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[发明专利]使用双重图案化的光致抗蚀剂图像成形方法-CN200980111624.8无效
发明人： R·R·达梅尔;D·J·阿布达拉;E·阿勒梅;M·帕德马纳本 -专利权人： AZ电子材料美国公司
申请日： 2009-03-30 - 公布日： 2011-02-23 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：在器件上形成光致抗蚀剂图案的方法，包括：a)在基底上从第一光致抗蚀剂组合物形成第一光致抗蚀剂层；b)成像式曝露该第一光致抗蚀剂；c)将第一光致抗蚀剂显影以形成第一光致抗蚀剂图案；d)用包括至少2个氨基(NH2)基团的硬化化合物处理第一光致抗蚀剂图案，因此形成硬化的第一光致抗蚀剂图案；e)在包括该硬化的第一光致抗蚀剂图案的基底区域上从第二光致抗蚀剂组合物形成第二光致抗蚀剂层；f)成像式曝露该第二光致抗蚀剂；和g)将成像式曝露的第二光致抗蚀剂显影以在第一光致抗蚀剂图案之间形成第二光致抗蚀剂图案，因此提供双重光致抗蚀剂图案。
使用双重图案光致抗蚀剂图像成形方法

[发明专利]半导体装置的制作方法-CN201611187173.4有效
发明人：赖韦翰;张庆裕 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-12-20 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： G03F1/56 文献下载
摘要：一种半导体装置的制作方法，包括：形成光致抗蚀剂图案于可图案化层上。光致抗蚀剂层包含负型光致抗蚀剂材料。对光致抗蚀剂层进行曝光工艺。对光致抗蚀剂层进行曝光后烘烤工艺。冲洗光致抗蚀剂层以显影光致抗蚀剂图案。施加底漆材料至光致抗蚀剂图案。底漆材料为设置用于使光致抗蚀剂图案轮廓平直化，增加光致抗蚀剂材料的去保护酸敏基团单元数目、或与光致抗蚀剂材料的去保护酸敏基团单元键结。在施加底漆材料后，涂布收缩材料于光致抗蚀剂图案上、烘烤收缩材料、以及移除部分的收缩材料以增大光致抗蚀剂图案。以增大的光致抗蚀剂图案作为掩模，图案化可图案化层。
半导体装置制作方法

[发明专利]用于制备光致抗蚀剂图案的方法-CN201010517468.X无效
发明人：畑光宏;桥本和彦 -专利权人：住友化学株式会社
申请日： 2010-10-19 - 公布日： 2011-05-04 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明提供用于制备光致抗蚀剂图案的方法，所述方法包括步骤(1)至(11)：(1)在基底上涂覆第一光致抗蚀剂组合物，接着进行干燥，由此形成第一光致抗蚀剂膜，(2)预焙烘第一光致抗蚀剂膜，(3)将预烘焙的第一光致抗蚀剂膜曝光于辐射，(4)烘焙曝光的第一光致抗蚀剂膜，(5)用第一碱性显影液将烘焙的第一光致抗蚀剂膜显影，由此形成第一光致抗蚀剂图案，(6)在第一光致抗蚀剂图案上形成涂层，(7)在涂层上涂覆第二光致抗蚀剂组合物，接着进行干燥，由此形成第二光致抗蚀剂膜，(8)预焙烘第二光致抗蚀剂膜，(9)将预烘焙的第二光致抗蚀剂膜曝光于辐射，(10)烘焙曝光的第二光致抗蚀剂膜，和(11)用第二碱性显影液将烘焙的第二光致抗蚀剂膜显影，由此形成第二光致抗蚀剂图案
用于制备光致抗蚀剂图案方法

