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[发明专利]积层制造装置和积层制造方法-CN201580047373.7有效
发明人：西野友子;冈田直忠 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2015-02-23 - 公布日： 2018-11-23 - 主分类号： B29C64/135 文献下载
摘要：根据一个实施例的积层制造装置包括制造单元、弹性波产生单元、弹性波检测单元和检查单元。制造单元顺序地堆叠通过将第一能量束发射到材料并使材料固化而形成的层。弹性波产生单元将第二能量束发射到包括该层的制造对象并产生在制造对象中传播的弹性波。弹性波检测单元检测弹性波。检查单元基于来自弹性波检测单元的检测结果检查制造对象。
制造装置方法

[发明专利]制造掩模层-CN201810941195.8在审
发明人：曾文德;J-F·德马尔内夫 -专利权人： IMEC非营利协会
申请日： 2018-08-17 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：在第一方面，本发明涉及用于制造掩模层的方法，所述方法包括：a.提供其上具有图案化层(400)的基材(100,200,300)，该图案化层(400)包括至少一个开口(500)，该开口(500)暴露基材(100,200,300)并具有宽度，以及b.用金属或陶瓷材料相对于基材(100,200,300)选择性地渗透图案化层(400)；其中，步骤b进行到这样的程度，使得宽度(w)减小至少20％，优选至少35％，更优选至少50％。
图案化层基材掩模层优选开口陶瓷材料减小制造金属暴露

[发明专利]激光积层制造设备及激光积层制造方法-CN202111037007.7在审
发明人：黄智贤;黄煜翔 -专利权人：台湾海洋大学
申请日： 2021-09-06 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： B29C64/165 文献下载
摘要：本发明公开一种激光积层制造设备及激光积层制造方法，激光积层制造设备包含：载板、激光构件、移动构件及控制构件，激光构件所发射的激光朝向载板，移动构件连接载板，控制构件信号连接激光构件及移动构件，控制构件控制移动构件调整载板在前驱物溶液中的高度位置本发明还提供一种激光积层制造方法。本发明解决现有的典型液相为基础的激光直接积层制造方法仅能使用在塑料材料的困境。
激光制造设备方法

[发明专利]积层制造方法-CN202110704017.5在审
发明人：陈红章;罗裕龙;杨浩青;郑芳田 -专利权人：郑芳田
申请日： 2021-06-24 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： B22F10/28 文献下载
摘要：本发明提供一种积层制造方法。此方法包含在粉层上进行激光粉床熔融(L‑PBF)制程。然后，获得L‑PBF制程后的粉层的第一表面粗糙度，以产生第一表面轮廓。使用吸收度及一组重熔制程参数数据来进行热传模拟。通过第一表面轮廓及低通滤波器，来获得激光重熔后的粉层的第二表面轮廓。然后，重复调整此组重熔制程参数的数值，以进行热传模拟，直至自第二表面轮廓所预测的第二表面粗糙度值小于或等于表面粗糙度阈值，借以获得重熔制程参数的最佳数值，以进行重熔制程来减少L‑PBF制程后的粉层的表面粗糙度
制造方法

[发明专利]加层制造方法-CN202180038825.0在审
发明人： D·M·罗珀;S·M·贝斯特;权景娥;R·E·卡梅伦 -专利权人：剑桥创业有限公司
申请日： 2021-04-06 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： B29C64/393 文献下载
摘要：公开了加层制造的各种方法以及通过这种制造可获得的物体。特别地，提供了一种加层制造方法，包括在表面上沉积材料层，以及控制沉积以使层内材料的材料性质变化。还提供了一种加层制造方法，包括在牺牲层上沉积至少一个材料层，该材料层具有400微米或更小的厚度，其中所述牺牲层位于基底表面上。
制造方法

[发明专利]氧化层制造方法-CN201010172661.4无效
发明人：郭国超 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2010-05-12 - 公布日： 2010-10-20 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化层制造方法，所述氧化层包括第一氧化层和第二氧化层，所述氧化层制造方法包括：执行低压化学气相沉积工艺，以在晶片上形成第一氧化层；执行现场水汽生成退火工艺，以在所述第一氧化层上形成第二氧化层，本发明可使所述晶片表面的氧化层厚度的均匀性得到明显的改善。
氧化制造方法

