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[发明专利]虚拟测量先进工艺控制系统和设置方法-CN201010116662.7有效
发明人：蔡柏沣;曾衍迪;宋金宁 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2010-02-10 - 公布日： 2010-12-08 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种虚拟测量先进工艺控制系统。在一实施例中，虚拟测量先进工艺控制系统包括工艺设备、测量设备与虚拟测量模块。工艺设备根据所接收的多个工艺输入，处理多个晶片；测量设备，用以测量至少一个晶片的特性，并且产生真实测量数据，其中晶片包括至少一个品管样品晶片；虚拟测量模块，用以为每一个晶片产生预估测量数据；以及先进工艺控制器，用以接受预估测量数据与真实测量数据，并且根据预估测量数据与真实测量数据，产生工艺设备的工艺输入。本发明的虚拟测量先进工艺控制系统在逐片晶片控制的基础上，更新或调整后的工艺参数毋需执行个别的测量步骤。本发明还提供一种虚拟测量先进工艺控制平台的设置方法。
虚拟测量先进工艺控制系统设置方法

[发明专利]一种改善等离子体刻蚀工艺中首片效应的方法-CN201810604582.2有效
发明人：钱洋洋;聂钰节 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2018-06-13 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供了一种改善等离子体刻蚀工艺中首片效应的方法，通过先进过程控制系统对前批次晶圆的晶粒数量进行数据收集，并根据收集的数据计算清洁工艺的工艺参数对反应腔室进行清洁，后批次晶圆在该反应腔室中等离子体刻蚀作业后，比较后批次晶圆中首片晶圆的沟槽形貌与目标形貌的差异，将比较结果反馈给先进过程控制系统，先进过程控制系统判断是否需要修正清洁工艺的工艺参数，若是，先进过程控制系统修正清洁工艺的工艺参数，采用修正后的工艺参数对反应腔室进行清洁
一种改善等离子体刻蚀工艺中首片效应方法

[发明专利]先进工艺控制的方法和装置-CN201010136008.2有效
发明人：蔡柏沣;曾衍迪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2010-03-12 - 公布日： 2010-09-22 - 主分类号： G05B19/04 文献下载
摘要：本发明提供一种先进工艺控制方法和装置，所述方法包括：将第一变数设定为初始值；将第二变数设定为初始值；在先进工艺控制的控制下，根据第一和第二变数的每一个的函数来操作工具；测量第一和第二参数，其中第一和第二参数是不同的本发明的技术方案有益于改善先进工艺控制的效能，并减少先进工艺控制的多重输入间的干扰。
先进工艺控制方法装置

[发明专利]用于工艺感知维度目标的先进工艺控制-CN201710312573.1有效
发明人： P·亚申斯基;F·卡伦贝格;S·克兰普;R·席翁;R·泽尔特曼 -专利权人：格罗方德半导体公司
申请日： 2017-05-05 - 公布日： 2019-08-20 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明涉及用于工艺感知维度目标的先进工艺控制，揭示数种用于特定工艺的先进工艺控制(APC)的方法。在晶圆上进行特定工艺(例如，光刻或蚀刻工艺)以建立由特征组成的图案。进行此APC方法可最小化每次在相同晶圆的另一区域上或在不同晶圆上使用该特定工艺产生相同图案时每一个图案的维度变异。
用于工艺感知维度目标先进控制

[发明专利]湿法蚀刻工艺的先进工艺控制方法-CN201110441122.0无效
发明人：刘佳磊 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-12-26 - 公布日： 2013-06-26 - 主分类号： C23F1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种湿法蚀刻工艺的先进工艺控制方法，该方法包括以下步骤：通过测量装置测量，得到湿法蚀刻前膜的全图或线性膜厚度；减去湿法蚀刻后的目标膜厚度，确定实际的目标湿法蚀刻曲线；和根据所得实际的目标湿法蚀刻曲线确定蚀刻流程进行蚀刻
湿法蚀刻工艺先进控制方法

[发明专利]一种NAND闪存及制备方法-CN201410550486.6有效
发明人：亢勇;陈邦明 -专利权人：上海新储集成电路有限公司
申请日： 2014-10-16 - 公布日： 2015-01-07 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于Gate Last金属栅工艺的二维NAND型闪存，采用金属栅工艺实现NAND单元的控制栅，而不是传统的多晶硅环绕控制栅，可以实现与高介电常数金属栅先进CMOS工艺的集成，与目前主流的Gate Last CMOS工艺兼容，克服了目前NAND闪存工艺无法与先进标准逻辑工艺兼容的问题。同时提出了如何在高介电常数金属栅先进CMOS工艺中实现高压DMOS器件的方法，以实现NAND闪存的擦写操作。
一种 nand 闪存制备方法

