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[发明专利]一种多层膜层图案、多层膜层图案的制作方法及阵列基板-CN201710002753.X有效
发明人：陈磊;董宜萍;安杨 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司
申请日： 2017-01-03 - 公布日： 2019-12-03 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本申请提供一种多层膜层图案、多层膜层图案的制作方法及阵列基板，以解决现有技术在通过一次成膜形成两层图案化的功能层膜层时，多层膜层图案的制作效率较低的问题。所述制作方法包括：在衬底上依次形成第一功能层薄膜和第二功能层薄膜；在所述第二功能层薄膜上形成图案化的第一光刻胶层；利用所述第一光刻胶层的遮挡，形成第二功能层的图案；在所述第一光刻胶层上形成图案化的第二光刻胶层；利用所述第二光刻胶层的遮挡，形成第一功能层的图案，其中，所述第一功能层的图案与所述第二功能层的图案在所述衬底上的正投影互不交叠；同时去除所述第二层光刻胶层和所述第一层光刻胶层。
一种多层图案制作方法阵列

[发明专利]一种微透镜的制备方法-CN201410035266.X在审
发明人：林朝晖;蒋伟 -专利权人：泉州市博泰半导体科技有限公司
申请日： 2014-01-24 - 公布日： 2015-07-29 - 主分类号： G02B3/00 文献下载
摘要：本发明公开一种微透镜的制备方法，包括步骤如下：提供基板；在基板上形成光刻胶层；对光刻胶层图案化，形成柱状光刻胶；热固化处理柱状光刻胶，使柱状光刻胶产生曲面光刻胶；腐蚀曲面光刻胶及基板，在基板上形成透镜。
一种透镜制备方法

[发明专利]用于制造半导体晶片的外围遮光型掩膜结构及其制造方法-CN200810041066.X有效
发明人：唐光亚 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2008-07-25 - 公布日： 2010-01-27 - 主分类号： G03F1/00 文献下载
摘要：一种用于制造半导体晶片的外围遮光型掩膜结构的制造方法，所述方法包括提供衬底，所述衬底包括覆盖该衬底的不透明层、覆盖的负光刻胶层、覆盖所述负光刻胶层的停止层、和覆盖所述停止层的正光刻胶层；所述方法包括图案化所述正光刻胶层，在所述正光刻胶层中形成一个或多个窗口；所述方法还包括移除所述一个或多个窗口中的被暴露的停止层，暴露部分负光刻胶层和图案化所述暴露部分的负光刻胶层；所述方法包括显影所述暴露部分的负光刻胶层和移除暴露部分的不透明层，暴露下面的部分衬底；所述方法进一步包括移除任何剩余部分的负光刻胶层、停止层和正光刻胶层，提供图案化的掩膜。所述图案化的掩膜用于集成电路的制造。本发明还提供一种用于制造半导体晶片的外围遮光型掩膜结构。
用于制造半导体晶片外围遮光膜结构及其方法

[发明专利]在衬底上形成多阶表面的蚀刻方法-CN200810129359.3无效
发明人：尹辉;杨拥平 -专利权人：新科实业有限公司
申请日： 2008-06-27 - 公布日： 2009-12-30 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种在衬底上形成多阶表面的蚀刻方法，包括：(1)在衬底的预定表面上涂覆第一光刻胶层；(2)在第一光刻胶层上涂覆第二光刻胶层，第二光刻胶层具有与第一光刻胶层相反的特性；(3)通过一第一掩模曝光第二光刻胶层从而形成第一可去除区域；(4)显影第二光刻胶层从而除去第一可去除区域；(5)通过一第二掩模曝光第一光刻胶层从而在第一光刻胶层中形成包含在第一可去除区域内的第二可去除区域；(6)显影第一光刻胶层从而除去第二可去除区域，第一光刻胶层和第二光刻胶层保留的区域构成多阶图案；及(7)蚀刻衬底的预定表面和多阶图案从而在衬底上形成多阶表面。
衬底形成表面蚀刻方法

[发明专利]一种窄沟槽制作方法-CN201410193168.9在审
发明人：雷通;桑宁波 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-05-08 - 公布日： 2014-08-06 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供了一种窄沟槽制作方法，包括：第一步骤，用于在半导体衬底上依次布置氮化硅层和硬掩模；第二步骤，用于在硬掩模上布置光刻胶；第三步骤，用于使得光刻胶曝光显影以形成具有第一尺寸的光刻胶图案；第四步骤，用于在形成光刻胶图案之后对晶圆进行离子注入以便对被光刻胶图案暴露的区域进行非晶化处理；第五步骤，用于在离子注入之后利用形成有光刻胶图案的光刻胶执行干法刻蚀工艺以在衬底中具有第二尺寸的沟槽。
一种沟槽制作方法

