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[发明专利]共晶装置及晶体管封装共晶系统-CN202110176456.3有效
发明人：胡靖;温永阔;黄黎明;谢少华;刘盼 -专利权人：深圳市东飞凌科技有限公司
申请日： 2021-02-07 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供了一种共晶装置及晶体管封装共晶系统，该共晶装置包括晶圆吸取结构、待共晶产品吸取结构、预热结构、共晶加热平台和共晶识别结构，晶圆吸取结构用于吸取晶圆，待共晶产品吸取结构用于吸取待共晶产品，预热结构用于预热待共晶产品，共晶加热平台用于加热晶圆和待共晶产品，共晶识别结构用于在共晶过程中进行拍照，预热结构、共晶加热平台和共晶识别结构的数量均为两个，两个预热结构分别与两个共晶加热平台对应设置，两个共晶识别结构对应设置于两个共晶加热平台的上方该共晶装置能够提升共晶效率，两个预热结构的结构相同，极大地减少了预热结构加工与装配公差的影响，使得两个共晶加热平台共晶精度与共晶效果基本一致。
装置晶体管封装晶系

[发明专利]一种真空共晶工艺中钎缝尺寸的控制方法-CN202210441128.6在审
发明人：潘玉华;文泽海;向伟玮;季兴桥;曹雪姣;贾斌;高明起;杜荣富;李文;许冰 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十九研究所
申请日： 2022-04-25 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： B23K1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种真空共晶工艺中钎缝尺寸的控制方法，该方法包括将成型的金属引线设置于共晶基板的共晶区域；将共晶钎料放置于共晶基板的共晶区域，压覆金属引线；将共晶模组放置于共晶基板的共晶区域，压覆共晶钎料；在共晶模组上放置配重块，并将共晶基板放入真空共晶炉；在预设共晶加热曲线下执行真空共晶，以使共晶钎料在真空共晶炉内溶化后，共晶模组与金属引线形成标准的钎缝。本发明通过在共晶时将引线放入共晶区域来限制钎缝的尺寸，然后通过增加原有的压力，以使钎料在共晶炉中溶化后，芯片或者模组压住引线，形成一个标准的钎缝，进而钎料在标准缝隙里润湿达到良好的共晶效果，解决共晶压力与钎料张力难平衡的问题
一种真空工艺中钎缝尺寸控制方法

[发明专利]一种高温共晶点预共晶灌注坩埚-CN201710352397.4有效
发明人：蔡静;孟苏;王苗;张岚;李丹;杨永军 -专利权人：中国航空工业集团公司北京长城计量测试技术研究所
申请日： 2017-05-18 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： B01L3/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种高温共晶点预共晶灌注坩埚，属于高温共晶点技术领域。该坩埚外形为圆柱形，包括预共晶坩埚盖和预共晶坩埚主体。在预共晶坩埚主体上加工有公螺纹，预共晶坩埚盖上加工有与之匹配的母螺纹，二者通过螺纹连接。在预共晶坩埚内形成共晶体后，以倒置方式连接在共晶点坩埚上，加热后使共晶体变为熔融态，在重力作用下流入共晶点坩埚内，实现对共晶点坩埚的灌注。本发明降低了预共晶坩埚的破裂风险，避免了共晶体在预共晶坩埚与共晶点坩埚连接处造成粘连，使得预共晶坩埚能够重复利用，解决了目前采用的预共晶容器只能使用一次的问题，节约了灌注成本。
一种高温共晶点预共晶灌注坩埚

[发明专利]一种半导体芯片的共晶方法及共晶结构-CN201010261581.6有效
发明人：刘英策;火东明;孙天宝 -专利权人：比亚迪股份有限公司
申请日： 2010-08-21 - 公布日： 2011-04-20 - 主分类号： H01L21/58 文献下载
摘要：一种半导体芯片的共晶方法，包括：以基板的一面为承载面形成第一共晶层和以半导体芯片的一面为承载面形成第二共晶层，所述第一共晶层或者第二共晶层为形成有孔结构的共晶层；对第一共晶层和第二共晶层进行共晶连接。本发明还涉及一种半导体芯片的共晶结构，包括半导体芯片、基板，以及位于半导体芯片和基板之间的共晶连接层，其中，所述共晶连接层由第一连接层和有孔结构的第二连接层共晶结合而成。本发明实施例提供的一种半导体芯片的共晶方法及共晶结构，有孔的共晶层和另一共晶层共晶，使二者之间形成更均匀结合力更强的共晶层，进而提高芯片和基板之间的结合力。
一种半导体芯片方法结构

