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[发明专利]三电平功率转换器半桥的操作方法及其控制装置-CN201811406128.2有效
发明人：英戈·拉布尔;约阿希姆·兰普 -专利权人：赛米控电子股份有限公司
申请日： 2018-11-23 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H02H7/122 文献下载
摘要：一种三电平功率转换器半桥的操作方法及其控制装置。控制装置具有：第一和第二启动装置，其生成用于启动第一和第二功率半导体开关的启动电压；第一过流检测装置，其当在第一功率半导体开关的接通状态下在第一功率半导体开关处施加的第一功率半导体开关电压超过第一电压值时生成第一过流信号在存在第一过流信号时第一启动装置生成断开第一功率半导体开关的第一启动电压。控制装置具有在第一功率半导体开关电压超过第二电压值时以第一功率半导体开关被操作于其线性操作中的方式启动第一功率半导体开关的第一线性操作启动装置。控制装置具有在接收到第一过流信号时使得第二启动装置生成断开第二功率半导体开关的第二启动电压的信号电路。
电平功率转换器操作方法及其控制装置

[发明专利]一种钝化层制造方法及高压半导体功率器件-CN201610704091.6在审
发明人：何延强;吴迪;刘钺杨;和峰;徐哲;金锐;温家良;潘艳 -专利权人：全球能源互联网研究院;国家电网公司;国网河北省电力公司
申请日： 2016-08-23 - 公布日： 2016-11-09 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明提供了一种钝化层制造方法及高压半导体功率器件，所述方法包括通过丝网印刷在高压半导体功率器件上涂覆聚酰亚胺胶；对聚酰亚胺胶进行前烘和固化形成聚酰亚胺保护层；高压半导体功率器件采用上述方法制造。与现有技术相比，本发明提供的一种钝化层制造方法及高压半导体功率器件，不仅提高了半导体功率器件钝化层制造的工作效率并降低了工作成本，还提高了高压半导体功率器件的工作稳定性。
一种钝化制造方法高压半导体功率器件

[发明专利]按照压力接触方式实施的功率半导体模块-CN201010004906.2有效
发明人：马库斯·克内贝尔;彼得·贝克达尔 -专利权人：赛米控电子股份有限公司
申请日： 2010-01-20 - 公布日： 2010-08-04 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：介绍了一种按照压力接触方式实施的功率半导体模块(10)，用于设置在冷却构件(12)上。该功率半导体模块(10)具有至少一个衬底(14)，在所述衬底(14)上设置有功率半导体器件(20)。压力装置(26)用于使所述功率半导体器件(20)在所述至少一个衬底(14)上压力接触导通，以及用于从所述衬底(14)至冷却构件(12)的导热。将所述压力装置(26)构造为主动式冷却装置(28)。在根据本发明的功率半导体模块中，对于功率半导体器件的冷却方案得到改善。
按照压力接触方式实施功率半导体模块

[发明专利]功率半导体装置-CN201310329025.1有效
发明人：菊池正雄 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2011-06-01 - 公布日： 2018-10-02 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供能够抑制装置大型化并且抑制电感增大的功率半导体装置。本发明的功率半导体装置具备功率半导体元件（4）；作为第1金属块的金属块（7），该金属块（7）通过选择性地形成于功率半导体元件（4）上表面的作为第1上表面电极图案的上表面电极图案（100）与功率半导体元件（4）连接；以及覆盖着功率半导体元件（4）与金属块（7）而充填的模树脂（9），金属块（7）其上表面从模树脂（9）表面露出。
功率半导体装置

[发明专利]功率半导体装置-CN201110158241.5有效
发明人：菊池正雄 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2011-06-01 - 公布日： 2011-12-07 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供能够抑制装置大型化并且抑制电感增大的功率半导体装置。本发明的功率半导体装置具备功率半导体元件(4)；作为第1金属块的金属块(7)，该金属块(7)通过选择性地形成于功率半导体元件(4)上表面的作为第1上表面电极图案的上表面电极图案(100)与功率半导体元件(4)连接；以及覆盖着功率半导体元件(4)与金属块(7)而充填的注塑树脂(9)，金属块(7)其上表面从注塑树脂(9)表面露出。
功率半导体装置

