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[发明专利]电容器和包括电容器的DRAM器件-CN202210656561.1在审
发明人：郑圭镐;白东官;赵哲珍 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-06-10 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H10N97/00 文献下载
摘要：电容器可以包括：下电极；介电层结构，在下电极上；以及上电极，在介电层结构上。介电层结构可以包括多个介电层和在多个介电层中的介电层之间的至少一个插入层结构。电容器可以具有高电容和低漏电流。
电容器包括 dram 器件

[发明专利]具有埋栅结构的半导体器件及制造其的方法-CN201610048818.X有效
发明人：姜东均;曹豪辰 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2016-01-25 - 公布日： 2020-10-13 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：衬底，包含沟槽；栅极介电层，形成在沟槽的表面之上；栅电极，栅电极定位在比衬底的顶表面低的水平处，且包括嵌入至栅极介电层之上的沟槽的下部中的下掩埋部分以及定位在下掩埋部分之上的上掩埋部分；以及介电功函数调节内衬，定位在下掩埋部分与栅极介电层之间；以及偶极子，形成在介电功函数调节内衬与栅极介电层之间。
具有结构半导体器件制造方法

[实用新型]多重栅极介电层的结构-CN200420059202.5无效
发明人：杨育佳;杨富量;胡正明 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2004-05-25 - 公布日： 2006-01-11 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：本实用新型提供一种多重栅极介电层的结构。其中，该重栅极介电层的结构是包含一高介电常数介电层沉积于一具有原生氧化层的半导体基底上，该高介电常数介电层的介电常数大于8。该高介电常数介电层是不形成于一高效能组件区内，做为低漏电流组件区的一栅极介电层的一部分。
多重栅极介电层结构

[发明专利]低介电环氧树脂组合物及其制备方法、复合材料-CN202011128630.9在审
发明人：黄登亮;尚仰宏;王飞;沈旭望 -专利权人：中电科芜湖钻石飞机制造有限公司;中电科芜湖通用航空产业技术研究院有限公司
申请日： 2020-10-20 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： C08L63/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种低介电环氧树脂组合物及其制备方法、复合材料。该制备方法包括以下步骤：将第一基体环氧树脂与固化剂混合均匀，获得第一组分；将第二基体环氧树脂与第一介电改性剂混合、熔炼，获得第二组分；将第三基体环氧树脂与第二介电改性剂混合均匀，获得第三组分；在加热的条件下，将第四基体环氧树脂与增韧改性剂进行混合，直至增韧改性剂完全溶解，获得第四组分；在加热的条件下，将第一组分、第二组分、第三组分加入第四组分中，混合均匀，获得低介电环氧树脂组合物。本发明通过添加一定的介电改性剂，并改进增韧剂种类，及特定顺序制得的介电改性树脂体系具有较低的介电性能，同时具有较高的力学性能，能满足电子设备的低介电、高强度的要求。
低介电环氧树脂组合及其制备方法复合材料

[发明专利]半导体结构-CN200710006217.3有效
发明人：廖忠志 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2007-02-07 - 公布日： 2008-03-05 - 主分类号： H01L27/11 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构，包括静态随机存取存储器(SRAM)单元、第一金属层、层间介电材料(ILD)，第一第一层接触区、第二第一层接触区以及第二层接触区。SRAM单元包括第一上拉MOS装置、第一下拉MOS装置以及第一通栅MOS装置；层间介电材料位于第一金属层下方，且层间介电材料包括一层间介电材料相对高部分与一层间介电材料相对低部分；第一第一层接触区位于层间介电材料相对低部分，并且耦接第一上拉MOS装置、第一下拉MOS装置以及第一通栅MOS装置之中至少两个装置；第二第一层接触区位于层间介电材料相对低部分；第二层接触区位于层间介电材料相对高部分。
半导体结构

[发明专利]用于后段半导体器件加工的方法和装置-CN201210480065.1有效
发明人：王泓智;陈威戎;梁耀祥;连城广 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-11-22 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：两层金属层之间的金属间介电(IMD)层可以包括金属层上方的蚀刻终止层、蚀刻终止层上方的低k介电层、低k介电层上方的介电硬掩模层、介电硬掩模层上方的无氮抗反射层(NFARL)以及NFARL上方的厚度介于约
用于后段半导体器件加工方法装置

