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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]凸点下金属层溅射方法-CN201410426023.9有效
发明人：王自台 -专利权人：南通富士通微电子股份有限公司
申请日： 2014-08-26 - 公布日： 2014-12-24 - 主分类号： H01L21/203 文献下载
摘要：本发明涉及一种凸点下金属层溅射方法，包括步骤：将所述晶圆放入溅射蚀刻腔，去除氧化层，并且，在此过程中保持所述晶圆温度小于120℃；将所述晶圆放入金属溅射腔，溅射凸点下金属层，并且，在此过程中；其中保持所述晶圆温度小于降低晶圆的温度到一定值，能够有效的降低凸点下金属层与铝垫之间的接触电阻，提高产品的可靠性。
凸点下金属溅射方法

[实用新型]一种电路凸点下金属化层结构及电路板-CN202121540771.1有效
发明人：代雪梅;张雪林;李刘中;袁山富 -专利权人：重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请日： 2021-07-07 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： H05K1/11 文献下载
摘要：本申请公开一种电路凸点下金属化层结构及电路板，其中，一种电路凸点下金属化层结构，包括：电路结构，所述电路结构包括第一压焊点；凸点下金属化层，所述凸点下金属化层铺设于所述第一压焊点的顶部，所述凸点下金属化层上设有镂空结构通过设置所述凸点下金属化层上设有镂空结构，能够为所述凸点下金属化层在压合时挤压变形的凸点下金属化层提供容纳空间，避免所述凸点下金属化层在压合安装电器元件时发生变形金属从电器元件的四周溢出造成短路。
一种电路凸点下金属化结构电路板

[发明专利]凸点制作方法、凸点下金属层及制作方法-CN200710042460.0有效
发明人：靳永刚;王重阳;陈杰;孙支柱;章剑名 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-06-22 - 公布日： 2008-12-24 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：本发明公开了一种凸点下金属层的制作方法，包括，提供包含屏蔽层的晶片；在所述屏蔽层上形成第一金属层，还包括在第一金属层上形成保护层。本发明还公开了一种凸点的制作方法，包括，提供包含凸点下金属层的晶片，所述凸点下金属层依次包括屏蔽层、第一金属层和保护层；在第一金属层上形成凸点。本发明凸点下金属层制作方法和凸点制作方法通过在第一金属层上形成保护层，隔绝了第一金属层，从而避免在去除光刻胶的过程中使用的化学药品和第一金属层发生反应产生影响后续封装工艺质量的薄膜。
制作方法凸点下金属

[发明专利]凸点的形成方法-CN200910056726.6有效
发明人：王津洲 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-08-20 - 公布日： 2011-03-30 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：一种凸点的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有金属垫层和钝化层，所述金属垫层镶嵌于钝化层中，且通过钝化层上的开口暴露出金属垫层；在钝化层开口内的金属垫层上依次形成金属屏蔽层和凸点下金属层，所述凸点下金属层包含金属镍层；将半导体衬底放入含氢离子或氢氧根离子的电解池溶液内；利用外加电场进行反应以处理凸点下金属层中的金属镍层；在凸点下金属层上形成凸点。本发明消除了后续凸点内产生的空洞，使所有凸点的尺寸保持一致，避免了短路和断路的发生，提高了封装的质量。
形成方法

[发明专利]凸点制作方法以及凸点结构-CN200910194787.9有效
发明人：丁万春 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;芯电半导体(上海)有限公司
申请日： 2009-08-28 - 公布日： 2011-04-06 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：一种凸点制作方法以及凸点结构，其中，所述凸点制作方法包括：在晶片上沉积凸点下金属层；在凸点下金属层上形成光刻胶层，并曝光、显影形成开口，所述开口中顶部横截面大于底部横截面，且底部露出凸点下金属层；在开口内填充金属，形成金属支柱；在金属支柱顶部沉积焊料，去除所述光刻胶层及其底部的凸点下金属层；高温回流金属支柱顶部的焊料，形成球状凸点焊料。与现有技术相比，本发明制作的凸点结构中，金属支柱与球状凸点焊料间具有较大的接触面积，从而提高了凸点的导电能力，且结构简单，工艺与现有技术相兼容。
制作方法以及结构