[发明专利]屏蔽层制造方法-CN201210003602.3无效
发明人：邱耀弘;柳朝纶;范淑惠 -专利权人：晟铭电子科技股份有限公司
申请日： 2012-01-06 - 公布日： 2013-04-17 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种屏蔽层制造方法，能以多种真空溅镀法在单颗IC芯片上制造屏蔽层，其包含下列步骤：以遮蔽治具遮蔽若干个IC芯片，并将其固定于工件架上；将腔室抽真空至一预处理真空度；当腔室的真空度到达工作真空度时，持续通入可电浆化的气体，并对若干个IC芯片的表面的封装材料进行离子轰击，使封装材料上产生碳悬键衔接层；以若干种真空溅镀法在碳悬键衔接层上依序形成一第一镀膜层、一第二镀膜层、一第三镀膜层；以及破真空，取出完成镀膜的若干个本发明可在同一设备中执行离子轰击、偏压、直流溅镀、中频溅镀及多弧离子镀等PVD制程，且利用PVD制程可使镀上的膜层更具有附着力。
屏蔽制造方法

[发明专利]层及其制造方法-CN201680048956.6在审
发明人： H-J.施赖纳;T.艾因黑林格-米勒;T.施密德;R.莫斯;M.舒伯特 -专利权人：陶瓷技术有限责任公司
申请日： 2016-08-26 - 公布日： 2018-04-17 - 主分类号： H01L41/314 文献下载
摘要：本发明涉及具有压电特性的层和具有压电特性的层的制造方法，特别是借助于气溶胶沉积方法（ADM‑方法）。
及其制造方法

[发明专利]层片、制造层片的方法以及利用层片制造制品的方法-CN201610602318.6有效
发明人： J.J.基特尔森 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2016-07-28 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： B28B1/00 文献下载
摘要：本发明涉及层片、制造层片的方法以及利用层片制造制品的方法，具体而言公开了一种用于制造层片(100)的方法。方法包括打印层片，层片包括近净形状(102)和陶瓷基复合物非纺织材料(104)。公开了层片其中近净形状是制品的预设的层(108)。还公开了用于制造制品的方法。方法包括打印第一层片(200)和第二层片(206)。第一层片(200)包括第一近净形状(202)和第一陶瓷基复合物非纺织材料(204)，以及第二层片(206)包括第二近净形状(208)和第二陶瓷基复合物非纺织材料(208)。方法还包括将第二层片(206)施加到第一层片(200)上以及巩固第一层片(200)和第二层片(206)。
制造方法以及利用制品

[发明专利]用于制造层结构的制造设备-CN201280024681.4有效
发明人： C.里克斯;P.G.M.克鲁伊特 -专利权人：皇家飞利浦有限公司
申请日： 2012-05-15 - 公布日： 2014-01-29 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：本发明涉及用于制造至少包括在衬底上的图案化的第一层的层结构的制造设备。在该衬底上提供具有未图案化的第一层的层结构（6）。保护材料施加单元（8）将保护材料至少施加在部分所提供的层结构上来至少保护所提供的层结构（6）的所述部分，烧蚀单元（12）穿过该保护材料烧蚀未图案化的第一层以便生成图案化的第一层，并且保护材料移除单元（15这允许制造用于例如OLED的层结构而无需使用技术上复杂并且昂贵的光刻工艺。此外，烧蚀残渣可以随着移除该保护材料而被移除，从而降低由有害残渣导致的如OLED中有害短路的有害效应的可能性。
用于制造结构设备

[发明专利]叠层体，制造叠层体的方法，以及制造叠层体的装置-CN201880073712.2在审
发明人：梁川宜辉 -专利权人：株式会社理光
申请日： 2018-11-12 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： B32B21/02 文献下载
摘要：叠层体包括:基材；装饰板原纸；印刷层，含有沸点为180℃或更高的醇；以及交联的树脂。所述交联的树脂是通过将印刷层中含有的醇作为交联组分、在装饰板原纸或覆盖层等中所含的树脂形成交联结构而得到。
叠层体制造方法以及装置

