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[发明专利]刻蚀装置、刻蚀系统及刻蚀方法-CN201910655162.1在审
发明人：白靖宇 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-07-19 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种刻蚀装置，包括：刻蚀腔体；承载板，其位于刻蚀腔体内，承载板上用于放置晶圆；喷头，其位于所述承载板的上方，所述喷头用于向所述晶圆喷出刻蚀液；多个加热装置，其安装在所述承载板上，且用于给晶圆加热；其中，每个加热装置独立加热以用于改变每个加热装置上方的刻蚀液的刻蚀速率。本申请实施例还公开了一种刻蚀系统和刻蚀方法。
承载板晶圆喷头加热装置刻蚀液刻蚀多个加热装置独立加热刻蚀腔体刻蚀系统刻蚀装置刻蚀腔喷出加热申请体内

[发明专利]自动刻蚀设备-CN201510641837.9有效
发明人：曹宝龙;唐道福;黄双双;李小涌 -专利权人：惠州市特创电子科技有限公司
申请日： 2015-09-28 - 公布日： 2018-06-08 - 主分类号： H05K3/06 文献下载
摘要：一种自动刻蚀设备包括：入板装置、显影装置、第一检查装置、刻蚀装置、第二检查装置、膨松装置、退膜装置及出板装置。刻蚀装置包括刻蚀机构及第二清洗机构，刻蚀机构包括刻蚀传送段及刻蚀组件。刻蚀组件用于向刻蚀传送段上的电路板喷洒刻蚀液。刻蚀传送段包括两排并列设置的刻蚀传送辊，刻蚀传送辊上设置有若干吸液孔，吸液孔用于产生负压，并吸取电路板上的刻蚀液上述自动刻蚀设备通过设置入板装置、显影装置、第一检查装置、刻蚀装置、第二检查装置、膨松装置、退膜装置及出板装置，即可完成整个电路板的刻蚀操作，刻蚀效率较高、自动化程度较高。此外，通过在刻蚀传送辊上设置若干吸液孔，可以提高电路板的刻蚀品质。
刻蚀电路板检查装置刻蚀设备刻蚀装置传送段传送辊吸液孔出板装置膨松装置入板装置退膜装置显影装置刻蚀液并列设置刻蚀效率清洗机构负压两排喷洒自动化

[发明专利]一种清洗刻蚀系统-CN201911367094.5在审
发明人：潘浩 -专利权人：西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2019-12-26 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种清洗刻蚀系统，包括清洗刻蚀液供给装置、清洗刻蚀槽和溢流装置，所述清洗刻蚀液供给装置的出液端连接所述清洗刻蚀槽的入液端，所述溢流装置的出液端连接所述清洗刻蚀液供给装置的入液端，其中，所述清洗刻蚀液供给装置用于将经过加热且均匀分布有的清洗刻蚀液传输至所述清洗刻蚀槽中；所述清洗刻蚀槽用于利用所述清洗刻蚀液供给装置提供的所述清洗刻蚀液对待清洗刻蚀原料进行刻蚀清洗；所述溢流装置用于将所述清洗刻蚀槽溢流出的所述清洗刻蚀液传输至所述清洗刻蚀液供给装置中。本发明所提供的清洗刻蚀系统可以加速刻蚀清洗工艺的进程，促进刻蚀反应的进行，达到提高刻蚀效率和提高清洗效果的目的。
一种清洗刻蚀系统

[发明专利]湿法刻蚀系统及湿法刻蚀方法-CN201710024793.4在审
发明人：薛大鹏 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2017-01-13 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了湿法刻蚀系统及进行湿法刻蚀的方法。该系统包括刻蚀液储存装置，所述刻蚀液储存单元包括刻蚀液储罐、刻蚀液出口以及刻蚀液回收口，所述刻蚀液出口以及所述刻蚀液回收口设置在所述刻蚀液储罐上；刻蚀装置，所述刻蚀单元分别与所述刻蚀液出口以及所述刻蚀液回收口相连，用于利用所述刻蚀液储罐中的刻蚀液对待刻蚀件进行刻蚀处理；以及金属离子调节装置，所述金属离子调节装置与所述刻蚀液储存装置相连，用于调节所述刻蚀液中的金属离子浓度。该系统可以实现刻蚀液中金属离子浓度的自动调节。
湿法刻蚀系统方法

[发明专利]一种可调节刻蚀液浓度的湿法刻蚀装置-CN202210338727.5在审
发明人：刘丹;方亮;黄中浩;刘毅;林鸿涛;吴旭;张淑芳;吴芳 -专利权人：重庆大学
申请日： 2022-03-30 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种可调节刻蚀液浓度的湿法刻蚀装置；所述湿法刻蚀装置包括刻蚀腔、刻蚀液槽、喷淋装置、刻蚀液管理系统；所述刻蚀腔用于容纳并刻蚀基板，所述刻蚀液槽用于储存刻蚀液，所述喷淋装置用于将刻蚀液槽内的刻蚀液喷入刻蚀腔内，所述刻蚀液槽与刻蚀腔底部连通，所述刻蚀液管理系统用于向刻蚀液中补充原料；所述刻蚀腔上设有主排气管，所述主排气管上设有排气泵；所述刻蚀液槽内设有微波发生器，所述微波发生器用于加热刻蚀液，所述刻蚀液槽上设有附加排气管本发明能够使酸液浓度回升或者保持稳定，保持刻蚀液刻蚀速率稳定，避免刻蚀残留。
一种调节刻蚀浓度湿法装置