[发明专利]热压烧结氧化铝基共晶复合陶瓷材料的方法-CN201710279850.3在审
发明人：苏海军;任俊飞;张军;刘林;黄太文;郭敏;杨文超;傅恒志 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2017-04-26 - 公布日： 2017-08-11 - 主分类号： C04B35/10 文献下载
摘要：一种热压烧结氧化铝基共晶复合陶瓷材料的方法，利用激光悬浮区熔定向凝固技术制备组织细小均匀的棒状共晶试样；通过粉碎过筛获得内部包含有共晶结构的共晶粉末；采用热压烧结制备内部保留有共晶结构的氧化铝基共晶陶瓷复合材料本发明制备的烧结共晶复合材料保留了初始共晶试样当中的共晶结构，消除了大部分晶界和界面非晶相，进而为大尺寸氧化铝基共晶陶瓷复合材料的制备提供了一种新思路。本发明的组织呈典型的“象形文字”共晶形貌，并且共晶颗粒粒度分布在4～25μm且大于共晶层片间距，因此共晶颗粒有效保留了共晶结构，实现了高熔点、接近全致密、内部保留了接近全共晶结构尤其是具有较大尺寸的块体共晶复合陶瓷材料的制备
热压烧结氧化铝基共晶复合陶瓷材料方法

[实用新型]晶体管封装共晶系统及晶体管-CN202120365628.7有效
发明人：胡靖;温永阔;黄黎明;谢少华;刘盼 -专利权人：深圳市东飞凌科技有限公司
申请日： 2021-02-07 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种晶体管封装共晶系统及晶体管，该晶体管封装共晶系统包括晶圆提供机构、晶圆校正机构以及共晶加热机构，共晶加热结构的预热结构、共晶加热平台和晶圆识别结构的数量均为两个，两个预热结构分别与两个共晶加热平台对应，两个共晶加热平台分别与两个第三晶圆识别结构对应，当其中一个共晶加热平台共晶时，与其对应的预热结构预热待共晶的产品，当另一个共晶加热平台共晶时，与其对应的预热结构预热待共晶的产品，提升了共晶效率，两个预热结构的结构相同，使得两个共晶加热平台共晶精度与共晶效果基本一致，极大地减少了预热结构加工与装配公差的影响。
晶体管封装晶系

[发明专利]一种苯基炸药类含能共晶化合物及其制备方法-CN202310843910.5在审
发明人：彭盼盼;屈炜宸;赵霞;史淑婧;汪慧思;晏嘉伟;李磊;杜芳;顾健;陶博文 -专利权人：湖北航天化学技术研究所
申请日： 2023-07-10 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C06B25/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种苯基炸药类含能共晶化合物及其制备方法，属于材料制备技术领域。该苯基炸药类含能共晶化合物的制备原料包括第一共晶原料、第二共晶原料以及共晶溶剂；其中，第一共晶原料为三咪唑并三嗪；第二共晶原料为苯基炸药类含能共晶配体；共晶溶剂包括去离子水、甲醇、乙醇、乙腈、丙酮、乙酸乙酯、乙醚和二氯甲烷中的至少一种；第一共晶原料与第二共晶原料之间形成有共晶。本发明提供了全新的苯基炸药类含能共晶化合物。其制备方法包括：将第一共晶原料、第二共晶原料与共晶溶剂共同混合研磨并在研磨过程中逐渐将共晶溶剂挥发除去。该方法操作简单，能够快速有效地制备苯基炸药类含能共晶化合物。
一种苯基炸药类含能共晶化合物及其制备方法