[发明专利]层材料和制造层材料的方法-CN201880091150.4在审
发明人：菲利普·谢菲尔 -专利权人：菲利普·谢菲尔
申请日： 2018-03-22 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： C14C11/00 文献下载
摘要：本发明涉及制造层材料的方法，所述层材料具有载体层（1）和与其接合的由聚氨酯制成的层（2），其中使用皮革，优选经打磨的粒面皮革，纺织材料，优选机织物或针织物，皮革纤维材料或微纤维无纺布作为载体层（1）并且将其与层根据本发明设置，在载体层（1）上施加至少一个由PU搅打泡沫制成的层，优选仅一个由PU搅打泡沫制成的层作为层（2）。
材料制造方法

[发明专利]中介层以及中介层的制造方法-CN200880007961.8有效
发明人：坂本一;河野秀一;小松大基;濑川博史 -专利权人：揖斐电株式会社
申请日： 2008-10-09 - 公布日： 2010-01-20 - 主分类号： H01L23/32 文献下载
摘要：本发明目的在于提供一种能够降低安装高度、能够以尽可能少的层数进行很多布线的引绕并且适合电子部件之间的大容量信号传输的中介层，本发明的中介层的特征在于由以下部分构成：第一绝缘层，其由无机材料构成；第一连接盘，其形成在上述第一绝缘层内；第二连接盘，其形成在上述第一绝缘层内；第一布线，其形成在上述第一绝缘层内，电连接上述第一连接盘和上述第二连接盘；第二绝缘层，其形成在上述第一绝缘层、上述第一连接盘、上述第二连接盘以及上述第一布线的第一面之上，具有与上述第二连接盘连接的第一通路导体用的第一开口部；第一焊盘，其用于搭载要安装在上述第一绝缘层的第二面侧上的第一电子部件；第二焊盘，其形成在上述第二绝缘层之上，用于搭载第二电子部件；第二布线，其形成在上述第二绝缘层之上
中介以及制造方法

[发明专利]中介层以及中介层的制造方法-CN200880007821.0有效
发明人：坂本一;古谷俊树;濑川博史 -专利权人：揖斐电株式会社
申请日： 2008-10-09 - 公布日： 2010-01-20 - 主分类号： H01L23/32 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种即使在半导体元件发热时也能够很好地缓和应力集中到通路导体等导体部的中介层，本发明的中介层的特征在于由以下部分构成：至少一层无机绝缘层；第一布线，其形成在上述无机绝缘层的内部或者表面上；至少一层有机绝缘层，其形成在最外层的无机绝缘层上以及上述第一布线上；第二布线，其形成在上述有机绝缘层的表面上；以及导体部，其连接上述第一布线和上述第二布线。
中介以及制造方法

[发明专利]中介层以及中介层的制造方法-CN200880008000.9有效
发明人：坂本一;河野秀一;小松大基;古谷俊树;濑川博史 -专利权人：揖斐电株式会社
申请日： 2008-10-09 - 公布日： 2010-01-20 - 主分类号： H01L23/32 文献下载
摘要：本发明的提供一种能够以少的层数进行多条布线的引绕并且适于电子部件间的大容量信号传输的中介层，本发明的中介层的特征在于，由以下部分构成：第一绝缘层，其形成在支承基板之上，由无机材料构成；第一连接盘和第二连接盘，形成在第一绝缘层之上；第一布线，其将第一连接盘与第二连接盘进行电连接；第二绝缘层，其具有第一通路导体用的第一开口部和第二通路导体用的第二开口部；第一焊盘，其形成在第二绝缘层之上，用于搭载第一电子部件；第二焊盘，其形成在第二绝缘层之上，用于搭载第二电子部件；第二布线，其形成在第二绝缘层之上；第一通路导体，其将第一连接盘与第一焊盘进行电连接；以及第二通路导体，其将第二连接盘与第二布线进行电连接，其中，第一焊盘与第二焊盘通过第一布线与第二布线电连接
中介以及制造方法

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