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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]光检测元件-CN201980050045.0在审
发明人： G·费拉拉;清家崇广 -专利权人：住友化学株式会社
申请日： 2019-07-26 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：一种以简易的构成在规定波长区域具有高灵敏度的光检测元件。光检测元件具备阳极、阴极、和设置于阳极与阴极之间的包含p型半导体材料和n型半导体材料的有源层，有源层的厚度最小为800nm，有源层中包含的p型半导体材料与n型半导体材料的重量比(p/n比)最大为99/1
检测元件

[发明专利]光检测元件-CN201980050374.5在审
发明人： G·费拉拉;清家崇广 -专利权人：住友化学株式会社
申请日： 2019-07-26 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：一种暗电流降低、且外量子效率提高的光检测元件。光检测元件包含：阳极；阴极；和设置于该阳极与该阴极之间且包含p型半导体材料和n型半导体材料的有源层，有源层的厚度为800nm以上，与有源层的阴极侧表面相接的面的功函数减去n型半导体材料的LUMO的绝对值而得到的值为
检测元件

[发明专利]光检测元件-CN202110736805.2在审
发明人：苏初日;周佳祥;彭韦智;廖文禄;黄照舜;林宣乐;李世昌;刘美君;欧震 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开一种光检测元件，其依序包括一基板、具有一第一掺杂质的一第一半导体层位于基板上、具有一第一区域及一第二区域的一第二半导体层位于第一半导体层上、一光吸收层位于第一半导体层及第二半导体层之间、一半导体接触层位于第二半导体层的第一区域上
检测元件

[发明专利]光检测元件-CN202011084117.4在审
发明人：丁景隆;曾名骏;陈厚典;郭拱辰 -专利权人：群创光电股份有限公司
申请日： 2020-10-12 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： G01D5/26 文献下载
摘要：本发明提供一种光检测元件，包括第一光检测单元、第二光检测单元及驱动晶体管。第一光检测单元包括第一晶体管及第一光感应单元。第一晶体管及第一光感应单元电性连接。第二光检测单元和第一光检测单元电性连接。第二光检测单元包括第二光感应单元及第二晶体管。第二光感应单元及第二晶体管电性连接。驱动晶体管具有栅极端。栅极端电性连接至第一光感应单元及述第二光感应单元。
检测元件

[发明专利]光检测元件-CN202211546866.3在审
发明人：水野友人;福泽英明;柴田哲也 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2022-12-05 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H01L31/09 文献下载
摘要：本发明提供一种光检测能力高的光检测元件。该光检测元件具备在被照射光时产生电压的光感受层、第一电极以及第二电极，所述光感受层位于所述第一电极和所述第二电极之间，所述第二电极是含有选自钌、钼、及钨中的至少一种元素的金属。
检测元件

[发明专利]光检测元件-CN202211547006.1在审
发明人：野尻武司;福泽英明;柴田哲也;水野友人;青木进 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2022-12-05 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L31/09 文献下载
摘要：本发明提供一种新的光检测元件。该光检测元件具备磁性元件和光波导，所述磁性元件具有第一铁磁性层、第二铁磁性层、被所述第一铁磁性层和所述第二铁磁性层夹持的间隔层，所述光波导至少由芯和包覆所述芯的至少一部分的包层形成，在所述光波导中传播的光向所述磁性元件照射
检测元件

[发明专利]光检测元件-CN202180024405.7在审
发明人： G·费拉拉;荒木贵史;大关美保 -专利权人：住友化学株式会社
申请日： 2021-03-22 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：解决手段为一种光检测元件(10)，其具备阳极(12)、阴极(16)、以及设于该阳极与该阴极之间且包含p型半导体材料和n型半导体材料的有源层(14)，从上述n型半导体材料的HOMO的能级的绝对值减去p型半导体材料的
检测元件

[发明专利]光检测元件-CN202180024466.3在审
发明人： G·费拉拉;荒木贵史;大关美保 -专利权人：住友化学株式会社
申请日： 2021-03-22 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明的课题在于提高比检测率。解决手段为一种光检测元件(10)，其具备阳极(12)、阴极(16)、以及设置于该阳极与该阴极之间且包含p型半导体材料和n型半导体材料的有源层(14)，从n型半导体材料的HOMO的能级的绝对值减去上述p型半导体材料的
检测元件

[发明专利]光检测元件-CN201410017913.4有效
发明人：朴起延;韩昌锡;金华睦;崔孝植;徐大雄 -专利权人：首尔伟傲世有限公司
申请日： 2014-01-15 - 公布日： 2017-11-14 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明涉及一种光检测元件，该光检测元件根据带通滤波层的能带隙的调节而容易调节所要检测的特定波长区域的范围，并且可通过响应度大小调节层来调节截止（cut‑off）波长的大小，本发明的一实施例提供一种光检测元件
检测元件

