：赛米控电子股份有限公司
申请日： 2014-09-03 - 公布日： 2019-01-08 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本发明涉及一种功率半导体装置和用于制造功率半导体装置的方法。该功率半导体装置具有功率半导体模块和冷却体，冷却体具有第一和第二冷却壳体构件，第一冷却壳体构件具有穿透过该第一冷却壳体构件的缺口，冷却板布置在缺口中，第一和第二冷却壳体构件具有的形状和相互之间的布置使得在冷却板的背离功率半导体器件的侧上构造出空腔本发明提供的功率半导体装置具有从功率半导体器件到功率半导体装置的能被液体流过的冷却体的良好的热传导，并且在功率半导体装置中冷却体是长期且稳定地密封的。
功率半导体装置用于制造方法

[发明专利]半导体装置、智能功率模块及电力转换装置-CN201610741974.4在审
发明人：米山玲;为谷典孝;松本学;竹本晴彦;吉田博;上甲基信 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2016-08-26 - 公布日： 2017-03-08 - 主分类号： H02M7/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体装置，目的在于得到一种使针对功率半导体元件的驱动或者保护动作的控制作出的规格变更变得容易的半导体装置。本发明的特征在于，具有功率半导体元件；所述功率半导体元件的主电极端子；传感器部，其发出与所述功率半导体元件的物理状态相对应的信号；传感器用信号端子，其与所述传感器部连接；驱动用端子，其供给用于对所述功率半导体元件进行驱动的电力；以及壳体，其收容所述功率半导体元件、所述主电极端子、所述传感器部、所述传感器用信号端子以及所述驱动用端子，所述传感器用信号端子以及所述驱动用端子设置为能够从所述壳体的外部进行接线。
半导体装置智能功率模块电力转换

[发明专利]半导体装置-CN201710992914.4在审
发明人：宫沢繁美 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2017-10-23 - 公布日： 2018-05-22 - 主分类号： H03K17/567 文献下载
摘要：本发明提供半导体装置，在使功率半导体元件导通的控制信号输入到了半导体装置时，将功率半导体元件导通而防止误工作。具备：功率半导体元件(210)，连接于高电位侧的第一端子(204)与低电位侧的第二端子(206)之间，根据栅极电位被控制为导通或截止；切断条件检测部(130)，检测从控制端子(202)输入且对功率半导体元件(210)进行控制的控制信号是否满足切断条件；第一开关元件(140)，相应于检测到控制信号满足切断条件这一情形，将功率半导体元件(210)的栅极电位控制为截止电位；功率半导体元件(210)的集电极电流的检测部
半导体装置

[发明专利]半导体装置及半导体系统-CN201510072617.9有效
发明人：岩水守生 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2015-02-11 - 公布日： 2019-05-28 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置，其通过不设置用于抵消温度特性的元件，而是以积极利用相反的温度特性使电流平衡的方式作用负反馈，从而校正并列连接多个半导体元件的情况下的元件间的偏差。栅极驱动电路经由连接到充电泵(CP)电路与功率半导体元件的栅极之间的电阻而将由CP电路升高的电压施加到功率半导体元件的栅极，使功率半导体元件可靠地处于导通状态。另一方面，在使功率半导体元件处于关断状态时，利用由控制电路输出的控制信号导通栅极驱动电路内的MOS开关并经由二极管放出功率半导体元件的栅极的电荷，从而使功率半导体元件可靠地处于关断状态。
功率半导体元件栅极驱动电路半导体装置关断状态温度特性半导体系统半导体元件二极管并列连接导通状态电流平衡电压施加方式作用控制电路控制信号电荷充电泵负反馈导通电阻校正抵消电路升高输出

[发明专利]用于保护半桥转换器的功率半导体的系统及方法-CN201980090977.8有效
发明人： J·莫兰德;S·莫洛夫 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2019-11-14 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H02M1/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于保护半桥转换器的至少两个功率半导体的系统，第一功率半导体的漏极连接到正电源，第一功率半导体的源极连接到负载和第二功率半导体的漏极，第二功率半导体的源极连接到负电源。根据本发明，由第一电流微分感测装置和第二电流微分感测装置感测经过第一功率半导体的电流，由第三电流微分感测装置和第四电流微分感测装置感测经过第二半导体的电流，当经过第一功率半导体的电流增加时第一电流微分装置提供正电压并且第二电流微分装置提供相反的负电压，当经过第二功率半导体的电流增加时第三电流微分装置提供正电压并且第四电流微分装置提供相反的电压，并且该系统在第一电流微分装置和第三电流微分装置提供相同符号的电压的情况下降低第一功率半导体的栅极上的电压，并且在第二电流微分装置和第四电流微分装置提供相同符号的电压的情况下降低第二功率半导体的栅极上的电压。
用于保护转换器功率半导体系统方法

[发明专利]半导体装置及使用该半导体装置的电力变换装置-CN200610110998.6有效
发明人：东克典;守田俊章;宝藏寺裕之;铃木和弘;佐藤俊也;大塚修 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2006-08-11 - 公布日： 2007-02-28 - 主分类号： H01L25/00 文献下载
摘要：一种半导体装置及使用该半导体装置的电力变换装置，该半导体装置具有：第1半导体元件群，其在第1电位与第3电位之间至少电连接有一个第1功率半导体元件；第2半导体元件群，其在第2电位与第3电位之间至少电连接有一个第2功率半导体元件；和第3半导体元件群，其在第1电位与第3电位之间至少电连接有一个第3功率半导体元件，其中第2半导体元件群配置在第1半导体元件群与第3半导体元件群之间。由此，提供能够兼备低电感与发热平衡的低损耗的半导体装置、及使用该半导体装置的电力变换装置。
半导体装置使用电力变换

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202310378053.6在审
发明人：山边翔太 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2023-04-07 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L23/10 文献下载
摘要：本发明获得一种半导体装置，其消除金属接合时产生的毛刺、污染物对部件安装面的影响，以小型、低成本实现功率半导体的冷却。本发明的半导体装置包括功率半导体；具有设置有所述功率半导体的第一表面和设置有散热部的第二表面的散热器；以及收纳有所述功率半导体和所述散热器的金属壳体，贯穿所述壳体，对所述壳体和所述散热器进行金属接合。
半导体装置及其制造方法