[发明专利]一种湿刻蚀装置及方法-CN201710707461.6在审
发明人：何军 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2017-08-17 - 公布日： 2017-12-22 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种湿刻蚀装置及方法，该装置包括刻蚀槽、喷淋装置、多个滚轮；滚轮设置在刻蚀槽的内部，用于承载待刻蚀的基板；喷淋装置设置在滚轮的上方，用于喷淋刻蚀液；刻蚀槽存储有刻蚀液，且刻蚀液液面高于基板。本发明提供的湿刻蚀装置及方法，可以保证基板刻蚀的均一性，也能保证基板的刻蚀速率。
一种刻蚀装置方法

[发明专利]一种刻蚀设备-CN202011063042.1在审
发明人：吕光强 -专利权人：矽磐微电子（重庆）有限公司
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本申请提供一种刻蚀设备。其包括刻蚀液箱、传送装置及压合装置。其中，刻蚀液箱具有盛放刻蚀液的刻蚀液腔，上端设有与刻蚀液腔连通的刻蚀开口。传送装置能够将待刻蚀的产品传送至刻蚀开口上方。压合装置用于将产品压合于所述刻蚀开口处，压合装置的至少一部分设于所述刻蚀开口正上方以外的区域。上述刻蚀设备，其压合装置的至少一部分设于所述刻蚀开口正上方以外的区域，能够减少甚至避免压合装置运动所产生的尘屑落入刻蚀液腔而污染刻蚀液，且方便检修及维护。另外，该刻蚀设备自身设有传送装置，相较于通过外置装置对产品进行传输，方便产品传送，节省刻蚀所需设备的整体占用空间。
一种刻蚀设备

[实用新型]刻蚀槽结构以及刻蚀机-CN202122031911.9有效
发明人：王涛;单伟;何胜;徐伟智;黄海燕 -专利权人：海宁正泰新能源科技有限公司
申请日： 2021-08-26 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种刻蚀槽结构，包括依次排列的正面刻蚀槽和背面刻蚀槽；第一传送装置和第二传送装置，该第一传送装置设置在所述正面刻蚀槽的开口处，该第二传送装置设置在所述背面刻蚀槽的开口处，该第一传送装置和第二传送装置配合使用将硅片从所述正面刻蚀槽传送至所述背面刻蚀槽；喷淋装置，该喷淋装置设置在所述正面刻蚀槽处，从所述正面刻蚀槽的上方向下喷淋正面刻蚀液；供液装置，该供液装置与所述背面刻蚀槽连通，向所述背面刻蚀槽提供背面刻蚀液。相应地，本实用新型还提供了一种刻蚀实施本实用新型有助于减少刻蚀液的补充量。
刻蚀结构以及

[发明专利]一种刻蚀装置及其使用方法-CN201610752656.8在审
发明人：杨泽新 -专利权人：贵州乾萃科技有限公司
申请日： 2016-08-29 - 公布日： 2017-01-11 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明提供了一种刻蚀装置及其使用方法。本发明刻蚀装置包括1个或多个刻蚀槽和过滤槽；所述过滤槽中设有过滤装置；所述过滤槽分别与每个刻蚀槽通过管路相连；所述过滤槽与循环装置通过管路相连，所述循环装置分别与每个刻蚀槽通过管路相连。本发明刻蚀装置通过循环装置，使刻蚀液循环流动，仅清理过滤槽中的废渣即可。本发明刻蚀装置具有结构简单，可循环利用刻蚀液，能够提高生产效率和刻蚀液的利用效率等优点。本发明刻蚀装置的使用方法简单，可连续进行刻蚀工艺，能够提高生产效率和刻蚀液的利用效率。
一种刻蚀装置及其使用方法

[实用新型]一种刻蚀装置-CN201620973587.9有效
发明人：杨泽新 -专利权人：贵州乾萃科技有限公司
申请日： 2016-08-29 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种刻蚀装置。本实用新型刻蚀装置包括1个或多个刻蚀槽和过滤槽；所述过滤槽中设有过滤装置；所述过滤槽分别与每个刻蚀槽通过管路相连；所述过滤槽与循环装置通过管路相连，所述循环装置分别与每个刻蚀槽通过管路相连。本实用新型刻蚀装置通过循环装置，使刻蚀液循环流动，仅清理过滤槽中的废渣即可。本实用新型刻蚀装置具有结构简单，可循环利用刻蚀液，能够提高生产效率和刻蚀液的利用效率等优点。本实用新型刻蚀装置的使用方法简单，可连续进行刻蚀工艺，能够提高生产效率和刻蚀液的利用效率。
一种刻蚀装置

