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[发明专利]布局优化方法及布局优化系统-CN201911321133.8有效
发明人：王钦克 -专利权人：上海安路信息科技有限公司
申请日： 2019-12-20 - 公布日： 2021-01-08 - 主分类号： G06F30/398 文献下载
摘要：本发明提供了一种布局优化方法，包括对电路进行时序分析，从时序器件中提取时序关键器件，将所述时序关键器件按照时序裕量进行排序，选取一个所述时序关键器件，计算偏差值，判断所述偏差值大于偏差阈值，进行位置优化处理，按照所述排序依次选取所述时序关键器件，直至完成所有所述时序关键器件的所述位置优化处理。所述偏差值大于偏差阈值，按照所述排序依次选取所述时序关键器件进行位置优化处理，使所有所述时序关键器件的位置都得到优化，避免了所述时序关键器件之间的相互影响，减少了所述时序关键器件的时延，提高了时序优化效果本发明还提供了一种用于实现所述布局优化方法的布局优化系统。
布局优化方法系统

[发明专利]一种基于器件性能的RESURF功率器件结构自动优化方法-CN202010248744.0有效
发明人：郭宇锋;陈静;张茂林;杨可萌 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2020-03-31 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： G06F30/27 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于器件性能的RESURF功率器件结构自动优化方法，包括：S1：设定结构参数范围，获取不同结构预测器件性能的数据集，训练由器件结构预测器件性能的神经网络模型；S2：设定目标函数为器件理想性能与预测性能之间的误差函数；S3：在选取器件结构参数范围内，初始化结构选取，预测选取结构的性能，计算目标函数值并将其反馈给结构优化选取模型，优化选取结构的模型，重复优化选取结构过程直至给出满足预期性能指标的器件结构。本发明利用贝叶斯优化，强化学习等方法，使用器件性能指标，能够精确、简单快速的进行器件结构的自动优化，并且降低了成本。本发明优化的器件结构，其性能指标相对于实际理想值偏差均值在5％左右，精确度较高。
一种基于器件性能 resurf 功率结构自动优化方法

[发明专利]利用机器学习辅助优化的多层电子器件鲁棒优化设计方法-CN202010639297.1在审
发明人：无奇;王海明;余晨;陈炜琦;尹杰茜;洪伟 -专利权人：东南大学
申请日： 2020-07-06 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： G06F30/27 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用机器学习辅助优化的多层电子器件鲁棒优化设计方法，该方法构建了一种多层的电子器件鲁棒优化设计架构，并在其每层中引入机器学习辅助优化方法，从而可以利用已有信息预测包括电子器件性能响应、特定输入容差下的最差性能和特定输出容差下的最大输入容差超容量等信息，大大加速电子器件鲁棒优化设计流程。该方法可用于包括天线、阵列、有源及无源微波毫米波器件等在内的电子器件的鲁棒优化设计等领域。
利用机器学习辅助优化多层电子器件设计方法

[发明专利]一种亚阈值电路设计的优化方法及装置-CN201910435770.1有效
发明人：吴玉平;陈岚;张学连 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2019-05-23 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G06F30/30 文献下载
摘要：本发明提供一种亚阈值电路设计的优化方法及装置，预先设置有不同阈值电压下的逻辑单元的查询数据，查询数据包括器件参数‑延时数据，在对待优化亚阈值电路进行延时分析之后，对于出现的延时不匹配的待优化路径，通过对路径内逻辑单元的器件参数的调整，进行延时优化，优化时通过预先设置的查询数据来确定调整的器件参数，同时，待优化延时电路中各逻辑单元采用不同阈值电压下器件参数进行变化，最终，以最小功耗时待优化延时电路中各逻辑单元对应的单元器件参数作为优化结果这样，在延时优化的同时降低功耗。
一种阈值电路设计优化方法装置

[发明专利]电子器件散热性能评估及多力场调控优化设计方法及装置-CN202210832523.7在审
发明人：张兴;樊傲然;李玉璞 -专利权人：清华大学
申请日： 2022-07-15 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本公开涉及电子器件热评估及热设计技术领域，尤其涉及一种电子器件散热性能评估及多力场调控优化设计方法及装置。其中，该方法包括：获取目标器件；确定目标器件对应的初始应力场及约束分布；基于初始应力场及约束分布对目标器件的散热性能进行评估，若目标器件对应的散热性能评估结果不满足器件散热性能条件，则对初始应力场及约束分布进行优化，得到满足器件散热性能条件的目标应力场及约束分布设计方案。本公开可以提高电子器件散热性能评估的准确性和可靠性，降低对电子器件进行散热优化时的所需的额外能耗，提高对电子器件进行散热优化时的优化效果。
电子器件散热性能评估力场调控优化设计方法装置