[发明专利]光检测元件-CN201310733975.0有效
发明人：朴起延;金华睦;孙暎丸;徐大雄 -专利权人：首尔伟傲世有限公司
申请日： 2013-12-26 - 公布日： 2014-07-09 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明涉及一种通过应用能带隙互不相同的多层带隙变化层来改善由于缓冲层和光吸收层的急剧的能带隙变化而引起的阻止电流流动的现象的光检测元件。本发明的实施例提供一种光检测元件，所述光检测元件包括：基板；缓冲层，形成于所述基板上；第一带隙变化层，形成于所述缓冲层上的部分区域；光吸收层，形成于所述第一带隙变化层上；肖特基层，形成于所述光吸收层上的部分区域
检测元件

[发明专利]光检测元件-CN201810365156.8有效
发明人：能泽克弥 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2018-04-18 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本发明涉及光检测元件。基于本申请的某实施方式的光检测元件具备：光电转换结构，其含有对于单晶硅显示吸收的波长区域中包含的第1波长的光具有比单晶硅高的吸收系数的第1材料，且通过吸收光子而生成正及负的电荷；和雪崩结构，其包含通过由上述光电转换结构注入选自由上述正及负的电荷组成的组中的至少一者而在内部产生雪崩增倍的单晶硅层
检测元件

[发明专利]光检测元件-CN201380068374.0有效
发明人：崔石镐;金成;金昌伍 -专利权人：庆熙大学校产学协力团
申请日： 2013-06-27 - 公布日： 2015-09-30 - 主分类号： H01L31/10 文献下载
摘要：由于根据掺杂量来评价制造的石墨烯p-n垂直接合的光检测特性，因此提供包含石墨烯p-n均质接合二极管的光检测元件。所述光检测元件包括：基板；光检测层，其作为形成在所述基板上的光检测层，包括p-n垂直均质接合的石墨烯，具有在350nm至1100nm范围内超过10E11(Jones)的检测能；和形成在所述光检测层上的第一电极和第二电极
检测元件

[实用新型]光检测装置和带有光检测装置的灯具-CN201821514263.4有效
发明人：邹高迪;邹新 -专利权人：深圳迈睿智能科技有限公司
申请日： 2018-09-14 - 公布日： 2019-08-20 - 主分类号： G01M11/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一光检测装置和带有光检测装置的灯具，其中所述光检测装置包括一光检测元件以及被保持在所述光检测元件的检测路径的至少一聚光元件和一扩散部，其中所述聚光元件具有一聚光区域，其中所述光检测元件被设置于所述聚光元件的主光轴，且所述光检测元件位于所述聚光元件的所述聚光区域，其中所述光检测装置适用于检测一使用环境中的光线强度，且所述光检测装置能够避免使用环境中局部的反射面对所述光检测装置的准确性造成影响。
光检测装置光检测元件聚光元件聚光区域使用环境灯具本实用新型主光轴检测反射扩散

[发明专利]光检测装置-CN202210183326.7在审
发明人： T·T·塔;崔明秀;杉本俊贵 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2022-02-28 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： G01J1/42 文献下载
摘要：本公开的光检测装置能够使放热、串扰减少且高速地检测微弱光。光检测装置具备：光检测元件；复位电路，在所述光检测元件检测到光之后将所述光检测元件的一端设定为初始化电压，并且具有能够使供给至所述光检测元件的一端的电流可变的可变电流源；以及控制电路，在从所述光检测元件检测到光起至所述光检测元件的一端被设定为所述初始化电压为止的期间，使所述可变电流源向所述光检测元件的一端供给的电流阶梯式地或连续地增加。
检测装置

[发明专利]检测装置、存储检测程序的存储介质以及光学装置-CN202111062794.0在审
发明人：井口大介;近藤崇;崎田智明 -专利权人：富士胶片商业创新有限公司
申请日： 2021-09-10 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： G01S17/08 文献下载
摘要：本发明提供一种检测装置、存储检测程序的存储介质以及光学装置。一种检测装置，其具备：发光元件阵列，其具备多个发光元件；受光元件阵列，其具备多个接收从所述发光元件阵列对检测对象物发出的光的反射光的受光元件；驱动部，其选择性地驱动多个所述发光元件；以及检测部，其使所述发光元件发光，并使由所述受光元件接收到的光的受光量中的、与小于预先设定的阈值的受光量的第一受光元件对应的第一发光元件发光，来检测所述检测对象物。
检测装置存储程序介质以及光学

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