[发明专利]用于半导体制造的先进工艺控制方法和系统-CN201010129593.3有效
发明人：曾衍迪;许志维;洪明永;范明煜;王若飞;牟忠一 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2010-03-03 - 公布日： 2010-10-06 - 主分类号： G05B19/04 文献下载
摘要：本发明的一实施例提供一种先进工艺控制方法和系统，适用于半导体制造，其中控制方法包括：提供即将被半导体机台处理的目前晶片；提供半导体制造机台所处理过的多个先前晶片的第一数据；将噪声自第一数据去耦合，用以产生第二数据；根据第二数据与目标数据的邻近程度，评估先进工艺控制执行效能；根据上述先进工艺控制执行效能，决定控制参数；以及根据控制参数，控制半导体制造机台，用以处理目前晶片。
用于半导体制造先进工艺控制方法系统

[发明专利]多晶硅栅极关键尺寸的先进控制方法-CN201610510996.X在审
发明人：聂钰节;唐在峰;吴智勇;任昱;吕煜坤 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2016-06-30 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明提供了一种多晶硅栅极关键尺寸的先进控制方法，用于在多晶硅栅极薄膜结构进行工艺时对半导体设备进行工艺控制，包括：提供测试半导体图形控片，所述测试半导体图形控片用于模拟测试半导体设备的工艺参数；在所述半导体设备中对所述测试半导体图形控片进行测试半导体工艺；基于所述测试半导体工艺获得所述半导体设备的当前工艺参数；将所述当前工艺参数更新至先进工艺过程控制系统；所述先进工艺过程控制系统基于所述当前工艺参数控制所述半导体设备对多晶硅栅极薄膜结构进行工艺。本发明能够在半导体设备的工艺参数发生漂移的情况下，控制半导体工艺的稳定性，解决了不同批次间以及设备腔体维护保养前后的半导体工艺的稳定性问题。
多晶栅极关键尺寸先进控制方法

[实用新型]空气分离先进控制系统及空气分离生产系统-CN202020142743.3有效
发明人：李德瑞;王向东;孙乐文 -专利权人：新能（廊坊）能源化工技术服务有限公司
申请日： 2020-01-22 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： F25J3/04 文献下载
摘要：本申请涉空气分离技术领域，尤其是涉及一种空气分离先进控制系统及空气分离生产系统，空气分离先进控制系统用于空分装置，包括：包括DCS控制装置和先进控制装置；DCS控制装置包括通信连接的检测组件和DCS控制器组件；先进控制装置包括相互通信连接的数据存储器、理想模型存储器、模型预测运算器和优化控制器组件；理想模型存储器存储有预冷模型数据、精馏模型数据。本申请提供的空气分离先进控制系统，通过空分装置能够在本空气分离先进控制系统的调节形成的优化区间内进行运作，控过程自动化程度极高，将消耗降到最低进而提高了整套系统的效率，并且工艺参数稳定、精度高，提高工艺质量
空气分离先进控制系统生产系统

[发明专利]一种用于ABS工艺的先进过程控制系统的控制方法-CN202310433089.X在审
发明人：谭炜;李建 -专利权人：北京鑫美格工程设计有限公司
申请日： 2023-04-21 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C08F279/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于ABS工艺的先进过程控制系统的控制方法，包括步骤：(1)ABS工艺流程；(2)ABS工艺控制流程；(3)APC在ABS工艺的应用：1)在上述ABS工艺中，为使ABS接枝粉有较高的质量，需要控制ABS接枝聚合的接枝度和接枝效率；2)APC软件安装在专门的服务器上；3)ABS工艺APC先进过程控制的设计方法。本发明能够解决在ABS工艺在聚合反应中DCS控制系统采用多个PID控制回路相互干扰，无法实现稳态控制的问题。
一种用于 abs 工艺先进过程控制系统控制方法

[发明专利]一种制程工艺参数的反馈控制方法-CN201810596414.3在审
发明人：王征;陈毅俊;阙兵;刘海燕 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2018-06-11 - 公布日： 2018-12-07 - 主分类号： B24B37/005 文献下载
摘要：本发明提供了一种制程工艺参数的反馈控制方法，应用于化学机械研磨工艺，包括：获取一待研磨晶圆的第一产品信息并发送至自动化程序控制设备；先进工艺控制设备根据第一产品信息以及一标准研磨速率处理获得待研磨晶圆的研磨时间并反馈至自动化程序控制设备；自动化程序控制设备根据研磨时间生成调节指令化学机械研磨设备，根据调节指令调节待研磨晶圆的研磨时间；在当前的待研磨晶圆研磨完成后，获得研磨完成后的晶圆的金属膜厚度的量测值；先进工艺控制设备根据量测值处理获得研磨速率其技术方案的有益效果在于，可有效解决导致金属膜偏差问题，以达到先进工艺对金属膜研磨制程工艺的要求。
研磨晶圆程序控制设备金属膜制程先进工艺控制产品信息反馈控制自动化量测化学机械研磨工艺化学机械研磨设备偏差问题时间生成速率处理速率配置先进工艺有效解决指令调节发送指令反馈应用