[发明专利]包括图案硬化步骤的用于缩小光致抗蚀剂图案之间的尺寸的工艺-CN200980111594.0无效
发明人： D·J·阿卜杜拉;R·R·达梅尔;V·蒙里尔 -专利权人： AZ电子材料美国公司
申请日： 2009-03-30 - 公布日： 2011-02-23 - 主分类号： G03F7/40 文献下载
摘要：一种在器件上形成光致抗蚀剂图案的工艺，其包括：a)在基材上由第一光致抗蚀剂组合物形成第一光致抗蚀剂层；b)使第一光致抗蚀剂成像式曝光；c)使第一光致抗蚀剂显影以形成第一光致抗蚀剂图案；d)用包含至少2个氨基(NH2)的硬化化合物处理第一光致抗蚀剂图案，由此形成硬化的第一光致抗蚀剂图案；e)在包括硬化的第一光致抗蚀剂图案的基材的区域上由第二光致抗蚀剂组合物形成第二光致抗蚀剂层；f)使第二光致抗蚀剂整片曝光；和g)使整片曝光的第二光致抗蚀剂显影以形成具有增加的尺寸和减小的间隔的光致抗蚀剂图案。
包括图案硬化步骤用于缩小光致抗蚀剂之间尺寸工艺

[发明专利]掩模组件的制造方法-CN201810089595.0有效
发明人：金桢国;任星淳;黄圭焕;金圣哲;文英慜 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2018-01-30 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： C23C14/30 文献下载
摘要：本发明涉及能够提升图案精度的掩模组件的制造方法，该方法包括以下步骤：准备载体衬底；在载体衬底上涂覆第一光致抗蚀剂；对第一光致抗蚀剂进行图案化以形成第一光致抗蚀剂图案；在载体衬底和第一光致抗蚀剂上涂覆第二光致抗蚀剂；对第二光致抗蚀剂进行图案化以形成第二光致抗蚀剂图案；在载体衬底上沉积金属层；去除布置在第一光致抗蚀剂图案和第二光致抗蚀剂图案上的金属层；以及将载体衬底与金属层分离以制造分割掩模，其中，第一光致抗蚀剂为正(positive)性光致抗蚀剂，而第二光致抗蚀剂为负(negative)性光致抗蚀剂。
模组制造方法

[发明专利]水蒸汽作为处理气，用于离子植入后抗蚀剂剥离中硬壳、抗蚀剂和残渣的去除-CN03147057.2有效
发明人： A·陈;罗素芸 -专利权人：兰姆研究有限公司
申请日： 2003-08-30 - 公布日： 2004-05-12 - 主分类号： H01L21/302 文献下载
摘要：水蒸汽作为处理气，从具有带图案的光致抗蚀剂层的衬底上剥离光致抗蚀剂材料，该光致抗蚀剂层曾作为离子植入掩模，其中该带图案的光致抗蚀剂层由覆盖在松光致抗蚀剂部分上的光致抗蚀剂硬壳加以限定。广义地说，水蒸汽可以更有效地剥离具有交联光致抗蚀剂硬壳的光致抗蚀剂材料，而不会使光致抗蚀剂硬壳爆裂，或者使松光致抗蚀剂底切。因此，水蒸汽作为一种安全、有效、而且经济的处理气，可用来剥离具有因离子植入而导致的光致抗蚀剂硬壳的光致抗蚀剂材料。
水蒸汽作为处理用于离子植入后抗蚀剂剥离硬壳抗蚀剂残渣去除

[发明专利]用于制备光致抗蚀剂图案的方法-CN201010623056.4无效
发明人：畑光宏;夏政焕 -专利权人：住友化学株式会社
申请日： 2010-12-31 - 公布日： 2011-07-13 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明提供一种用于制备光致抗蚀剂图案的方法，该方法包括以下步骤(A)至(D)：(A)在基底上涂覆第一光致抗蚀剂组合物以形成第一光致抗蚀剂膜，将第一光致抗蚀剂膜曝光于辐射，然后用碱性显影液将曝光的第一光致抗蚀剂膜显影，从而形成第一光致抗蚀剂图案；(B)使第一光致抗蚀剂图案对以下步骤(C)中的辐射惰性，使第一光致抗蚀剂图案不溶于碱性显影液或者使第一光致抗蚀剂图案不溶于在以下步骤(C)中使用的第二光致抗蚀剂组合物；(C)在步骤(B)中获得的第一光致抗蚀剂图案上，涂覆第二光致抗蚀剂组合物以形成第二光致抗蚀剂膜，将第二光致抗蚀剂膜曝光于辐射的步骤，和(D)用碱性显影液将曝光的第二光致抗蚀剂膜显影，从而形成第二光致抗蚀剂图案
用于制备光致抗蚀剂图案方法