[实用新型]门极电阻可调整的功率半导体模块-CN201821378056.0有效
发明人：陈嵩 -专利权人：富士电机(中国)有限公司
申请日： 2018-08-24 - 公布日： 2019-02-01 - 主分类号： H02M1/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种门极电阻可调整的功率半导体模块，具有功率半导体芯片，所述功率半导体芯片的门极与驱动电路相连，所述驱动电路根据被提供的电平信号，调整所述功率半导体模块的门极电阻的大小，其特征在于，所述功率半导体模块具有：测定单元，该测定单元对所述功率半导体模块的开关速度进行测定；以及门极电阻调整单元，该门极电阻调整单元根据所述测定单元的测定值对所述门极电阻进行调整。
门极电阻功率半导体模块测定单元功率半导体芯片调整单元驱动电路可调整本实用新型电平信号门极

[发明专利]功率半导体封装体和用于制造功率半导体封装体的方法-CN202010841996.4在审
发明人：林维安;P·A·A·卡洛;谢丁顺;张翠薇;S·K·穆鲁甘;沈盈博;陈志文 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2020-08-20 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：一种功率半导体封装体包括：功率半导体芯片；电连接器，其布置在所述功率半导体芯片的第一侧处并包括耦合到所述功率半导体芯片的功率电极的第一表面；包封体，其至少部分地包封所述功率半导体芯片和所述电连接器，以及电绝缘层，其布置在所述电连接器的与所述第一表面相反的第二表面处，其中，所述包封体的部分和所述电绝缘层的部分形成所述功率半导体封装体的共面表面。
功率半导体封装用于制造方法

[发明专利]功率半导体器件的形成方法-CN201810651307.6在审
发明人：李述洲;王建平;张成方;刘道广;万欣;孙永生 -专利权人：重庆平伟实业股份有限公司;嘉兴奥罗拉电子科技有限公司
申请日： 2018-06-22 - 公布日： 2018-11-16 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种功率半导体器件的形成方法，包括：提供第一类型掺杂的半导体层，所述半导体层表面形成有栅极结构；在所述栅极结构两侧的半导体层内形成第二类型掺杂的体区；在所述体区之间的半导体层内形成载流子吸收区。所述功率半导体器件的形成方法所形成的功率半导体器件具有较高的抗SEGR能力。
功率半导体器件半导体层栅极结构掺杂的体区半导体层表面载流子吸收

[发明专利]半导体模块-CN03107319.0有效
发明人：宫本升 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2003-03-20 - 公布日： 2004-01-14 - 主分类号： H02M7/48 文献下载
摘要：本发明的课题是提供一种在内部具备开关半导体器件的半导体模块中使外部系统能够识别该开关半导体器件的功率损耗的技术。在半导体模块10的内部所具备的开关半导体器件11中，设置多个开关半导体元件。损耗运算部12以在电压测量部13测得的各开关半导体元件的电压和在电流测量部14测得的各开关半导体元件的电流为基础，求出在开关半导体器件11中产生的功率损耗。损耗运算部12将求得的表示功率损耗的损耗数据作为数据信号输出到半导体模块10的外部的电动机控制部82。电动机控制部82能够从损耗数据识别在开关半导体器件11中产生的功率损耗。
半导体模块

[实用新型]功率半导体组件以及电梯-CN201620946954.6有效
发明人：迫田友治 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2016-08-25 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种功率半导体组件以及具有该功率半导体组件的电梯。该功率半导体组件(100)包括设有功率半导体器件的半导体模块(102)；与所述半导体模块组装在一起，用以冷却所述半导体模块的散热器(104)；以及，充填在所述半导体模块和所述散热器之间的间隙中的导热膏(据此，不需要将半导体模块从散热器卸下，便能够从散热器的外部通过该注入孔直接向半导体模块和散热器之间的间隙补充导热膏。既可以省去拆装半导体模块的作业量和时间，又可以保证良好的散热效果。
功率半导体组件以及电梯

