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[实用新型]高效低故障型CTP导版模块-CN201920110135.1有效
发明人：李建军;董建军 -专利权人：河南新华印刷集团有限公司
申请日： 2019-01-23 - 公布日： 2019-12-03 - 主分类号： B41C1/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高效低故障型CTP导版模块，包括送版组件，所述送版组件包括安装在导杆上的中心皮带、左一皮带、右一皮带、左二皮带和右二皮带，所述导杆上还对应设置有位于左一皮带和左二皮带之间的左支撑轮、
皮带本实用新型右支撑轮左支撑轮导杆上套印刷皮带使用寿命分散皮带中心皮带组件包括印刷机冲版机低故障右支撑左支撑版材印版合并

[发明专利]一种凹槽连接的可修复型低屈服点钢阻尼器-CN201910178679.6有效
发明人：邵建华;王凯;王再会;赵超;徐艳 -专利权人：江苏科技大学
申请日： 2019-03-11 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： E04B1/98 文献下载
摘要：本发明公开了一种凹槽连接的可修复型低屈服点钢阻尼器，包括由与建筑结构件相连接的导杆连接部、带有T型凹槽的耗能件连接部及将导杆连接部和耗能件连接部相连接的连接块组合而成的滑动导杆以及套设于该滑动导杆上的带有T型凹槽的保护壳，保护壳与导杆连接部间设有U型耗能低屈服点钢板；滑动导杆耗能件连接部的T型凹槽和保护壳的T型凹槽间设有带翼缘的耗能低屈服点钢片。本发明的阻尼器不仅耗能减振效果强，且拆卸方便，通过设置U型耗能低屈服点钢板和带翼缘的耗能低屈服点钢片两种不同构造形式的耗能件，进而在地震或风荷载作用下滑动导杆左右运动使其产生塑性弯曲变形，达到耗能减震的效果
一种凹槽连接修复屈服点阻尼

[发明专利]燃气涡轮进口导叶叶型设计方法、燃气涡轮及航空发动机-CN202110936959.6有效
发明人：张绍文;王政;谭锋;屈彬;房兴龙 -专利权人：中国航发湖南动力机械研究所
申请日： 2021-08-16 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： G06F30/15 文献下载
摘要：本发明公开了一种燃气涡轮进口导叶叶型设计方法，通过仿真获取进口导叶叶型表面的等熵马赫数分布情况以及特征参数，获取进口导叶叶型表面的低负荷区域和进口攻角；采用前缘截断的方式截去进口导叶叶型前缘的低负荷区域以构建高负荷进口导叶叶型，同时增大进口导叶叶型的进口攻角以增加进口导叶叶型的前部负荷，为保持叶片在航空发动机中的轴向安装空间不变，对进口导叶叶型进行放大和参数重构，从而使进口导叶表面气动参数分布合理，气动损失少，且进口导叶放大后，涡轮的叶片栅距按相应比例放大，涡轮的叶片数相应按比例减少，从而减少用于进口导叶的冷气量，同时降低了制造成本。
燃气涡轮进口叶叶设计方法航空发动机

[发明专利]一种低导通压降平面栅IGBT的制备方法-CN202011397875.1有效
发明人：高东岳;张大华;叶枫叶;骆健 -专利权人：南瑞联研半导体有限责任公司
申请日： 2020-12-03 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明属于功率半导体器件设计技术领域，具体涉及一种低导通压降平面栅IGBT的制备方法，该方法依次制备了N型增强层、P型体区、N+区、介质层、发射极、P型集电区和集电极，制备出P型体区的底部和侧面为N型增强层的N‑P‑N结构，且P型体区底部和侧面的N型增强层不相连。本发明制备的低导通压降平面栅IGBT具有击穿电压高，反向传输电容低和导通压降较低的优点。
一种低导通压降平面 igbt 制备方法

[发明专利]一种折叠栅氧化镓基场效应晶体管-CN202110493781.2有效
发明人：罗小蓉;魏雨夕;鲁娟;杨可萌;魏杰;蒋卓林 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-05-07 - 公布日： 2023-02-07 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明针对氧化镓材料P型掺杂困难且增强型器件难以兼顾低导通电阻的问题，提出一种兼具高阈值电压和低导通电阻的横向增强型氧化镓场效应晶体管。利用金属与氧化镓的功函数差将鳍型导电沟道夹断，从而实现关断和高耐压，获得低泄漏电流及硬雪崩击穿特性；当栅压高于阈值电压，鳍型导电沟道侧壁形成电子积累层且折叠栅结构增加沟道密度，导通电阻大大降低。本发明的有益效果为，本发明的器件兼具高阈值电压和低导通电阻的优点且易于集成。
一种折叠氧化场效应晶体管