[发明专利]一种地黄配方颗粒及其制备方法和质量控制方法-CN200810184560.1有效
发明人：吴玢;付静;张翠 -专利权人：北京康仁堂药业有限公司
申请日： 2008-12-17 - 公布日： 2009-09-02 - 主分类号： A61K36/804 文献下载
摘要：本发明公开了一种地黄配方颗粒及其制备方法和质量控制方法，该配方颗粒以地黄饮片为原料，经过水提取两次、减压浓缩、喷雾干燥等工艺流程制得地黄配方颗粒，地黄配方颗粒每克相当生药量3-5克，地黄饮片及地黄配方颗粒均采用红外指纹图谱进行质量鉴别本发明地黄配方颗粒具有完整的、先进的生产工艺及专属性强的、可控的质量控制标准，工艺先进可以实现，质量标准涉及到的检测方法科学、先进、快捷，可操作性强。通过大量实验证明了本发明地黄配方颗粒所配汤液与含地黄的经典方饮片合煎液成分相当，实现了全成分配方颗粒的工艺，证明了本发明工艺的合理性；而且本发明将红外光谱技术应用于中药的质量控制，快速地解决了中药宏观质量控制中的一个首要问题
一种地黄配方颗粒及其制备方法质量控制

[发明专利]一种白术配方颗粒及其制备方法和质量控制方法-CN200810184568.8有效
发明人：吴玢;付静;张翠 -专利权人：北京康仁堂药业有限公司
申请日： 2008-12-17 - 公布日： 2009-07-08 - 主分类号： A61K36/284 文献下载
摘要：本发明公开了一种白术配方颗粒及其制备方法和质量控制方法，该配方颗粒以白术饮片为原料，经过水提取两次、减压浓缩、喷雾干燥等工艺流程制得白术配方颗粒，白术配方颗粒每克相当生药量3-5克，白术饮片及白术配方颗粒均采用红外指纹图谱进行质量鉴别本发明白术配方颗粒具有完整的、先进的生产工艺及专属性强的、可控的质量控制标准，工艺先进可以实现，质量标准涉及到的检测方法科学、先进、快捷，可操作性强。通过大量实验证明了本发明白术配方颗粒所配汤液与含白术的经典方饮片合煎液成分相当，实现了全成分配方颗粒的工艺，证明了本发明工艺的合理性；而且本发明将红外光谱技术应用于中药的质量控制，快速地解决了中药宏观质量控制中的一个首要问题
一种白术配方颗粒及其制备方法质量控制

[发明专利]一种羌活配方颗粒及其制备方法和质量控制方法-CN200810184567.3有效
发明人：吴玢;付静;张翠 -专利权人：北京康仁堂药业有限公司
申请日： 2008-12-17 - 公布日： 2009-07-08 - 主分类号： A61K36/237 文献下载
摘要：本发明公开了一种羌活配方颗粒及其制备方法和质量控制方法，该配方颗粒以羌活饮片为原料，经过先提取挥发油一次，药渣再用水提取两次，减压浓缩，喷雾干燥等工艺流程制得羌活配方颗粒，羌活配方颗粒每克相当生药量5-本发明羌活配方颗粒具有完整的、先进的生产工艺及专属性强的、可控的质量控制标准，工艺先进可以实现，质量标准涉及到的检测方法科学、先进、快捷，可操作性强。通过大量实验证明了本发明羌活配方颗粒所配汤液与含羌活的经典方饮片合煎液成分相当，实现了全成分配方颗粒的工艺，证明了本发明工艺的合理性；而且本发明将红外光谱技术应用于中药的质量控制，快速地解决了中药宏观质量控制中的一个首要问题
一种羌活配方颗粒及其制备方法质量控制

[发明专利]一种北沙参配方颗粒及其制备方法和质量控制方法-CN200810184572.4有效
发明人：吴玢;付静;张翠 -专利权人：北京康仁堂药业有限公司
申请日： 2008-12-17 - 公布日： 2009-07-08 - 主分类号： A61K36/23 文献下载
摘要：本发明公开了一种北沙参配方颗粒及其制备方法和质量控制方法，该配方颗粒以北沙参饮片为原料，经过水提取两次、减压浓缩、喷雾干燥等工艺流程制得北沙参配方颗粒，北沙参配方颗粒每克相当生药量10-20g，北沙参饮片及北沙参配方颗粒均采用红外指纹图谱进行质量鉴别本发明北沙参配方颗粒具有完整的、先进的生产工艺及专属性强的、可控的质量控制标准，工艺先进可以实现，质量标准涉及到的检测方法科学、先进、快捷，可操作性强。通过大量实验证明了本发明北沙参配方颗粒所配汤液与含北沙参的经典方饮片合煎液成分相当，实现了全成分配方颗粒的工艺，证明了本发明工艺的合理性；而且本发明将红外光谱技术应用于中药的质量控制，快速地解决了中药宏观质量控制中的一个首要问题
一种北沙参配方颗粒及其制备方法质量控制

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