[发明专利]高可靠芯片级封装结构-CN201110428491.6无效
发明人：陶玉娟;石磊;高国华 -专利权人：南通富士通微电子股份有限公司
申请日： 2011-12-19 - 公布日： 2012-06-13 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：一种高可靠芯片级封装结构，包括：芯片、凸点下金属层、保护胶和焊料凸点；所述芯片的上表面设有焊盘和钝化层，所述钝化层覆于芯片焊盘开口以外的上表面；所述焊盘上设有凸点下金属层，所述凸点下金属层由底部往上依次包括耐热金属层、金属浸润层、阻挡层和焊料保护层；所述保护胶覆于焊盘所在的芯片表面并围筑于凸点下金属层周围；所述凸点下金属层的上表面陷于保护胶中，表面上设有焊料凸点；所述焊料凸点的一部分陷于保护胶中。
可靠芯片级封装结构

[发明专利]一种芯片级封装结构-CN201110428380.5无效
发明人：丁万春 -专利权人：南通富士通微电子股份有限公司
申请日： 2011-12-19 - 公布日： 2012-06-13 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：一种芯片级封装结构，包括：芯片、凸点下金属层和焊料凸点，所述芯片上设有焊盘和钝化层，所述钝化层围绕在所述焊盘的周围，所述凸点下金属层位于所述焊盘上，所述焊料凸点位于所述凸点下金属层上，所述凸点下金属层包括由下而上依次位于芯片焊盘上方的耐热金属层、金属浸润层、阻挡层和焊料保护层。
一种芯片级封装结构

[实用新型]一种芯片级封装结构-CN201120535089.3有效
发明人：丁万春 -专利权人：南通富士通微电子股份有限公司
申请日： 2011-12-19 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：一种芯片级封装结构，包括：芯片、凸点下金属层和焊料凸点，所述芯片上设有焊盘和钝化层，所述钝化层围绕在所述焊盘的周围，所述凸点下金属层位于所述焊盘上，所述焊料凸点位于所述凸点下金属层上，所述凸点下金属层包括由下而上依次位于芯片焊盘上方的耐热金属层、金属浸润层、阻挡层和焊料保护层。
一种芯片级封装结构

[发明专利]一种柱状凸点封装工艺-CN201210014208.X无效
发明人：丁万春 -专利权人：南通富士通微电子股份有限公司
申请日： 2012-01-17 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：一种柱状凸点封装工艺，包括：在芯片的焊盘和钝化层上形成凸点下金属层；在凸点下金属层上形成光刻胶，所述光刻胶设有开口暴露出芯片焊盘上方的凸点下金属层；在上述开口中的凸点下金属层上形成铜柱；在铜柱上形成焊料凸点；去除光刻胶；蚀刻钝化层上的凸点下金属层至钝化层裸露；在裸露的铜柱表面形成氧化层；去除焊料凸点表面的氧化物，并回流焊料凸点。本发明提高了焊料凸点的电性能和可靠性，适用于焊盘密间距、输出功能多的芯片级封装。
一种柱状封装工艺

[实用新型]高可靠芯片级封装结构-CN201120535734.1有效
发明人：陶玉娟;石磊;高国华 -专利权人：南通富士通微电子股份有限公司
申请日： 2011-12-19 - 公布日： 2012-10-24 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：一种高可靠芯片级封装结构，包括：芯片、凸点下金属层、保护胶和焊料凸点；所述芯片的上表面设有焊盘和钝化层，所述钝化层覆于芯片焊盘开口以外的上表面；所述焊盘上设有凸点下金属层，所述凸点下金属层由底部往上依次包括耐热金属层、金属浸润层、阻挡层和焊料保护层；所述保护胶覆于焊盘所在的芯片表面并围筑于凸点下金属层周围；所述凸点下金属层的上表面陷于保护胶中，表面上设有焊料凸点；所述焊料凸点的一部分陷于保护胶中。
可靠芯片级封装结构

[发明专利]凸点及其形成方法-CN200910197082.2无效
发明人：王津洲 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-10-13 - 公布日： 2011-05-04 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：一种凸点及其形成方法。其中凸点的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有金属垫层和钝化层，所述金属垫层镶嵌于钝化层中，且通过钝化层上的开口暴露出金属垫层；在钝化层开口内的金属垫层及钝化层上形成金属屏蔽层；在金属屏蔽层上形成光刻胶层，所述光刻胶层上有与金属垫层位置对应的开口；在光刻胶层开口内的金属屏蔽层上形成籽晶层和凸点下金属层；去除光刻胶层后，刻蚀去除金属垫层位置以外的金属屏蔽层；在金属屏蔽层、籽晶层和凸点下金属层两侧形成侧墙；在凸点下金属层上放置凸点；回流凸点。本发明解决了凸点间发生桥接的情况，避免了短路现象的发生。
及其形成方法