[发明专利]一种带飞轮导槽往复活塞的内燃机装置-CN201310213864.7有效
发明人：黄健;黄佑军 -专利权人：黄健
申请日： 2013-05-22 - 公布日： 2018-06-08 - 主分类号： F02B75/18 文献下载
摘要：一种带飞轮导槽往复活塞的内燃机装置，由机体及轴承、主轴、飞轮或轮盘、配重块、导槽、拨杆、连杆、活塞、汽缸构成；本发明采用在传统内燃机主轴的飞轮或轮盘上设置导槽，圆形导槽截面中心线经过主轴中心线，连杆上的拨杆插入导槽并与导槽耦合，导槽截面中心线所在圆的半径为e，拨杆的行程为4e；如果活塞带动连杆做往复直线运动，则连杆上的拨杆在导槽内滑行推动飞轮作循环圆周运动，反之亦然。所述汽缸，按不同的角度或夹角排列在一起，可以构成L型、V型、W型、T型或H型内燃机装置。连杆活塞只作水平往复直线运动，汽缸侧压力大大减少，构件寿命长、震动小、能耗低，加工制作成本低、技术要求低。
导槽飞轮拨杆内燃机装置汽缸截面中心线活塞往复活塞轮盘加工制作成本往复直线运动传统内燃机主轴中心线插入导槽构件寿命技术要求夹角排列连杆活塞水平往复圆形导槽圆周运动耦合侧压力配重块滑行轴承能耗震动

[发明专利]集成JFET提升第三象限导通特性的碳化硅MOSFET器件-CN202310227507.X在审
发明人：王新中;李轩;娄谦;徐文轩;梁军;岳德武;王卓;张波 -专利权人：深圳信息职业技术学院
申请日： 2023-02-28 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种集成JFET提升第三象限导通特性的碳化硅MOSFET器件，通过引入自调节耗尽型JFET，实现第三象限单极型导通并消除双击退化效应：阻断状态时，低掺杂N型电流扩展层作为JFET的沟道，该N型电流扩展层被相邻P型基区完全耗尽形成电子势垒，JFET关断以保持低泄漏电流及高击穿电压；正向导通时，N型电流扩展层被相邻P型基区完全耗尽，JFET关断以保持低导通压降；第三象限导通时，漏极电压负向提升克服N型电流扩展层完全耗尽所形成得电子势垒，该电子势垒高度显著低于碳化硅MOSFET体二极管开启电压，JFET开启以保持单极型电子输运。本发明在保证碳化硅MOSFET器件静态及动态参数不产生退化的前提下，有效提升碳化硅MOSFET第三象限导通能力并消除双极退化效应。
集成 jfet 提升第三象限特性碳化硅 mosfet 器件

[实用新型]直行电梯V型层门机-CN201220704889.8有效
发明人：范争志;于光明;罗海闽;王卫金;张靖辉;孙梅;金梅;张朝轩;刘海军;史洪涛 -专利权人：北京升华电梯有限公司
申请日： 2012-12-19 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： B66B13/08 文献下载
摘要：本实用新型涉及的直行电梯V型层门机，包括有层门门板、层门提拉杆、层门滑轮和连接杆，所述层门滑轮铰接在层门提拉杆上，所述层门提拉杆的下端与层门门板的上端相连，层门门板的下端与连接杆的上端相连，还包括有V型滑轨、V型导槽和楔型导靴，所述V型滑轨为两端高中间低，所述层门滑轮分别抵压在V型滑轨上，所述V型导槽设置在地坎上，所述V型导槽的底面为两端高中间低，两端向中间倾斜，所述楔型导靴设置在V型导槽内，所述连接杆的下端与楔型导靴相连接
直行电梯型层门机

[发明专利]适合低信噪比MC-CDMA系统的导频参数设计方法-CN202310981709.3在审
发明人：赵靓;张靖;黄子轩;苏华昇;徐思远;何家皓;许小东 -专利权人：天地信息网络研究院（安徽）有限公司
申请日： 2023-08-07 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H04L25/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种适合低信噪比MC‑CDMA系统的导频参数设计方法，针对低信噪比场景下提出周期性块型梳状导频结构，与传统导频参数设计方法相比，改善了低信噪比下的信道估计精度，导频参数更灵活，可使用的场景更加广泛本发明在导频结构上考虑多个导频块累积，形成周期性块型梳状导频结构，并将累积块长作为优化参数最小化导频开销，形成优化问题，并对提出的导频结构进行性能界分析，使得设计的导频在频谱效率角度是最优；导频结构在设计上兼容了传统导频结构对于高信噪比场景，与传统星状导频设计一致，不考虑累积块长下；对于低信噪比场景，通过累积块改善信道估计性能，但在频谱效率上优于传统梳状和块状导频。
适合低信噪 mc cdma 系统参数设计方法

[发明专利]横向扩散型低导通电阻MOS器件-CN201310153881.6有效
发明人：陈伟元 -专利权人：苏州市职业大学
申请日： 2013-04-28 - 公布日： 2013-09-04 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种横向扩散型低导通电阻MOS器件，包括：位于P型的衬底层内的P型阱层和N型轻掺杂层，栅氧层上方设有一栅极区；所述源极区与N型轻掺杂层之间且位于P型阱层上部开有至少两个凹槽，靠近源极区的凹槽刻蚀深度小于靠近所述N型轻掺杂层的凹槽刻蚀深度，且若干个所述凹槽的刻蚀深度由源极区至N型轻掺杂层方向依次增加；所述N型轻掺杂层内具有一P型轻掺杂区，此P型轻掺杂区位于N型轻掺杂层水平方向的中间区域，此P型轻掺杂区位于N型轻掺杂层垂直方向的中部区域通过上述方式，本发明能够提高耐击穿电压降低了器件比导通电阻，改善响应时间和频率特性，优化整体性能，减小体积。
横向扩散型低导通电 mos 器件