[发明专利]一种LD芯片共晶焊接台-CN202011016366.X在审
发明人：冉峥嵘;张立;赵志颖;许伟雄 -专利权人：广东海信宽带科技有限公司
申请日： 2020-09-24 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本申请提供的LD芯片共晶焊接台包括底板及固定于底板上的基板定位机构、XY补偿装置、共晶温度控制装置、吸真空装置及共晶上罩，共晶温度控制装置包括依次设置的芯片立柱、芯片隔热块、陶瓷加热片、共晶板与冷却吹气系统；吸真空装置用于将基板吸附于共晶板上；共晶上罩与芯片隔热块连接形成共晶腔体，共晶上罩上设置有与共晶腔体连通的通孔；基板定位机构设置于共晶温度控制装置的外围，用于对共晶板上的基板进行X、Y方向的定位；XY补偿装置用于对底板进行X、Y方向的位置补偿；冷却吹气系统与共晶腔体连通，用于对共晶板进行冷却降温。本申请通过共晶温度控制装置、基板定位机构、XY补偿装置提高了LD共晶的效率与质量。
一种 ld 芯片焊接

[发明专利]珠光体灰口铸铁的二元磷共晶及三元磷共晶的共晶功能剂-CN200510095124.3无效
发明人：邹志尚;邹菲;陈嘉农 -专利权人：邹志尚
申请日： 2005-11-01 - 公布日： 2006-04-12 - 主分类号： C22C33/08 文献下载
摘要：珠光体灰口铸铁的二元磷共晶及三元磷共晶的共晶功能剂，该共晶功能剂的组成成分为：活性游离态石墨粉、硅酸钙粉、二氧化锰粉、硅酸镍粉、氧化钒粉、氧化铬粉、磷酸镁粉、磷酸铜粉、氧化钼粉；磷酸镁粉中的镁具有改善铸造工件的硬度的作用，镁还具有控制珠光体灰口铸铁的二元磷共晶及三元磷共晶的共晶的过程的效果，镁还具有提高铸造工件的延伸率的效果，磷还具有提高二元磷共晶及三元磷共晶的共晶率的效果，二元磷共晶及三元磷共晶具有改善铸造工件的硬度及耐磨性的作用；磷酸铜粉中的铜具有促进珠光体灰口铸铁的二元磷共晶及三元磷共晶的共晶的过程的效果，磷还具有提高二元磷共晶及三元磷共晶的共晶率的效果；该共晶功能剂的含水量应低于5％。
珠光体铸铁二元磷共晶三元功能

[发明专利]放电等离子烧结氧化铝基共晶陶瓷复合材料的方法-CN201710279867.9有效
发明人：苏海军;任俊飞;张军;刘林;黄太文;郭敏;傅恒志 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2017-04-26 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： C04B35/117 文献下载
摘要：一种放电等离子烧结氧化铝基共晶陶瓷复合材料的方法，利用激光悬浮区熔定向凝固技术制备了组织细小均匀的棒状共晶试样；通过粉碎过筛获得内部包含有共晶结构的共晶粉末；采用放电等离子烧结制备内部保留有共晶结构的氧化铝基共晶陶瓷复合材料本发明制备的烧结共晶复合材料保留了初始共晶试样当中的共晶结构，并且消除了大部分晶界和界面非晶相，为大尺寸氧化铝基共晶陶瓷复合材料的制备提供了一种新思路。本发明得到的组织呈典型的“象形文字”共晶形貌，共晶颗粒粒度分布在4～12μm且大于共晶层片间距，颗粒内部能有效保留初始共晶试样当中的共晶结构。由于烧结时间短，有效抑制烧结过程中的组织长大，有利于获得均匀细小组织的共晶陶瓷。
放电等离子烧结氧化铝基共晶陶瓷复合材料方法

[发明专利]一种降低共晶空洞率的共晶焊接结构及方法-CN202310107995.0在审
发明人：文泽海;张平升;陆吟泉;曾策;李江建;庞婷;陈恒佳;张剑;伍泽亮;雷东阳 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十九研究所
申请日： 2023-02-07 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L23/492 文献下载
摘要：本发明涉及微电子封装技术领域，公开了一种降低共晶空洞率的共晶焊接结构及方法，该共晶焊接结构，包括共晶承载板、设于所述共晶承载板表面的共晶区域，所述共晶承载板表面还设有与所述共晶区域连接的焊料施放区。本发明解决了现有技术存在的容易形成气体填充型的共晶空洞、容易导致芯片过热低效、甚至烧毁等问题。
一种降低空洞焊接结构方法

