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[发明专利]功率半导体模块和驱动功率半导体模块的方法-CN201010502188.1有效
发明人： R·拜尔勒;T·斯托尔策 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2010-09-30 - 公布日： 2011-05-11 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：本发明涉及功率半导体模块和驱动功率半导体模块的方法。功率半导体模块包括壳体、至少一个陶瓷衬底、布置在壳体中的第一功率半导体芯片以及第二功率半导体芯片，第一功率半导体芯片是整流器电路的组成部分并且具有带有上部和下部芯片金属化部的第一半导体本体，第二功率半导体芯片是逆变器电路的组成部分并且具有带有上部和下部芯片金属化部的第二半导体本体与第一功率半导体芯片的上部和/或下部芯片金属化部分别紧邻有第一连接装置。与第二功率半导体芯片的上部和/或下部芯片金属化部分别紧邻有第二连接装置。在方法中，第一功率半导体芯片在阻挡层温度小于150℃的情况下运行，第二功率半导体芯片在阻挡层温度大于150℃的情况下运行。
功率半导体模块驱动方法

[实用新型]半导体模块-CN201220187652.7有效
发明人：板桥竜也;荻野博之 -专利权人：三垦电气株式会社
申请日： 2012-04-27 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：本实用新型提供能够仅通过引线框架来对功率半导体元件产生的热进行散热，具有简单的结构的半导体模块。本实用新型的半导体模块的特征在于，具有功率下垫板和传热下垫板，在功率下垫板上搭载功率半导体元件并配置为大致一条直线，传热下垫板与功率下垫板相邻并配置为大致直角状。另外，其特征在于，控制半导体元件为驱动半导体元件和控制性半导体元件，在驱动半导体元件上搭载有过热保护电路，且驱动半导体元件与功率半导体元件侧邻接配置。
半导体模块

[发明专利]多芯片半导体功率器件-CN201410104223.2在审
发明人：张翠薇;J.赫格劳尔;R.奥特伦巴;X.施勒格尔 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2014-03-20 - 公布日： 2014-09-24 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：一种多芯片半导体功率器件，该半导体器件包括：第一半导体功率芯片，其被安装在第一载体上方；以及第二半导体功率芯片，其被安装在第二载体上方。该半导体器件进一步包括：接触片，其被安装在第一半导体功率芯片的上方以及第二半导体功率芯片上。半导体逻辑芯片被安装在接触片的上方。
芯片半导体功率器件

[发明专利]功率半导体模块-CN201710652090.6有效
发明人： J.舒德雷;U.维穆拉帕蒂;M.贝里尼;J.沃贝基 -专利权人：奥迪股份公司;日立能源瑞士股份公司
申请日： 2017-08-02 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L23/14 文献下载
摘要：功率半导体模块（10）包含：至少一个功率半导体芯片（14），提供功率电子设备开关；和半导体晶圆（12），至少一个功率半导体芯片（14）结合至半导体晶圆（12）；其中，对半导体晶圆（12）进行掺杂，使得半导体晶圆（12）包含场阻塞区域（25）和场阻塞区域（25）上的导电区域（18），至少一个功率半导体芯片（14）结合至所述导电区域（18）。
功率半导体模块

[发明专利]一种功率半导体模块-CN201110224016.7有效
发明人：刘国友;覃荣震;黄建伟 -专利权人：株洲南车时代电气股份有限公司
申请日： 2011-08-05 - 公布日： 2011-11-16 - 主分类号： H01L23/52 文献下载
摘要：本发明提供了一种功率半导体模块，所述功率半导体模块从下至上依次包括金属板、功率半导体芯片和电极引出片；所述金属板用于承载功率半导体芯片，并为功率半导体芯片提供电流通路；所述电极引出片为复合母排或多层印制电路板，电极引出片上设有连接端子，用于与功率半导体芯片连接以实现功率半导体芯片的互连。本发明提供的功率半导体模块，为压接式封装结构，芯片直接设置于金属板上，然后通过电极引出片直接压在功率半导体芯片表面，实现芯片间互连，简化封装工艺，同时模块的可靠性得到保证。
一种功率半导体模块