[发明专利]刻蚀装置及刻蚀方法-CN201410356255.1在审
发明人：张君;刘利坚;谢秋实;李东三 -专利权人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请日： 2014-07-24 - 公布日： 2016-02-17 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种刻蚀装置及刻蚀方法。其中刻蚀装置包括：反应腔；晶圆固定装置，晶圆固定装置用于将晶圆固定在反应腔的顶部且晶圆的待刻蚀面朝向反应腔的底部；气体注入口，气体注入口设置在反应腔底部，用于向反应腔通入刻蚀气体；激励线圈，激励线圈环绕反应腔设置，用于将刻蚀气体激发成等离子体；以及偏压提供装置，偏压提供装置与晶圆固定装置相连，用于对晶圆固定装置中的晶圆施加偏压。本发明实施例的刻蚀装置不受刻蚀材料种类限制，无论刻蚀反应产物的挥发性高低均可用持续地进行刻蚀，具有刻蚀速率高、适用范围广、工艺成本低的优点。
刻蚀装置方法

[发明专利]刻蚀装置及刻蚀方法-CN201210089507.X有效
发明人：王坚;贾照伟;张怀东;杨青;王晖 -专利权人：盛美半导体设备(上海)有限公司
申请日： 2012-03-30 - 公布日： 2017-12-08 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开一种刻蚀装置，可以根据不同工艺要求调整硅片与喷气头之间的距离，提高硅片刻蚀均匀性和刻蚀速率。本发明刻蚀装置包括刻蚀腔室、喷气头、托盘装置、多个导柱和驱动装置。所述刻蚀腔室具有进气口和多个排气口。所述喷气头设置在所述刻蚀腔室内并位于所述进气口下方。所述托盘装置具有一托盘本体用于承载所述硅片，所述托盘本体位于所述刻蚀腔室内并位于所述喷气头下方，所述托盘本体上开有多个导孔。所述多个导柱分别收容于所述托盘本体相应的导孔中，导柱托起所述硅片。所述驱动装置驱动所述托盘本体在所述刻蚀腔室内上下运动以调整所述托盘本体与所述喷气头之间的距离。本发明还公开一种使用该刻蚀装置刻蚀硅片的方法。
刻蚀装置方法

[发明专利]刻蚀液及刻蚀装置-CN201910332935.2有效
发明人：赵芬利;秦文;张月红 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2019-04-24 - 公布日： 2021-01-01 - 主分类号： C23F1/18 文献下载
摘要：本发明提供一种刻蚀液和刻蚀装置，该刻蚀液包括双氧水、调节剂、稳定剂、有机酸、抑制剂、消泡剂、醇类物质以及去离子水。该刻蚀装置包括存储部，用于存储所述刻蚀液；检测部，用于检测所述存储部中所述刻蚀液是否有气泡；发生部，用于在所述检测部检测到气泡时，发生超声波清除气泡，得到清除气泡后的刻蚀液；喷嘴，用于将所述清除气泡后的刻蚀液涂布在所述基板上，对所述基板进行刻蚀。上述方案中刻蚀液不包含氟，避免了对基板的腐蚀，提高了显示面板的良品率。
刻蚀装置

[发明专利]刻蚀装置和刻蚀方法-CN201110459321.4无效
发明人：宋利建;车志广 -专利权人：四川虹欧显示器件有限公司
申请日： 2011-12-31 - 公布日： 2014-05-14 - 主分类号： H01J9/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种刻蚀装置和刻蚀方法，其中，刻蚀装置包括：并行设置的多个喷管(1)和与喷管(1)连接的第一喷嘴，刻蚀装置还包括：喷液装置(3)，位于喷管(1)的上游侧，喷液装置(3)包括：液体注入部；液体存储部本发明有效地解决了刻蚀不均匀的问题。
刻蚀装置方法

[发明专利]一种浸泡喷淋刻蚀方法及设备-CN201910429642.6有效
发明人：李涛;刘海滨;茅丹;张娟娟 -专利权人：无锡格菲电子薄膜科技有限公司
申请日： 2019-05-22 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： C01B32/186 文献下载
摘要：本发明提供一种浸泡喷淋刻蚀方法及浸泡喷淋刻蚀设备，所述浸泡喷淋刻蚀方法包括：先将生长有石墨烯的基底具有需要留存的石墨烯薄膜的一面覆盖一层保护膜；再加入到流动的刻蚀药液中刻蚀基底，形成保护膜/石墨烯。所述浸泡喷淋刻蚀设备包括刻蚀装置、配液装置、出液管和补液管，所述刻蚀装置包括刻蚀槽，所述配液装置包括配液槽，所述出液管连通所述刻蚀槽的底部和所述配液槽的底部，用于药液从刻蚀槽底部流向配液槽底部，所述补液管连通所述刻蚀装置和配液装置，用于药液从配液装置流向刻蚀装置。本发明提供的方法及设备能使基底刻蚀速率均衡，保证石墨烯方阻的均匀和良率。
一种浸泡喷淋刻蚀方法设备

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