[发明专利]一种CMOS半导体器件及其制造方法-CN202211347311.6在审
发明人：卿晨;常建光;赵学法 -专利权人：上海积塔半导体有限公司
申请日： 2022-10-31 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L21/70 文献下载
摘要：本发明提供了一种CMOS半导体器件及其制造方法，分别在不同衬底上制造NMOS及PMOS，再通过晶圆键合将PMOS器件硅片和NMOS器件硅片键合在一起，形成CMOS器件。在制造NMOS器件时，便不用考虑其对PMOS器件的不良影响，便可将所有优化条件均调控至使得NMOS器件性能最优化。在制造PMOS器件时，便不用考虑其对NMOS器件的不良影响，便可将所有优化条件均调控至使得PMOS器件性能最优化。从而获得高迁移率、高集成度的CMOS器件。同时由于分开制造PMOS器件和NMOS器件再键合形成CMOS器件的办法，使得PMOS器件和NMOS器件可以并行制造，CMOS器件的制造时间大大减少，缩短了制造周期。
一种 cmos 半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种基于鲁棒优化的新能源电网并网装备配置方法-CN202110142902.9有效
发明人：张承慧;张立志;邢相洋;孙波 -专利权人：山东大学
申请日： 2021-02-02 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H02J3/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于鲁棒优化的新能源电网并网装备配置方法。该方法包括：基于性能参数、设备参数和能源参数建立拓扑电路全工况模型，利用所述拓扑电路全工况模型分析器件参数与调制模式间的耦合关系；采用嵌套优化，建立第一级调制模式优化模型和第二级器件参数鲁棒优化模型，分别完成第一级调制模式优化和第二级器件参数鲁棒优化，实现两级之间的交互迭代，得到器件参数的性能指标范围，根据器件参数的性能指标范围，输出符合条件的器件。
一种基于优化新能源电网并网装备配置方法

[发明专利]计及功能配合关系及散热距离的板卡元器件优化布局方法-CN202310140171.3在审
发明人：金龙;周泽昕;詹荣荣;杨国生;孟江雯;刘龙浩;张坤俊 -专利权人：中国电力科学研究院有限公司;国家电网有限公司
申请日： 2023-02-13 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： G06F30/392 文献下载
摘要：本发明公开了一种计及功能配合关系及散热距离的板卡元器件优化布局方法。其中，方法包括：确定继电保护设备散热优化设计板卡的基本信息；根据板卡的基本信息，完成板卡上元器件位置的初始布局；根据热叠加模型构建元器件自身温度的评价函数；根据元器件之间的功能配合关系，形成约束条件；根据目标函数以及约束条件，求解优化模型；根据优化模型，完成继电保护设备的板卡上元器件的散热优化布局。
功能配合关系散热距离板卡元器件优化布局方法

[发明专利]一种基于多目标优化算法的HPM产生器件优化方法-CN201810297935.9有效
发明人：李小泽;宋玮;沈志远;朱晓欣;张立刚 -专利权人：西北核技术研究所
申请日： 2018-03-30 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：为了解决传统的对HPM产生器件进行多目标优化方法的优化结果具有很大不确定性的问题，本发明提供了一种基于多目标优化算法的HPM产生器件优化方法。本发明考虑到对于HPM产生器件而言，输出功率是最重要的优化目标，而其它例如起振时间、频率等也是需要考虑的较重要的优化目标，因此，本发明以HPM器件的输出功率作为主优化参数，将其它优化目标作为归一化修正目标，在优化输出功率时，不会影响和破坏对其它优化目标比如起振时间、频率等，既能保证输出功率这个最重要的优化目标达到指标，又能保证其它优化目标达到指标。
一种基于多目标优化算法 hpm 产生器件方法

[发明专利]一种亚阈值组合逻辑电路的优化方法及装置-CN201810410993.8有效
发明人：吴玉平;陈岚;孙旭 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2018-05-02 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G06F30/337 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种亚阈值组合逻辑电路的优化方法及系统，在确定亚阈值组合逻辑电路的输入信号集合之后，从所述输入信号集合中选择输出不同的输入信号分别作为所述电路的输入转变组合，根据所述电路中器件栅极电压的变化，在所述电路中确定当所述电路的输入转变时，影响电路输入‑输出延时的器件，这样，在进行优化时，以所述影响电路输入‑输出延时的器件为约束条件，进行所述电路器件尺寸的优化，以使得所述输入转变下的延迟时间满足预设条件该方法中，通过输入信号转变时，从电路中确定影响电路输入‑输出延时的器件，以这些器件作为约束条件，进行电路器件尺寸的优化，大大缩小了亚阈值组合逻辑电路的优化空间，加速优化过程。
一种阈值组合逻辑电路优化方法装置