[发明专利]一种全范围无盲点除尘的电袋除尘器-CN201410418539.9有效
发明人：阮海生 -专利权人：阮海生
申请日： 2014-08-22 - 公布日： 2014-11-26 - 主分类号： B01D50/00 文献下载
摘要：本发明提出了一种全范围无盲点除尘的电袋除尘器，包括静电除尘部、袋式过滤部和介电电泳过滤部，介电电泳过滤部的出风口与排气通道相连，介电电泳过滤部由DEP净化处理单元组成，DEP净化处理单元包括DEP电极，DEP电极包括相对设置的阳极和阴极，DEP电极通过介电电泳力俘获袋式过滤部排出气体中的颗粒物。本发明通过静电除尘部和袋式过滤部过滤掉进气中的大颗粒粉尘，通过介电电泳过滤部过滤小颗粒特别是可入肺的粉尘，实现对尘粒全范围全面清除。另外，本发明的介电电泳过滤部采用介电电泳原理过滤粉尘，其能耗低，压力损失小，运行成本低。
一种范围盲点除尘除尘器

[发明专利]半导体结构和形成方法-CN201010227409.9有效
发明人： S·A·科恩;A·格里尔;T·J·小黑格;刘小虎;S·V·源;T·M·肖;H·肖芭 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2010-07-12 - 公布日： 2011-01-26 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：提供一种具有低于4.2的介电常数的介电帽盖层，其呈现比常规介电帽盖层更高的对UV和/或E束辐射的机械和电稳定性。并且，该介电帽盖层在经受沉积后处理时保持一致的压缩应力。该介电帽盖层包括三层介电材料，其中这些层中的至少一层具有良好的抗氧化性，对导电金属扩散有抵抗性，并且在至少UV固化时呈现高机械稳定性。该低k介电帽盖层还包括含氮层，该含氮层包含电子施主和双键电子。该低k介电帽盖层还呈现高压缩应力和高模量，且在沉积后的固化处理之下稳定，这导致较少的膜和器件开裂以及改善的器件可靠性。
半导体结构形成方法

[实用新型]一种全范围无盲点除尘的电袋除尘器-CN201420478353.8有效
发明人：阮海生 -专利权人：阮海生
申请日： 2014-08-22 - 公布日： 2015-01-28 - 主分类号： B01D50/00 文献下载
摘要：本实用新型提出了一种全范围无盲点除尘的电袋除尘器，包括静电除尘部、袋式过滤部和介电电泳过滤部，介电电泳过滤部的出风口与排气通道相连，介电电泳过滤部由DEP净化处理单元组成，DEP净化处理单元包括DEP电极，DEP电极包括相对设置的阳极和阴极，DEP电极通过介电电泳力俘获袋式过滤部排出气体中的颗粒物。本实用新型通过静电除尘部和袋式过滤部过滤掉进气中的大颗粒粉尘，通过介电电泳过滤部过滤小颗粒特别是可入肺的粉尘，实现对尘粒全范围全面清除。另外，本实用新型的介电电泳过滤部采用介电电泳原理过滤粉尘，其能耗低，压力损失小，运行成本低。
一种范围盲点除尘除尘器

[发明专利]一种Li系微波介电陶瓷材料及其制备方法和用途-CN201910015547.1在审
发明人：汪洋;杨永兴;楼倩;杨文静 -专利权人：工业和信息化部电子第五研究所华东分所
申请日： 2019-01-08 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： C04B35/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种Li系微波介电陶瓷材料及其制备方法和用途。该发明的Li系微波介电陶瓷材料，包含主料Li₂CO₃、SiO₂和MgO，还包含取代料NiO。本发明的Li系微波介电陶瓷材料具有低介电常数、高品质因数、高相对密度以及低致密化温度的优异特性。本发明的Li系微波介电陶瓷材料的制备方法，在1120～1160℃低的烧结温度下，改善了Li₂MgSiO₄微波介电陶瓷的烧结特性、微观形态和电学性能，在添加少量助烧剂的情况下
微波介电陶瓷材料制备烧结微波介电陶瓷低介电常数高品质因数电学性能烧结特性微观形态致密化助烧剂主料