[发明专利]光致抗蚀剂下层和形成光致抗蚀剂图案的方法-CN202011301426.2在审
发明人：訾安仁;林进祥;张庆裕 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-11-19 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： G03F7/09 文献下载
摘要：本申请涉及光致抗蚀剂下层和形成光致抗蚀剂图案的方法。一种制造半导体器件的方法包括：在半导体基板上方形成包含光致抗蚀剂下层组合物的光致抗蚀剂下层；以及在所述光致抗蚀剂下层上方形成包含光致抗蚀剂组合物的光致抗蚀剂层。使所述光致抗蚀剂层选择性地曝光于光化辐射，并且使所述光致抗蚀剂层显影以在所述光致抗蚀剂层中形成图案。所述光致抗蚀剂下层组合物包含具有酸不稳定侧基的聚合物、具有交联基团的聚合物或具有羧酸侧基的聚合物、产酸剂和溶剂。所述光致抗蚀剂组合物包含聚合物、光活性化合物和溶剂。
光致抗蚀剂下层形成图案方法

[发明专利]光致抗蚀剂掩膜形成方法-CN200710037683.8有效
发明人：孟兆祥;吴永玉 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-02-13 - 公布日： 2008-08-20 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：一种光致抗蚀剂掩膜形成方法，包括：提供基底；以酸性清洗溶液清洗所述基底；在所述清洗后的基底上涂覆光致抗蚀剂层；图形化所述光致抗蚀剂层；检测所述图形化的光致抗蚀剂层；确定所述图形化的光致抗蚀剂层满足产品要求时，将图形化的所述光致抗蚀剂层作为光致抗蚀剂掩膜；确定所述图形化的光致抗蚀剂层不满足产品要求时，执行返工操作，直至确定所述光致抗蚀剂层满足产品要求；所述返工操作包括去除所述光致抗蚀剂层、以酸性清洗溶液清洗去除所述光致抗蚀剂层后的基底、以及光致抗蚀剂层的涂覆、图形化和检测的步骤。可保证经历返工过程后光致抗蚀剂掩膜的线宽尺寸的改变量减小。
光致抗蚀剂掩膜形成方法

[发明专利]移动气泡的方法-CN200610108231.X无效
发明人：侯雅菁;曾焕廷;林思闽;卢柏州;黄永发;尤春祺 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2006-08-01 - 公布日： 2008-02-06 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种移动气泡的方法，利用激光镊夹于光致抗蚀剂层中产生光致抗蚀剂层亮区和光致抗蚀剂层暗区，使得光致抗蚀剂层中的气泡，从光致抗蚀剂层亮区移往光致抗蚀剂层暗区。
移动气泡方法

[发明专利]光致抗蚀剂蚀刻中前边界点技术-CN200310100592.6有效
发明人：韩太准;姚小强 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2003-10-20 - 公布日： 2004-06-02 - 主分类号： G03F7/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种控制等离子体处理室中光致抗蚀剂蚀刻步骤的方法。光致抗蚀剂蚀刻步骤设计成将沉积在衬底表面上的光致抗蚀层向后蚀刻成具有预定光致抗蚀剂厚度的更薄的光致抗蚀层。该方法包括使用等离子体蚀刻过程蚀刻光致抗蚀层，并检测来自该光致抗蚀层的干涉图案。该方法还包括在干涉图案的分析表明达到该预定光致抗蚀剂厚度时终止该光致抗蚀剂蚀刻步骤，从而该预定光致抗蚀剂厚度大于零。
光致抗蚀剂蚀刻边界技术