[发明专利]换流臂、串联高压直流变压器及控制方法-CN201911130085.4有效
发明人：谢晔源;王宇;杨晨;张中锋;田杰 -专利权人：南京南瑞继保电气有限公司;南京南瑞继保工程技术有限公司
申请日： 2019-11-18 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： H02M1/32 文献下载
摘要：换流臂的首端连直流正极，尾端连直流负极，中点引出作为换流臂的交流端，换流臂包括至少一个耗能单元和至少一个均压单元；均压单元包括第一直流电容、第一功率半导体器件及串联连接的第三功率半导体器件和第四功率半导体器件，第三功率半导体器件另一端连接相邻均压单元的第三功率半导体器件和第四功率半导体器件的连接点或耗能单元；第一直流电容一端连接第三功率半导体器件和第四功率半导体器件的连接点，第一功率半导体器件一端连接第一直流电容另一端，第一功率半导体器件另一端连接第四功率半导体器件另一端，所有均压单元的第一功率半导体器件同向依次串联。
换流串联高压直流变压器控制方法

[发明专利]具有集成导电冷却通道的半导体-CN202010091182.3在审
发明人：理查德·马洛;克雷格·布莱恩·罗杰斯 -专利权人：福特全球技术公司
申请日： 2020-02-04 - 公布日： 2020-09-01 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本公开提供了“具有集成导电冷却通道的半导体”。一种半导体组件包括功率半导体、包含所述功率半导体的壳体以及导电通道。所述导电通道被布置为引导冷却剂通过所述壳体。因此，由所述功率半导体产生的热量可以被所述冷却剂吸收。所述导电通道还与所述功率半导体电连接以形成所述功率半导体的端子。
具有集成导电冷却通道半导体

[实用新型]一种功率半导体封装结构-CN201020632287.7有效
发明人：易长贵;廖根连;宋淑伟;罗建军;申亚锋 -专利权人：比亚迪股份有限公司
申请日： 2010-11-30 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： H01L23/15 文献下载
摘要：本实用新型属于半导体封装结构技术领域，公开了一种功率半导体封装结构，包括：陶瓷基板，所述陶瓷基板的上表面设置有至少一第一金属层；至少一个功率半导体芯片，所述功率半导体芯片的背面粘贴在第一金属层上，功率半导体芯片的正面引脚通过导线连接；设置有若干引脚的引线框架，该引线框架的不同引脚通过导线与功率半导体芯片的不同引脚连接；封装胶体，该封装胶体包覆各功率半导体芯片、各所述导线及各所述引脚的一部分。本实用新型实施例提供的一种功率半导体封装结构，功率半导体芯片的背面粘贴在第一金属层上，可以很好的散热，解决了功率半导体封装散热的问题。
一种功率半导体封装结构

[发明专利]半导体功率组件-CN200610200654.4无效
发明人：欧振忠 -专利权人：欧坚
申请日： 2006-07-04 - 公布日： 2008-01-09 - 主分类号： H01L23/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体功率组件，涉及半导体功率器件应用技术领域，它包括有半导体功率元件、绝缘片和散热器，所述半导体功率元件依次通过导热板、所述绝缘片与所述散热器连接，所述导热板为面积大于所述半导体功率元件金属散热面面积它与现有的半导体功率组件相比，可以解决半导体功率器件与散热器之间热阻过大的问题。
半导体功率组件

[实用新型]半导体功率组件-CN200620200589.0无效
发明人：欧振忠 -专利权人：欧坚
申请日： 2006-07-04 - 公布日： 2007-08-22 - 主分类号： H01L23/36 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种半导体功率组件，涉及半导体功率器件应用技术领域，它包括有半导体功率元件、绝缘片和散热器，所述半导体功率元件依次通过导热板、所述绝缘片与所述散热器连接，所述导热板为面积大于所述半导体功率元件金属散热面面积它与现有的半导体功率组件相比，可以解决半导体功率器件与散热器之间热阻过大的问题。
半导体功率组件