[发明专利]半导体器件及其制备方法、图案化方法-CN202210405439.7在审
发明人：王爱兵;王昕 -专利权人：芯恩（青岛）集成电路有限公司
申请日： 2022-04-18 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本申请提供了一种半导体器件及其制备方法、图案化方法，包括提供半导体衬底，在半导体衬底表面形成硅化物阻挡层，硅化物阻挡层上形成第一介质层，以及在第一介质层上涂覆光刻胶，并进行曝光，以得到图案化的光刻胶层。通过第一介质层穿插在硅化物阻挡层和光刻胶层之间的结构，以阻挡硅化物阻挡层内的活性氮原子进入光刻胶内而导致光刻胶变性，避免曝光图案区形成非均匀侧壁的光刻胶轮廓或结构，提高曝光后图案化的光刻胶层图案尺寸的均一性，进而提高图案化的硅化物阻挡层图案尺寸的均一性，提高半导体器件的硅化物阻挡层刻蚀良率。
半导体器件及其制备方法图案

[发明专利]光刻胶图案形成方法及压印模具-CN201710833137.9有效
发明人：周婷婷;张斌;何晓龙 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2017-09-15 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种光刻胶图案形成方法及压印模具，方法包括以下步骤：在基底上涂覆光刻胶；通过压印模具对光刻胶进行压印，压印模具包括透光区和遮光区，透光区和遮光区之一为光刻胶固化覆盖区，光刻胶固化覆盖区设置有至少一个朝向光刻胶的凸起，凸起的宽度小于光刻胶固化覆盖区的宽度；对光刻胶进行紫外固化，以固化光刻胶固化覆盖区所覆盖的光刻胶；去除所述压印模具；去除未固化的光刻胶，形成光刻胶图案。通过遮光区、透光区以及凸起的设置，可以经过一次压印，就形成具有至少两层结构的光刻胶形状，坡度角更陡直，有利于灰化后的图形控制，且图形化精度高，其精度可以达到10nm级别。
光刻图案形成方法压印模具

[发明专利]金属网格导电膜的制备方法、金属网格导电膜及触控屏-CN202211727046.4在审
发明人：王钧;冯旭平;李阳;石家乐;江建国 -专利权人：浙江鑫柔科技有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01B13/00 文献下载
摘要：该制备方法包括如下步骤：提供光引发剂并预设光引发剂的曝光波段，光引发剂选自肟酯类光引发剂，获取光引发剂在光刻胶组合物中的质量占比范围c；按照获取的质量占比范围提供光刻胶组合物；在衬底上涂布光刻胶组合物，去除光刻胶组合物中的溶剂，形成光刻胶层；在光刻胶层上形成催化剂层；对光刻胶层进行曝光、显影，使光刻胶层和催化剂层形成图案化层；将衬底置于化学镀液中，在图案层上制备金属网格图案。该制备方法中，形成的光刻胶层在化学镀液中的溶胀率会得到降低，金属线条沿光刻胶层向两侧生长的量较少，因此金属线条的线宽增量能够得到显著降低。
金属网格导电制备方法触控屏

[发明专利]薄膜晶体管的制备方法-CN201610129011.9有效
发明人：张家朝;任思雨;苏君海;李建华 -专利权人：信利（惠州）智能显示有限公司
申请日： 2016-03-07 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：一种薄膜晶体管的制备方法，包括如下步骤：在基板上依次形成半导体层及第一栅极绝缘层；在第一栅极绝缘层上形成光刻胶图案，光刻胶图案包括第一光刻胶层及第二光刻胶层，第一光刻胶层的厚度大于第二光刻胶层的厚度；以光刻胶图案为掩模，对半导体层及第一栅极绝缘层进行第一次刻蚀处理；除去第二光刻胶层；对第一栅极绝缘层进行第二次刻蚀处理，以除去至少部分第一栅极绝缘层未被第一光刻胶层覆盖的区域的厚度；除去第一光刻胶层；在第一栅极绝缘层上形成第二栅极绝缘层
薄膜晶体管制备方法

[发明专利]用于去除光刻胶的组合物及利用该组合物形成图案的方法-CN200610149823.6有效
发明人：吉埈仍;李锡浩;金敬喜;徐熙;具本旺;金旼永 -专利权人：拉姆科技有限公司
申请日： 2006-10-25 - 公布日： 2007-05-23 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种形成图案的方法，该方法利用了用于去除光刻胶的组合物，在该方法中，在基板上形成层，然后在该层上形成光刻胶图案。利用光刻胶图案作为蚀刻掩膜，对从光刻胶图案露出的层的一部分进行蚀刻，以在基板上形成图案。然后，利用包括羟胺、链烷醇胺化合物、吗啉化合物、极性溶剂、防腐剂、和水的组合物去除光刻胶图案。该组合物可以在不损坏基板和/或包括金属、氮化物、氧化物和/或金属氮化物的图案的情况下，有效地去除光刻胶图案和蚀刻残余物。
用于去除光刻组合利用形成图案方法