[发明专利]一种TO封装功率半导体器件结构优化设计方法-CN202110531073.3有效
发明人：黄志亮;邓洁莲;邓曙光;阳同光;李航洋;陈敢新 -专利权人：湖南城市学院
申请日： 2021-05-16 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： G06F30/23 文献下载
摘要：本发明涉及功率半导体器件技术领域，公开了一种TO封装功率半导体器件结构优化设计方法，旨在为TO封装功率半导体器件结构优化提供了实用的设计工具。该方法首先定义了待优化功率半导体器件的优化目标、设计变量和约束；其次，建立了有限元分析模型以分析器件中芯片的热应力和翘曲；再次，结合响应面技术，构建了两个结构优化模型，依次优化芯片结构尺寸和位置尺寸。与现有技术相比，该方法依次对芯片结构尺寸和位置尺寸实施优化，能够最小化芯片翘曲并满足热应力、芯片面积约束；步骤清晰，易于理解，可直接用于解决一般TO封装功率半导体器件的结构设计问题，具有良好的易用性和适用性
一种 to 封装功率半导体器件结构优化设计方法

[发明专利]一种随机载荷下压接式IGBT器件性能稳健性优化设计方法-CN202010397865.1有效
发明人：黄志亮;阳同光;黎灿兵;李文芳 -专利权人：湖南城市学院
申请日： 2020-05-12 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： G06F30/3308 文献下载
摘要：本发明涉及全控型电压驱动式功率半导体器件领域；公开了一种随机载荷下压接式IGBT器件性能稳健性优化设计方法，该方法包括以下处理步骤：基于待优化的压接式IGBT器件，选取设计目标和约束；提取应力分析相关结构并给定分析参数；建立热力耦合有限元模型；建立IGBT器件性能函数；构建IGBT器件性能稳健性优化模型；求解性能稳健性优化模型；基于最优解，构建IGBT器件的最优结构设计方案。与现有技术相比，所提方法中给出性能稳健性优化设计模型及求解方法，兼顾了芯片最大接触应力和最小典型接触应力，考虑了芯片热载荷的随机过程，为随机载荷下的IGBT性能稳健性优化提供了一种高效的设计工具。
一种随机载荷下压 igbt 器件性能稳健优化设计方法

[发明专利]一种优化量子阱HEMT器件沟道层厚度的方法-CN201210072930.9有效
发明人：胡伟达;王晓东;陈效双;陆卫 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2012-03-19 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明公开了一种优化AlN/GaN/AlN量子阱HEMT器件沟道层厚度的方法，该方法是通过器件模拟发现在材料生长过程中将GaN沟道层的厚度控制在15～22nm之间可以很好地改善器件性能，并且根据所得结果制作了AlN/GaN/AlN量子阱HEMT器件，进而为优化AlN/GaN/AlN量子阱HEMT器件提供了依据。本发明对于改善器件性能和优化器件设计都有着十分重要的意义。
一种优化量子 hemt 器件沟道厚度方法

[发明专利]一种OLED器件多个目标的协同优化方法-CN202011321669.2有效
发明人：谷洪刚;刘世元;陈林雅;柯贤华;赵雪楠;江浩 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2020-11-23 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明属于OLED器件相关技术领域，其公开了一种OLED器件多个目标协同优化方法，该方法首先分别获取多个目标与OLED器件膜层的厚度矩阵的关系式；然后分别获取多个关系式与其对应的预设目标期望值的偏差，并建立多个偏差的联合函数以获取联合优化函数；接着改变联合优化函数中膜层厚度矩阵中的第k个膜层的厚度，分别获取多个膜层厚度的全局灵敏度函数；最后改变全局灵敏度函数中的膜层厚度计算对应的灵敏度函数值，将灵敏度函数值大于预设值的膜层作为待优化层，联合调节待优化层的膜层厚度使得联合优化函数达到极值或常数最大值，即可获得膜层厚度优化后的OLED器件。本申请从多维度对OLED器件的厚度进行优化，获得各方面性能均较优的器件。
一种 oled 器件目标协同优化方法

[发明专利]一种热放大超器件及其多尺度拓扑优化设计与制备方法-CN202310321333.3在审
发明人：肖蜜;沙伟;高亮;汪逸晖;黄明喆 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2023-03-29 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： G06F30/23 文献下载
摘要：本发明属于热学超材料设计相关技术领域，其公开了一种热放大超器件及其多尺度拓扑优化设计与制备方法，该方法包括以下步骤：(1)在宏观尺度，基于待优化热放大器件的形状和放大倍数，采用区域变换热学方法计算热放大超器件内部所需的热传导张量；(2)在微观尺度，建立具有设定热传导张量的微结构拓扑优化模型，进而基于所述微结构拓扑优化模型及热放大超器件内部所需的热传导张量拓扑优化设计出对应的微结构构型。本发明设计的热放大超器件，采用跨尺度拓扑优化放大设计其特定的结构，具有较高的设计自由度。
一种放大器件及其尺度拓扑优化设计制备方法

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