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN200610164029.9有效
发明人：吴仓聚;章勋明 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2006-12-05 - 公布日： 2007-06-13 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：一种半导体结构及其制造方法，其中该半导体结构包括：一基底；一第一低介电常数介电层，其覆盖该基底，包括一第一区以及一第二区；多个导电构件，其位于该低介电常数介电层内；一上盖层，其位于所述导电构件的至少一部分上；以及一介电上盖层，其覆盖该第一低介电常数介电层的第二区上，且未设置于该第一区，其中位于该第二区内的所述导电构件比位于该第一区内的所述导电构件的间距更宽。该介电上盖层优选具有一固有压缩应力。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]具有滑动介电膜的基板及其制造方法-CN201811308557.6有效
发明人：朴圣奎;金东好;郑昊相 -专利权人：韩国材料研究院
申请日： 2018-11-05 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： B81B5/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种基板以及制造该基板的方法，该基板通过使用具有低表面能的滑动介电膜激活金属吸附原子的表面迁移形成。更具体地，一种具有滑动介电膜的基板包括基板；在所述基板上形成的具有低表面能的滑动介电膜；以及在所述滑动介电膜上形成的纳米颗粒，其中纳米颗粒的表面能比滑动介电膜的表面能至少大1000mJ/m低光损失特性。
具有滑动介电膜及其制造方法

[发明专利]一种微发泡低介电氰酸酯树脂及其制备方法-CN202011238561.7有效
发明人：徐畅;欧秋仁;董大为;陈哲明;周子群 -专利权人：航天特种材料及工艺技术研究所
申请日： 2020-11-09 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： C08L79/04 文献下载
摘要：本发明公开一种微发泡低介电氰酸酯树脂及其制备方法，属于材料技术领域，该微发泡低介电氰酸酯树脂按质量份数计包括氰酸酯树脂75～95份、环氧树脂5～25份、热塑性树脂5～20份、发泡剂0.25～5份和催化剂本微发泡低介电氰酸酯树脂具有微米级别的气孔，从而在树脂中引入空气减少界面损耗，使其具有较低的介电常数和损耗角正切，介电性能随频率变化波动小，同时具有较好的导热性，平衡了树脂的力学性能和介电性能。
一种发泡低介电氰酸树脂及其制备方法

[发明专利]低损低介电材料的测量方法及测量系统-CN201710772731.1有效
发明人：徐浩;梁伟军;高秋来 -专利权人：中国计量科学研究院
申请日： 2017-08-31 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： G01R27/26 文献下载
摘要：本发明提供的低损低介电材料的测量方法及测量系统，利用射频或毫米波双通道衰减测量系统能够测量被测材料相移的优势，通过调整源反射系数和负载反射系数，使源反射系数和负载反射系数的一系列值分别形成一个等幅度的矢量圆，再通过求解圆心，计算出被测低损低介电材料的传输系数和反射系数，最终通过NRW(Nicolson–Ross–Weir)公式计算得到被测材料的介电系数和/或磁导率。本发明能够提高介电系数和磁导率测量结果的准确度。
低损低介电材料测量方法测量系统

[发明专利]低介电聚酰亚胺用树脂组合物、聚酰亚胺、聚酰亚胺膜及覆铜板-CN201710847281.8有效
发明人：黄楠昆;向首睿;高郁雯;苏赐祥 -专利权人：臻鼎科技股份有限公司
申请日： 2017-09-19 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： C08G73/10 文献下载
摘要：一种低介电聚酰亚胺用树脂组合物，其包括脂肪族酸酐、长链二胺及酯类二胺。本发明的低介电聚酰亚胺用树脂组合物制备的聚酰亚胺的主链上导入有具有低极化率的基团，可以使原子团的摩尔极化率下降而降低介电常数，使得聚酰亚胺可以具有较低的介电常数及介电损耗。另，本发明还提供一种应用该低介电聚酰亚胺用树脂组合物制得的聚酰亚胺，一种由该聚酰亚胺制得的聚酰亚胺膜，及一种应用该聚酰亚胺膜的覆铜板。
低介电聚酰亚胺树脂组合铜板