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[发明专利]光刻曝光方法-CN202011414133.5有效
发明人：周曙亮;赵潞明;吴长明;姚振海;金乐群;李玉华 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2020-12-07 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本申请涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种光刻曝光方法。所述光刻曝光方法包括：将晶片的目标面划分为曝光阵列，所述曝光阵列包括若干个曝光区域；确定曝光区域中的目标量测曝光区域和其他曝光区域；依次对所述其他曝光区域分别进行多次光刻曝光，在所述其他曝光区域处的晶片目标面上形成光刻图形；对所述目标量测曝光区域进行单次光刻曝光，在所述目标量测曝光区域处的晶片目标面上形成光刻图形。本申请提供的光刻曝光方法，可以解决相关技术中在开始进行光刻曝光的前期，因光学系统温度不稳定，导致机台对光刻表现的判断的问题。
光刻曝光方法

[发明专利]一种晶圆曝光管理方法、装置、电子设备和系统-CN202211726592.6在审
发明人：姜坤 -专利权人：上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本申请涉及半导体领域，公开了一种晶圆曝光管理方法，包括以目标光刻机作为晶圆的当前曝光层曝光时所用的光刻机；目标光刻机为参考层曝光时所用的光刻机；确定所述目标光刻机中的目标工件台和其他工件台；目标工件台为参考层曝光时所用的工件台；根据目标光刻机中其他工件台与目标工件台的套刻误差差异值，确定目标光刻机中其他工件台与当前曝光层对应的当前套刻误差下货值；发送当前套刻误差下货值至目标光刻机，以便目标光刻机中其他工件台对当前曝光层进行曝光本申请固定当前曝光层曝光所用的光刻机，但不固定工件台，可使目标光刻机中所有工件台均参与曝光，提升光刻机产能。
一种曝光管理方法装置电子设备系统

[发明专利]半导体器件的图案化方法及形成方法-CN201510881916.7在审
发明人：胡华勇;叶蕾;刘剑尧;张楠楠 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2015-12-03 - 公布日： 2017-06-13 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：一种半导体器件的图案化方法及形成方法，其中图案化方法包括提供待刻蚀材料层；在待刻蚀材料层上形成正性光刻胶层；采用掩膜版对正性光刻胶层进行第一曝光，在正性光刻胶层中形成第一曝光区；对正性光刻胶层进行正性显影，去除第一曝光区的正性光刻胶层；正性显影后，采用所述掩膜版对正性光刻胶层进行第二曝光，在正性光刻胶层中形成第二曝光区，第二曝光和第一曝光中掩膜版相对正性光刻胶层的位置相同，第二曝光的曝光能量对应的曝光尺寸大于第一曝光的曝光能量对应的曝光尺寸；对正性光刻胶层进行负性显影，去除第二曝光区外的正性光刻胶层，形成具有环形图案的目标光刻胶层。
半导体器件图案方法形成

[发明专利]光刻胶曝光装置-CN201310586140.7有效
发明人：闫晓剑;田朝勇 -专利权人：四川虹视显示技术有限公司
申请日： 2013-11-19 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种光刻胶曝光装置，包括掩模板、反射金属薄膜和光束发生装置，掩模板的透光部分为光栅，曝光时，掩模板位于涂敷有光刻胶的基板的正上方，反射金属薄膜置于基板上与光栅对应的位置处，光束发生装置产生的曝光光束透过掩模板上的光栅均匀的直射到基板上的光刻胶上，实现光刻胶的曝光，同时，反射金属薄膜的边缘对照射到其上的曝光光束产生散射。采用本发明的光刻胶曝光装置进行光刻胶曝光时，正性光刻胶可以产生边缘与基板表面成锐角的光刻胶图案，负性光刻胶可以产生边缘与基板表面成钝角的光刻胶图案，配合传统的光刻胶曝光方法，可以通过一种光刻胶实现不同光刻胶图案的要求，简化光刻胶曝光工艺，减低成本。
光刻曝光装置

[发明专利]一种光刻胶图案制备方法和阵列基板制备方法-CN201910786427.1有效
发明人：路天;王中来 -专利权人：合肥维信诺科技有限公司
申请日： 2019-08-23 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种光刻胶图案的制备方法和阵列基板的制备方法。该光刻胶图案的制备方法包括：提供基底，基底包括曝光区和非曝光区；在基底的曝光区内设置反射结构，反射结构包括反射面，反射面位于反射结构的侧壁上；在基底上形成光刻胶层，光刻胶层覆盖曝光区和非曝光区；对曝光区内的光刻胶层曝光，以使被曝光的光刻胶改性，反射结构的反射面对入射到其上的光线进行反射，以增加靠近基底处发生改性的光刻胶的体积；对光刻胶层显影，以形成光刻胶图案。本发明实施例可以改善底层光刻胶的感光，解决现有曝光过程中光刻胶底层感光较弱而使光刻胶图案存在误差的问题，保证了光刻胶图案的准确性，有助于提升光刻质量。
一种光刻图案制备方法阵列