[发明专利]具有有源缓冲器的功率开关-CN201180009537.9有效
发明人： K.特里尔 -专利权人：维西埃-硅化物公司
申请日： 2011-02-16 - 公布日： 2012-10-31 - 主分类号： G11C5/14 文献下载
摘要：一种具有有源缓冲器的功率开关，依据第一实施例，该电子电路包括第一功率半导体器件，和被耦接到第一功率半导体器件的第二功率半导体器件。该第二功率半导体器件被配置成对抗第一功率半导体器件的振铃。
具有有源缓冲器功率开关

[发明专利]半导体装置、半导体系统以及形成半导体装置的方法-CN201610404516.1有效
发明人： E·菲尔古特;J·赫格尔 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2016-06-08 - 公布日： 2019-03-12 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本发明涉及半导体装置、半导体系统以及形成半导体装置的方法。提供了一种半导体装置。该半导体装置可以包括：具有表面的导电板；多个功率半导体器件，其布置在导电板的表面上，其中，该多个功率半导体器件中的每个功率半导体器件的第一受控端均可以电耦合至导电板；多个导电块，其中，每个导电块与该多个功率半导体器件中的每个功率半导体器件的相应的第二受控端电耦合；以及封装材料，其封装该多个功率半导体器件，其中，导电板的表面的至少一个边缘区域可以未被封装材料所封装。
半导体装置系统以及形成方法

[发明专利]用于估算功率模块的功率半导体器件的结温的方法和系统-CN202011339979.7在审
发明人：李制桓 -专利权人：现代自动车株式会社;起亚自动车株式会社
申请日： 2020-11-25 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明涉及用于估算功率模块的功率半导体器件的结温的方法和系统。所述方法包括：基于第一功率半导体器件的功率损耗和热阻来计算第一功率半导体器件的结温预测值，并且基于第二功率半导体器件的功率损耗和热阻来计算第二功率半导体器件的结温预测值。通过将温度传感器感测到的感测温度减去第一功率半导体器件的结温预测值来计算散热器的温度预测值。然后，通过将散热器的温度预测值与第二功率半导体器件的结温预测值相加来最终确定第二功率半导体器件的结温。
用于估算功率模块半导体器件方法系统

[发明专利]一种功率半导体器件的驱动保护电路及控制方法-CN202210506232.9在审
发明人：曾嵘;余占清;陈政宇;尚杰;赵彪;吴锦鹏;刘佳鹏;屈鲁 -专利权人：清华大学
申请日： 2022-05-11 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H03K17/082 文献下载
摘要：本发明提供了一种功率半导体器件的驱动保护电路及控制方法，包括开通及关断模块、静态保护单元和动态保护单元，开通及关断模块、静态保护单元和动态保护单元相互并联，均连接有功率半导体器件，且均设置在功率半导体的门极与阴极之间，动态保护单元还与功率半导体器件的阳极连接。本发明的驱动保护电路在功率半导体器件驱动完全失电期间、上电过程中及下电过程中实现功率半导体器件门极电位低于阴极，或实现门极与阴极之间电位差小于功率半导体门阴极导通电压，从而保证功率半导体器件可靠关断，从而保护功率半导体器件
一种功率半导体器件驱动保护电路控制方法

[发明专利]用于操作电路的方法以及电路-CN201410452981.3在审
发明人： J.扬宁 -专利权人：通用电气能源能量变换技术有限公司
申请日： 2014-09-05 - 公布日： 2015-03-18 - 主分类号： H02M5/458 文献下载
摘要：本发明公开一种用于操作电路的方法，其中提供包括四个功率半导体部件和一个电容器的模块化开关(21)。通过这种方法，第一功率半导体部件(V1)和第二功率半导体部件(V2)两者被切换成是传导的，并且第三功率半导体部件(V3)和第四功率半导体部件(V4)两者被控制成是阻断的，以使得电流(i)从第一连接(24)流经所述第一功率半导体部件、流经电容器(C)并且流经所述第二功率半导体部件到达第二连接(25)；或第三功率半导体部件(V3)和第四功率半导体部件(V4)两者被切换成是传导的，并且第一功率半导体部件(V1)和第二功率半导体部件(V2)两者被控制成是阻断的，以使得电流(i)在反向方向上从第二连接(25)流经所述第四功率半导体部件、流经电容器(C)并且流经所述第三功率半导体部件到达第一连接(24)。
用于操作电路方法以及