[发明专利]形成焊接掩模的方法及其装置和形成电路构图的内部介电层的方法-CN201310078720.5有效
发明人：阿基欧·塞基莫托;玛萨尤基·M·考吉马 -专利权人：太阳美国公司;丽可得映像系统公司;太阳控股株式会社
申请日： 2004-03-23 - 公布日： 2013-07-17 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：在用于形成焊接掩模的方法中，将光致成像墨涂敷到载体膜上，以在载体膜上形成光致成像墨层。使光致成像墨层变干，以形成光致成像抗蚀剂层，由此形成至少一个光致成像抗蚀剂层承载膜。将光致成像抗蚀剂层承载膜层叠到衬底的至少一侧，以使光致成像抗蚀剂层的上表面与衬底接触。通过载体膜使光致成像抗蚀剂层曝光于成像光。从光致成像抗蚀剂层去除载体膜以形成曝光的抗蚀剂层。显影曝光的抗蚀剂层以形成显影的抗蚀剂层；硬化显影的抗蚀剂层以在衬底上形成焊接掩模。
形成焊接方法及其装置电路构图内部介电层

[发明专利]形成焊接掩模的方法及其装置和形成电路构图的内部介电层的方法-CN200480042537.9无效
发明人：阿基欧·塞基莫托;玛萨尤基·M·考吉马 -专利权人：太阳美国公司;丽可得映像系统公司;太阳油墨制造株式会社
申请日： 2004-03-23 - 公布日： 2007-04-11 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：在用于形成焊接掩模的方法中，将光致成像墨涂敷到载体膜上，以在载体膜上形成光致成像墨层。使光致成像墨层变干，以形成光致成像抗蚀剂层，由此形成至少一个光致成像抗蚀剂层承载膜。将光致成像抗蚀剂层承载膜层叠到衬底的至少一侧，以使光致成像抗蚀剂层的上表面与衬底接触。通过载体膜使光致成像抗蚀剂层曝光于成像光。从光致成像抗蚀剂层去除载体膜以形成曝光的抗蚀剂层。显影曝光的抗蚀剂层以形成显影的抗蚀剂层；硬化显影的抗蚀剂层以在衬底上形成焊接掩模。
形成焊接方法及其装置电路构图内部介电层

[发明专利]用于制造半导体器件的方法-CN202110019174.2在审
发明人：渡边整;平崎贵英 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2021-01-07 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：该用于制造半导体器件的方法包括以下步骤：在半导体衬底上形成第一光致抗蚀剂膜，并且在第一光致抗蚀剂膜上形成与第一光致抗蚀剂膜比具有更高的酸度的第二光致抗蚀剂膜；通过使第一光致抗蚀剂膜和第二光致抗蚀剂膜图案化来形成用于暴露半导体衬底的表面的开口；对第二光致抗蚀剂膜的上表面和开口的内部涂布收缩材料，并且通过对第一光致抗蚀剂膜、第二光致抗蚀剂膜和收缩材料进行热处理来在开口的内部使收缩材料和第二光致抗蚀剂膜起反应；以及去除第二光致抗蚀剂膜的上表面和开口的内部的未与第二光致抗蚀剂膜起反应的未反应的收缩材料
用于制造半导体器件方法

[发明专利]制造半导体显示装置的方法-CN201810366161.0有效
发明人：谢於叡;陈柏男 -专利权人：奇景光电股份有限公司
申请日： 2018-04-23 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： G02F1/1335 文献下载
摘要：本发明公开一种制造半导体显示装置的方法，包含：提供半导体基板；在半导体基板上形成第一光致抗蚀剂结构；在半导体基板上形成覆盖第一光致抗蚀剂结构的第二光致抗蚀剂结构；在半导体基板上形成覆盖第一光致抗蚀剂结构及第二光致抗蚀剂结构的第三光致抗蚀剂结构；进行第一回蚀刻制作工艺以去除第三光致抗蚀剂结构的位于第二光致抗蚀剂结构的顶部表面之上的第一部分；以及进行第二回蚀刻制作工艺以去除第二光致抗蚀剂结构的位于第一光致抗蚀剂结构的顶部表面之上的部分及第三光致抗蚀剂结构的位于第一光致抗蚀剂结构的顶部表面之上的第二部分
制造半导体显示装置方法

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