[发明专利]一种可避免出现蓝膜的凸点制作方法-CN200710038218.6有效
发明人：孙支柱;王重阳;章剑名;陈杰 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-03-20 - 公布日： 2008-09-24 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明提供一种可避免出现蓝膜的凸点制作方法。现有的凸点制作方法采用低温的硫酸溶液进行刻蚀来去除凸点下金属层，虽能去除凸点下金属层，但易生成蓝膜。本发明的可避免出现蓝膜的凸点制作方法先在已制作有金属垫和钝化层的晶圆上沉积一凸点下金属层，然后涂敷一光阻层并通过光刻和显影将凸点图形转移到光阻层上，之后制作凸点，接着去除光阻，之后通过硫酸溶液进行刻蚀，以去除非凸点覆盖下的凸点下金属层，最后对该凸点进行回流，其中，在通过硫酸溶液进行刻蚀，以去除非凸点覆盖下的凸点下金属层的步骤中刻蚀温度不低于35摄氏度，刻蚀时间不少于310秒。采用本发明的方法可避免在制作凸点时出现蓝膜。
一种避免出现制作方法

[实用新型]硅通孔金属柱背面互联结构-CN201420519646.6有效
发明人：丁万春 -专利权人：南通富士通微电子股份有限公司
申请日： 2014-09-10 - 公布日： 2015-03-18 - 主分类号： H01L23/482 文献下载
摘要：本实用新型提供一种硅通孔金属柱背面互联结构，包括：硅基板、锡球结构、至少一个硅通孔金属柱和与所述硅通孔金属柱个数相同的凸点下金属层；所述硅通孔金属柱设置在所述硅基板中，并延伸至所述硅基板背面形成凸点；每个所述凸点下金属层分别与一个所述凸点连接，各所述凸点下金属层间隔设置；所述锡球结构环包设置在具有互联关系的至少两个硅通孔金属柱对应的凸点下金属层上。本方案在硅通孔金属柱本体上，将露出硅基板背面的硅通孔金属柱作为凸点，在该凸点表面形成可焊接用的凸点下金属层，这种结构在外界压力下锡球焊点不易变形，产品性能稳定。
硅通孔金属背面联结

[发明专利]脑电极后端连接用凸点、测试板的制备方法及测试结构-CN202010795040.5在审
发明人：陶虎;王雪迎;周志涛;魏晓玲;郑发明 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2020-08-10 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： A61B5/0478 文献下载
摘要：本申请提供一种脑电极后端连接用凸点、测试板的制备方法及测试结构，该脑电极后端连接用凸点的制备方法包括以下步骤：在脑电极上制备凸点下金属层；凸点下金属层为镍金属层；在凸点下金属层上旋涂一层正性光刻胶；对正性光刻胶进行曝光、显影，暴露出凸点窗口区域；在凸点窗口区域电镀铜层；在铜层上电镀铅锡合金层，铅锡合金层能够覆盖凸点窗口区域；去除正性光刻胶，对凸点下金属层进行干法刻蚀处理，获得蘑菇状焊料柱；通过保护回流，获得球形凸点。本申请根据柔性脑电极的焊盘材质的特性提供的脑电极后端连接用凸点的制备方法，使脑电极可以在较低温度下实现热压互联，避免对器件的损坏。
电极后端连接用凸点测试制备方法结构

[发明专利]一种驱动背板及其制作方法-CN202011366832.7在审
发明人：范春林;王斌;汪庆;萧俊龙;汪楷伦 -专利权人：重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请日： 2020-11-27 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种驱动背板及其制作方法，其中，所述驱动背板包括基板、凸点下金属层和微结构层，所述凸点下金属层设置于所述基板上，用于对接LED芯片；所述微结构层设置于所述基板上，与所述凸点下金属层的侧壁贴合；所述微结构层的上表面高于所述凸点下金属层的上表面。本申请的驱动背板安装时，将LED芯片对接在凸点下金属层上，键合过程中微结构层将LED芯片的电极和凸点下金属层包裹，限制熔融状态下键合金属的流动，减少驱动背板上短路问题的发生。
一种驱动背板及其制作方法

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