[实用新型]横向扩散型低导通电阻MOS器件-CN201320225402.2有效
发明人：陈伟元 -专利权人：苏州市职业大学
申请日： 2013-04-28 - 公布日： 2013-10-16 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种横向扩散型低导通电阻MOS器件，包括：位于P型的衬底层内的P型阱层和N型轻掺杂层，栅氧层上方设有一栅极区；所述源极区与N型轻掺杂层之间且位于P型阱层上部开有至少两个凹槽，靠近源极区的凹槽刻蚀深度小于靠近所述N型轻掺杂层的凹槽刻蚀深度，且若干个所述凹槽的刻蚀深度由源极区至N型轻掺杂层方向依次增加；所述N型轻掺杂层内具有一P型轻掺杂区，此P型轻掺杂区位于N型轻掺杂层水平方向的中间区域，此P型轻掺杂区位于N型轻掺杂层垂直方向的中部区域通过上述方式，本实用新型能够提高耐击穿电压降低了器件比导通电阻，改善响应时间和频率特性，优化整体性能，减小体积。
横向扩散型低导通电 mos 器件

[实用新型]一种变槽角托辊组配合变截面导料槽-CN201120365047.X有效
发明人：董学军;李景玺;刘政;赵玉竹 -专利权人：天津中远科技发展有限公司
申请日： 2011-09-28 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： B65G15/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种变槽角托辊组配合变截面导料槽，其包括两组标准槽型托辊组、两组过渡可变槽型托辊组、中间可变槽型托辊组和导料槽；中间可变槽型托辊组置于导料槽下方；两组过渡可变槽型托辊组分别置于中间可变槽型托辊组的两侧；两组标准槽型托辊组分别置于两组过渡可变槽型托辊组的外侧。本实用新型不仅结构简单、成本低且冲击小、运行噪音低。
一种变槽角托辊组配合截面导料槽

[实用新型]暖风毯-CN201020127195.3无效
发明人：李艳丹 -专利权人：南昌大学
申请日： 2010-03-10 - 公布日： 2010-12-15 - 主分类号： A47G9/02 文献下载
摘要：一种暖风毯，它包括毯子、U型导风管、暖风机、导风孔，其特征是毯子内设有U型导风管，U型导风管一端连有暖风机，U型导风管上开有若干个导风孔。本实用新型的技术效果是：结构简单，暖风机持续通入热风，长时间保持毯子受热保暖，使用成本低，保暖效果好。
暖风

[发明专利]一种低导通电阻的MOSFET功率器件及其制备方法-CN202211651952.0在审
发明人：黄汇钦 -专利权人：天狼芯半导体（成都）有限公司
申请日： 2022-12-21 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请属于半导体技术领域，提供了一种低导通电阻的MOSFET功率器件及其制备方法，低导通电阻的MOSFET功率器件包括：半导体衬底、N型漂移区、P型阱区、P型掺杂区、源极掺杂区、源极、栅极、栅极介质层以及漏极当MOSFET功率器件的栅极的电压超过了阈值电压，使得与栅极介质层接触的P型掺杂区和P型阱区的位置形成的通道都导通时，则MOSFET功率器件开始工作，由于P型掺杂区的导通电阻较小，因此可以使得MOSFET功率器件在工作时具有较小的导通电阻，如此使得在降低MOSFET功率器件导通电阻的同时还能使得MOSFET功率器件可以具有较大的阈值电压。
一种通电 mosfet 功率器件及其制备方法

[发明专利]一种转子磁极调制型可变磁通记忆电机-CN202110117533.8有效
发明人：李健;王凯;朱姝姝 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2021-01-28 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： H02K1/278 文献下载
摘要：本发明公开了一种转子磁极调制型可变磁通记忆电机，包括定子、磁极调制型转子、静置导磁环和直流脉冲绕组；磁极调制型转子包括S低矫顽力模块和N低矫顽力模块；S低矫顽力模块包括S低矫顽力永磁极、S实心轭部和S端部延长导磁环；N低矫顽力模块包括N低矫顽力永磁极、N实心轭部和N端部延长导磁环；S低矫顽力永磁极和N低矫顽力永磁极均包括弧形转子铁心叠片、高矫顽力永磁体和低矫顽力永磁体；弧形转子铁心叠片采用叠片沿轴向叠压而成；静止导磁环中绕设直流脉冲绕组本发明的转子上有两种磁极：低矫顽力永磁极和高矫顽力永磁极。磁极阵列满足转子磁极调制的原则，并采用旁路，实现直流脉冲绕组的无刷化供电。
一种转子磁极调制可变记忆电机

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