[发明专利]浸润式光刻机曝光方法-CN202110447471.7有效
发明人：李玉华;黄发彬;周曙亮;赵潞明;吴长明;姚振海;金乐群 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2021-04-25 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种浸润式光刻机曝光方法。本申请提供一种浸润式光刻机曝光方法，所述浸润式光刻机包括曝光镜头和曝光台，所述曝光方法包括依次进行的以下步骤：上传目标晶片至所述曝光台上；所述目标晶片包括位于所述目标晶片中部的测试区，和位于所述测试区外围的外围区；使得所述曝光镜头与所述目标晶片之间充斥水层；使得所述曝光镜头通过环形曝光扫描路径，曝光所述外围区；使得所述曝光镜头曝光所述测试区。本申请提供的浸润式光刻机曝光方法，可以解决相关技术中的浸润式光刻机的曝光过程因温度波动因素，无法得出光刻机的真实光刻参数的问题。
浸润光刻曝光方法

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN201210062205.3无效
发明人：胡华勇;伍强;顾一鸣 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-03-09 - 公布日： 2013-09-18 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种半导体结构的形成方法，包括步骤：提供基底；在所述基底上依次形成正光刻胶层和负光刻胶层；对负光刻胶层和正光刻胶层进行曝光，所述曝光的曝光能量具有第一阈值和第二阈值，且第一阈值大于第二阈值，在第一阈值的曝光能量作用下在正光刻胶层中形成第一曝光区，在第二阈值的曝光能量作用下在负光刻胶层中形成第二曝光区，第二曝光区的宽度大于第一曝光区的宽度；进行第一显影，去除负光刻胶层的第二曝光区以外的光刻胶，形成第一开口；沿第一开口刻蚀正光刻胶层，形成第二开口；去除负光刻胶层；进行第二显影，去除正光刻胶层的第一曝光区，形成双图形化的正光刻胶图形。
半导体结构形成方法

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN201210062523.X无效
发明人：胡华勇;伍强;顾一鸣 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-03-09 - 公布日： 2013-09-18 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种半导体结构的形成方法，包括步骤：提供基底；在所述基底上依次形成负光刻胶层和正光刻胶层；对所述负光刻胶层和正光刻胶层进行曝光，所述曝光的曝光能量具有第一阈值和第二阈值，且第一阈值大于第二阈值，在第一阈值的曝光能量作用下在正光刻胶层中形成第一曝光区，在第二阈值的曝光能量作用下在负光刻胶层中形成第二曝光区，第二曝光区的宽度大于第一曝光区的宽度；进行第一显影，去除正光刻胶层中的第一曝光区，形成第一开口；沿所述第一开口刻蚀负光刻胶层的第二曝光区，形成第二开口；去除正光刻胶层；进行第二显影，去除负光刻胶层的第二曝光区以外的光刻胶。
半导体结构形成方法

[发明专利]一种监测和补偿大尺寸芯片产品光刻拼接精度的方法-CN201210500534.1有效
发明人：袁伟 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2012-11-29 - 公布日： 2013-02-27 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供一种监测和补偿大尺寸芯片产品光刻拼接精度的方法，该方法包括步骤为:设计拼接光刻版；依次进行第一层曝光，包括对大尺寸芯片的拼接光刻和虚拟曝光场的曝光；进行第二层曝光，包括对大尺寸芯片的拼接光刻和虚拟曝光场的曝光；测量得到第二层曝光的虚拟曝光场的套刻测量结果，利用该套刻测量结果来监测和补偿第二层曝光的大尺寸芯片的光刻拼接精度。本发明利用虚拟曝光场设置测量标记，再利用此测量标记的测量得到的套刻测量结果来监测和补偿拼接光刻精度，克服了芯片的尺寸大于光刻机的曝光视场的难题，提升大尺寸芯片产品光刻拼接精度。
一种监测补偿尺寸芯片产品光刻拼接精度方法

[发明专利]基于一次曝光的光刻方法-CN202011595149.0在审
发明人：任轩达;陈超 -专利权人：广州粤芯半导体技术有限公司
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2021-04-16 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于一次曝光的光刻方法，包括：提供衬底；在所述衬底上涂覆光刻胶；使用至少两种不同波长的光组合在一起对涂覆的光刻胶进行曝光；对曝光后的光刻胶进行显影。不同波长的光可以刻蚀不同厚度的光刻胶，使得在光刻胶较厚时，也可以是用组合光在一次曝光中完成对光刻胶的曝光，相对于现有技术的需要至少两次曝光才能使得较厚的光刻胶完成曝光的情况，本发明可以减少曝光工艺的时间，增加光刻机的使用效率，减少光刻工艺的成本。
基于一次曝光光刻方法

