专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种电容式RF MEMS开关-CN201410139807.3无效
  • 杨俊民 - 苏州锟恩电子科技有限公司
  • 2014-04-09 - 2014-07-23 - H01H59/00
  • 一种电容式RF MEMS开关,包括衬底、位于衬底上的缓冲介质层、接地线、共面波导传输线、锚点、绝缘介质层、弹性折叠梁、上电极,所述接地线、共面波导传输线、锚点设于缓冲介质层上,所述绝缘介质层覆于所述共面波导传输线上,所述弹性折叠梁一端与锚点连接,一端与上电极连接,所述上电极与所述绝缘介质层留有间隙,所述弹性折叠梁弯曲形状为n形、弯曲个数为2个、套数为2个;所述上电极分为驱动电极板和电容上极板,所述驱动电极板和电容上极板之间通过双直梁连接
  • 一种电容rfmems开关
  • [发明专利]一种弹性微桥式RF MEMS开关-CN201410147457.5无效
  • 杨俊民 - 苏州锟恩电子科技有限公司
  • 2014-04-14 - 2014-07-23 - H01H59/00
  • 一种弹性微桥式RF MEMS开关,包括衬底、位于衬底上的缓冲介质层、接地线、共面波导传输线、锚点、绝缘介质层、弹性折叠梁、上电极,所述接地线、共面波导传输线、锚点设于缓冲介质层上,所述绝缘介质层覆于所述共面波导传输线上,所述上电极分为驱动电极板和电容上极板,所述驱动电极板位于所述电容上极板两侧,所述驱动电极板和电容上极板之间通过双直梁连接;所述弹性折叠梁一端与锚点连接,一端与驱动电极板侧面连接,所述弹性折叠梁弯曲形状为
  • 一种弹性微桥式rfmems开关
  • [发明专利]一种共面式内置电容及其制造方法-CN201010617318.6无效
  • 陈冲;刘德波;彭勤卫;孔令文 - 深南电路有限公司
  • 2010-12-31 - 2012-07-11 - H01G4/06
  • 本发明适用于印制电路板领域,提供了一种共面式内置电容及其制造方法,所述电容包括:下层电容电极、上层电容电极;以及位于所述下层电容电极与所述上层电容电极之间的介电层,所述介电层由介电材料采用喷墨打印技术喷印而成本发明实施例采用喷墨打印技术喷印介电层,降低了介电层的厚度,增强了介电层的均匀度,从而提高了共面式内置电容的单位电容密度并且减小了电容公差值;采用磁控溅射技术溅射导电种子层,增强了介电层与电容电极之间的结合力,防止介电层与电容电极之间相互扩散,从而提高了共面式内置电容的可靠性,满足未来电子器件向小型化、多功能化方向发展的需要。
  • 一种共面式内置电容及其制造方法
  • [实用新型]一种弹性微桥式RF MEMS开关-CN201420178308.0有效
  • 杨俊民 - 苏州锟恩电子科技有限公司
  • 2014-04-14 - 2014-10-29 - H01H59/00
  • 一种弹性微桥式RF MEMS开关,包括衬底、位于衬底上的缓冲介质层、接地线、共面波导传输线、锚点、绝缘介质层、弹性折叠梁、上电极,所述接地线、共面波导传输线、锚点设于缓冲介质层上,所述绝缘介质层覆于所述共面波导传输线上,所述上电极分为驱动电极板和电容上极板,所述驱动电极板位于所述电容上极板两侧,所述驱动电极板和电容上极板之间通过双直梁连接;所述弹性折叠梁一端与锚点连接,一端与驱动电极板侧面连接,所述弹性折叠梁弯曲形状为
  • 一种弹性微桥式rfmems开关
  • [实用新型]一种电容式RF MEMS开关-CN201420168547.8有效
  • 杨俊民 - 苏州锟恩电子科技有限公司
  • 2014-04-09 - 2014-10-29 - H01H59/00
  • 一种电容式RF MEMS开关,包括衬底、位于衬底上的缓冲介质层、接地线、共面波导传输线、锚点、绝缘介质层、弹性折叠梁、上电极,所述接地线、共面波导传输线、锚点设于缓冲介质层上,所述绝缘介质层覆于所述共面波导传输线上,所述弹性折叠梁一端与锚点连接,一端与上电极连接,所述上电极与所述绝缘介质层留有间隙,所述弹性折叠梁弯曲形状为n形、弯曲个数为2个、套数为2个;所述上电极分为驱动电极板和电容上极板,所述驱动电极板和电容上极板之间通过双直梁连接
  • 一种电容rfmems开关
  • [发明专利]一种电极共面LED基板及其制备方法-CN202110654758.7在审
  • 李国强 - 河源市众拓光电科技有限公司
  • 2021-06-11 - 2021-11-02 - H01L33/38
  • 本发明提供一种电极共面LED基板及其制备方法,该电极共面LED基板包括:绝缘衬底;贯穿所述绝缘衬底的P型引出电极和N型引出电极;以及位于所述绝缘衬底一侧的导电粘结层。制备方法包括以下步骤:在所述绝缘衬底上制备贯穿所述绝缘衬底的电极通道;在所述电极通道内形成P型引出电极一和N型引出电极一;在所述绝缘衬底一侧形成粘结层。本发明可实现LED芯片电极制备于同侧,避免了以往制作电极而损失一部分发光面积,有效提升了芯片的光输出功率。
  • 一种电极led及其制备方法
  • [发明专利]一种共面电极的边发射半导体激光器-CN201610948459.3在审
  • 赵泽平;刘宇;张一鸣;张志珂;刘建国;祝宁华 - 中国科学院半导体研究所
  • 2016-10-26 - 2017-01-18 - H01S5/32
  • 一种共面电极的边发射半导体激光器,包括一衬底、两个N电极和一个P电极,所述P电极位于两个N电极中间,其中,两个N电极的顶面与所述P电极的上表面位于同一水平面。本发明通过将边发射的半导体激光器的N极制备在衬底的上表面,通过绝缘材料将N极与P极制备在同一平面,形成共面电极结构;相比于异面电极结构的激光器,减小了N极与P极的纵向距离,有效地减小了激光器芯片的寄生电容和寄生电阻,提高了芯片的调制速率,同时更容易实现芯片的测试和封装工作;本发明可直接采用倒装焊技术,避免金丝的使用,减小封装中的寄生电感;本发明的共面电极的边发射半导体激光器结构适用于高速光电子发射器件中。
  • 一种电极发射半导体激光器

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