[发明专利]半导体模块-CN200810089665.9无效
发明人：马库斯·迈尔 -专利权人：西门子公司
申请日： 2008-04-11 - 公布日： 2008-10-15 - 主分类号： H01L23/34 文献下载
摘要：一种具有壳体的半导体模块，包含：功率半导体；散热器，该散热器抵靠在该功率半导体上，并且用于导散热损耗；以及弹簧部件，该弹簧部件支撑在该壳体和散热器之间，且设置在该散热器的远离于该功率半导体的侧面上，且向该功率半导体偏压该散热器
半导体模块

[发明专利]功率半导体器件以及制造方法-CN202010721771.5在审
发明人： F·施特雷布;A·毛德;S·平德尔;H-J·舒尔策 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2020-07-24 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01L23/482 文献下载
摘要：公开了功率半导体器件以及制造方法。提出了一种功率半导体器件(100)。功率半导体器件(100)包括半导体衬底(102)。功率半导体器件(100)进一步包括导电的第一层(104)。功率半导体器件(100)进一步包括导电的第二层(112)。导电的第二层(112)被布置在半导体衬底(102)和导电的第一层(104)之间。孔(108)被至少部分地填充有相变材料(110)。
功率半导体器件以及制造方法

[发明专利]一种半导体功率器件及其制备方法-CN202211095497.0在审
发明人：杜泽晨;杨霏;张文婷;刘瑞;安运来;牛喜平;桑玲;吴裔;田英杰 -专利权人：北京智慧能源研究院;国网上海市电力公司
申请日： 2022-09-06 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体功率器件及其制备方法，其中，半导体功率器件包括：半导体衬底层；第一漂移层，位于半导体衬底层上；第二漂移层，位于第一漂移层背离半导体衬底层的一侧表面，第二漂移层的导电类型和第一漂移层的导电类型相同本发明的半导体功率器件能够改善大功率半导体功率器件的导通性能。
一种半导体功率器件及其制备方法

[发明专利]半导体激光器的测试系统-CN201710121370.4在审
发明人：钟绪浪;朱宝华;王瑾;陆业钊;高云峰 -专利权人：大族激光科技产业集团股份有限公司
申请日： 2017-03-02 - 公布日： 2017-05-17 - 主分类号： G01M11/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体激光器的测试系统，包括若干个驱动模块，用于驱动若干个半导体激光器，以及主控模块，用于根据需要得到的激光功率和所述若干个半导体激光器各自的激光功率，给出所述若干个驱动模块的使能信号，以开启或关断各驱动模块，使得开启的驱动模块驱动的半导体激光器总的功率能达到所述需要得到的激光功率；该测试系统可以根据需要得到的激光功率和半导体激光器各自的激光功率，对多个半导体激光器进行组合，得到输出不同激光功率的半导体激光器，进而对其进行研发测试，无需为特定激光功率的半导体激光器单独设计对应的电源及控制系统，提高了研发效率。
半导体激光器测试系统

[发明专利]具有双向直流充放电和可变直流电压的电机控制器-CN201710360743.3在审
发明人：杜全辉;冯波;陈大见;王均彬 -专利权人：重庆凯瑞电动汽车系统有限公司
申请日： 2017-05-19 - 公布日： 2017-09-19 - 主分类号： H02P7/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有双向直流充放电和可变直流电压的电机控制器，包括储能装置、高压蓄电池，还包括第一功率半导体器件、第二功率半导体器件、第三功率半导体器件、第四功率半导体器件、第五功率半导体器件、第六功率半导体器件、第七功率半导体器件、第八功率半导体器件和控制处理器。
具有双向直流放电可变电压电机控制器