[发明专利]一种光刻方法和能量反馈系统-CN201010601912.6无效
发明人：胡骏;黄玮 -专利权人：无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2010-12-22 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种光刻方法和一种能量反馈系统，所述光刻方法包括：建立能量反馈系统和光刻流程中设定的光刻参数的数据连接；能量反馈系统通过所述数据连接获取光刻流程中设定的光刻参数；能量反馈系统根据获取到的光刻参数计算得到曝光参数；能量反馈系统向曝光设备输出所述曝光参数。本发明所提供的技术方案，能够及时自动的获取到光刻流程中设定的光刻参数，使曝光设备能够及时的应用与光刻匹配的曝光参数进行曝光。同时该方法能够实现自动计算并调整曝光参数，无需人工手动操作，能够避免人工操作引起的曝光参数计算或录入错误。
一种光刻方法能量反馈系统

[发明专利]曝光分辨率优化方法、装置、电子设备及存储介质-CN202311037238.7有效
发明人：曹子峥;周延;皮雅稚;余少华 -专利权人：鹏城实验室
申请日： 2023-08-17 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本申请公开了一种曝光分辨率优化方法、装置、电子设备及存储介质，涉及光刻领域，本申请将光刻系统的可调曝光参数和可调曝光参数的曝光结果输入至预设优化模型得到目标参数，其中，可调曝光参数至少包括光源相位；基于目标参数对光刻系统进行调节形成新曝光参数的光刻系统；基于新曝光参数的光刻系统进行曝光得到新的曝光结果，将目标参数作为新的可调曝光参数，基于新的可调曝光参数和新的曝光结果返回执行将光刻系统的可调曝光参数和可调曝光参数的曝光结果输入至预设优化模型得到目标参数的步骤本申请实施例，加入了光源相位作为可调曝光参数之一，参与到优化过程中，丰富了优化方向，改善调控的精细度，从而提高光刻分辨率的增强效果。
曝光分辨率优化方法装置电子设备存储介质

[发明专利]一种控制光刻曝光剂量的方法及其系统-CN200810039958.6有效
发明人：江潮;罗闻;徐文 -专利权人：上海微电子装备有限公司
申请日： 2008-07-01 - 公布日： 2008-11-19 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供一种控制光刻曝光剂量的方法及其系统。本发明所提供的控制光刻曝光剂量的方法是利用多个脉冲的平均波动性低于曝光精度要求的特性，通过选择曝光的激光脉冲的个数来控制光刻曝光剂量精度，并进一步决定衰减率，最后进行曝光。使用该方法的控制光刻曝光剂量的系统主要包括激光器、衰减器、控制器以及能量传感器，系统具有结构相对简单的优点，并且结合其控制光刻曝光剂量的方法使用能大大提高光刻曝光剂量精度。
一种控制光刻曝光剂量方法及其系统

[发明专利]进行光刻制程的方法-CN201810621209.8在审
发明人：翁明晖;张庆裕;林进祥 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-06-15 - 公布日： 2019-03-05 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：提供进行光刻制程的方法，进行光刻制程的方法包含在基底上方形成光刻胶层，并将光刻胶层的一部分曝光，以在未曝光部分之间形成曝光部分。进行光刻制程的方法还包含将光刻胶层显影以移除光刻胶层的曝光部分，使得开口形成于未曝光部分之间，并在开口中和光刻胶层的未曝光部分上方形成后处理涂布材料。进行光刻制程的方法还包含通过进行后处理制程，光刻胶层的未曝光部分的一部分与后处理涂布材料反应，以及移除后处理涂布材料。
光刻胶层光刻制程曝光后处理涂布材料移除开口基底显影制程中和

[发明专利]一种直写式光刻机曝光方法-CN201910815604.4有效
发明人：赵美云 -专利权人：合肥芯碁微电子装备股份有限公司
申请日： 2019-08-30 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种直写式光刻机曝光方法，属于半导体光刻机图形图像处理技术领域，包括在曝光前，设定曝光模式为N排M列DMD模式，划分每个DMD对应的曝光区域，任意一排DMD曝光图形的总宽度为直写光刻版图的宽度，任意一列DMD曝光图形的总高度为直写光刻版图的高度；利用各DMD进行曝光处理，并输出对应的光刻版图曝光图形；将每个DMD与直写式精密平台进行匹配，将光刻版图呈现在曝光的基底上。本发明利用多排DMD对光刻版图进行曝光区域划分，减少了单次曝光的时间，大幅度提升产能。
一种直写式光刻曝光方法

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