[发明专利]一种倒装共晶LED阵列的共晶效果评估方法-CN201710935969.1有效
发明人：郭旺;张卫峰;黄集权;邓种华;刘著光;黄秋凤;陈剑 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2017-10-10 - 公布日： 2020-07-31 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种倒装共晶LED阵列的共晶效果评估方法，所述评估方法是依据倒装共晶LED阵列中倒装共晶LED中的芯片和基板之间的结合面积的差异导致的散热差异，对倒装共晶LED阵列的共晶效果进行评估。对于倒装共晶LED阵列中的每个芯片而言，若芯片和基板之间的共晶结合面积大，芯片散热就好，热量不会在芯片上累积，芯片表面温度低，说明所述倒装共晶LED的共晶效果好；反之芯片表面温度高，反之共晶效果不好。根据阵列中各个芯片温度的一致性，评估倒装共晶LED阵列的整体共晶效果是否适合后续封装，无需对倒装共晶LED阵列进行X‑ray探伤检测或超声波探伤检测，节省了检测成本，提高生产效率，非常适合批量生产。
一种倒装 led 阵列效果评估方法

[发明专利]一种氧化物共晶结构陶瓷粉末的制备方法-CN201710279849.0在审
发明人：苏海军;任俊飞;张军;刘林;黄太文;郭敏;傅恒志 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2017-04-26 - 公布日： 2017-09-08 - 主分类号： C04B35/117 文献下载
摘要：一种氧化物共晶结构陶瓷粉末的制备方法。通过激光悬浮区熔技术，制备组织细小且均匀的共晶材料，然后通过粉碎、筛分将具有强界面结合的微观共晶结构保存在共晶粉末中，进而制备出具有一定粒径分布的共晶粉末，从而通过初始共晶试样的层片间距和共晶粉末粒径的合理搭配，有效的将初始共晶试样当中的共晶结构保留到烧结共晶体中。本发明得到的氧化物共晶结构陶瓷粉末为典型的共晶形貌；通过改变激光悬浮区熔过程中的抽拉速率得到具有不同层片间距的共晶材料；通过抽拉速率和球磨时间的组合，得到了不同粒径分布的共晶粉末。
一种氧化物结构陶瓷粉末制备方法

[发明专利]一种共晶方法及设备-CN202310458963.5在审
发明人：刘建喜 -专利权人：微见智能封装技术（深圳）有限公司
申请日： 2023-04-21 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及共晶技术领域，特别涉及一种共晶方法及设备，本方法应用于共晶设备上进行共晶，共晶设备上具有至少两个联动的共晶盘，本方法提供第一物料，在预设的上下料工位将第一物料转移到其中一共晶盘上；将共晶盘按照第一预设路径转移到预设的共晶工位；同时，另一共晶盘被同步联动按照第一预设路径相对的第二预设路径转移到上下料工位；在预设的转移工位提供第二物料，将第二物料转移到位于共晶工位的共晶盘并将第二物料贴放于第一物料上；通过共晶工位的共晶盘对第一物料与第二物料进行共晶；同时，同步对向位于上下料工位的共晶盘提供第一物料和/或进行下料操作，进行多工位循环工作。
一种方法设备

[发明专利]一种共晶铝硅合金中共晶硅球化热处理方法-CN201610902092.1有效
发明人：王建华;朱家庆;苏旭平;刘亚;涂浩 -专利权人：常州大学
申请日： 2016-10-17 - 公布日： 2018-10-16 - 主分类号： C22F1/043 文献下载
摘要：本发明涉及一种共晶铝硅合金中共晶硅球化热处理方法，所述共晶硅球化热处理方法指的是在铝硅合金的共晶温度(577℃)进行球化退火。本发明在共晶铝硅合金共晶温度点对合金进行退火，使针状共晶硅发生快速球化，是一种简单且有效的共晶硅球化热处理方法，目的是提高共晶铝硅合金的力学性能。
一种共晶铝硅合金中共晶硅球化热处理方法

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