[发明专利]彩色滤光片及液晶显示装置-CN200710162530.6无效
发明人：陈佩瑜;黄雪瑛 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2007-10-16 - 公布日： 2008-03-12 - 主分类号： G02B5/23 文献下载
摘要：彩色滤光片包括：复数红色光刻胶图案列、复数绿色光刻胶图案列、及复数蓝色光刻胶图案列交替排列成一阵列，其中每一红色光刻胶图案列及每一绿色光刻胶图案列的材料包括颜料，且至少一蓝色光刻胶图案列的材料包括染料或染料及颜料的混合本发明提供的彩色滤光片及一种液晶显示器，借由改变彩色图案层的着色材料，以降低彩色图案层在暗态的光穿透率，进而改善暗态漏光的问题。
彩色滤光液晶显示装置

[发明专利]垂直形貌修整-CN201410571349.0在审
发明人： S·M·列扎·萨贾迪;彼得·西里格利亚诺;金智洙;黄志松;埃里克·A·赫德森 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2006-09-29 - 公布日： 2015-03-04 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：在该蚀刻层上形成具有光刻胶特征的图案化光刻胶掩模，该光刻胶特征具有侧壁，其中该光刻胶特征的侧壁具有沿该光刻胶特征深度的不规则形貌。修正沿该光刻胶特征侧壁的光刻胶特征深度的不规则形貌，该修正包括至少一个循环，其中每个循环包括侧壁沉积阶段和形貌成形阶段。穿过该光刻胶特征将特征蚀刻入该蚀刻层。去除该掩模。
垂直形貌修整

[发明专利]垂直形貌修整-CN200680036913.2无效
发明人： S·M·列扎·萨贾迪;彼得·西里格利亚诺;金智洙;黄志松;埃里克·A·赫德森 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2006-09-29 - 公布日： 2008-10-01 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：在该蚀刻层上形成具有光刻胶特征的图案化光刻胶掩模，该光刻胶特征具有侧壁，其中该光刻胶特征的侧壁具有沿该光刻胶特征深度的不规则形貌。修正沿该光刻胶特征侧壁的光刻胶特征深度的不规则形貌，该修正包括至少一个循环，其中每个循环包括侧壁沉积阶段和形貌成形阶段。穿过该光刻胶特征将特征蚀刻入该蚀刻层。去除该掩模。
垂直形貌修整

[发明专利]一种光刻胶图形化方法及双层光刻胶剥离方法-CN202010010237.3在审
发明人：李天慧;赵珂;梁慧;于星;张振振 -专利权人：芯恩（青岛）集成电路有限公司
申请日： 2020-01-06 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： G03F7/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种光刻胶图形化方法及双层光刻胶剥离方法；所述方法包括：在衬底上依次形成第一光刻胶层及第二光刻胶层；利用掩膜版对所述第一光刻胶层和所述第二光刻胶层同时进行曝光处理；采用正显影液对曝光后的所述第一光刻胶层及所述第二光刻胶层进行正显影，分别在所述第一光刻胶层和所述第二光刻胶层中形成宽度相等的第一开口和第二开口；采用负显影液对所述第一光刻胶层进行负显影，增大所述第一开口的宽度，使得所述第一开口的宽度大于所述第二开口的宽度。本发明采用正光刻胶的负显影工艺，利用非曝光区的正性光刻胶溶于负显影液的特性，可以精确控制图形形状达到倒T型图形，避免对所需图案的二次曝光，保证了图案的高分辨率。
一种光刻图形方法双层剥离

[发明专利]定向自组装方法以及由此形成的分层结构-CN201080057340.8有效
发明人： D·P·桑德斯;J·程;W·辛斯伯格;H-C·金;M·科尔伯恩;S·哈勒;S·霍姆斯 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2010-11-26 - 公布日： 2012-09-12 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：一种形成包括自组装材料的分层结构的方法，包括：在衬底上布置非交联的光刻胶层；将光刻胶层图案式曝光于第一辐射；可选地加热已曝光光刻胶层；采用含水碱性显影剂在第一显影工艺中显影已曝光光刻胶层，从而形成初始图案化光刻胶层；光化学地、热地和/或化学地处理初始图案化光刻胶层，由此形成包括布置在第一衬底表面上的未交联的已处理光刻胶的已处理图案化光刻胶层；在已处理图案化光刻胶层上浇铸定向控制材料在第一溶剂中的溶液，并且去除第一溶剂，从而形成定向控制层；加热定向控制层以有效地将定向控制材料的一部分结合至第二衬底表面；在第二显影工艺中去除已处理光刻胶的至少一部分以及可选地去除任何未结合的定向控制材料，由此形成用于自组装的预图案；可选地加热预图案；在预图案上浇铸溶解在第二溶剂中的能够自组装的材料的溶液，并且去除第二溶剂；以及采用可选的加热和/或退火，允许已浇铸材料自组装，由此形成包括自组装材料的分层结构。
定向组装方法以及由此形成分层结构