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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]磁记录介质和磁记录/再现装置-CN200610168781.0无效
发明人：前田知幸;高桥研;冈正裕 -专利权人：株式会社东芝;国立大学法人东北大学;昭和电工株式会社
申请日： 2006-12-20 - 公布日： 2007-06-27 - 主分类号： G11B5/66 文献下载
摘要：一种磁记录介质(10)，其中形成多层底层(7)，多层底层(7)包括包含对齐在(111)平面的Cu的第一底层(3)，以及形成在第一底层上的并且包含Cu和氮作为主要成分的第二底层(4)。
记录介质再现装置

[实用新型]一种基于绝缘介质空气槽的表面等离子激元纳米激光器-CN201620351784.7有效
发明人：李芳;魏来;周剑心 -专利权人：武汉工程大学
申请日： 2016-04-25 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： H01S5/10 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种基于绝缘介质空气槽的表面等离子激元纳米激光器，包括：基底层、增益介质腔体、金属薄膜层及绝缘介质层；增益介质腔体与基底层上表面接触。金属薄膜层设置在增益介质腔体的两侧；金属薄膜层与基底层的上表面接触。绝缘介质层设置在增益介质腔体与金属薄膜层之间；绝缘介质层的中部开设有纵向通孔，进而形成间隙区；增益介质腔体的两侧位于间隙区。
一种基于绝缘介质空气表面等离子纳米激光器

[发明专利]热辅助磁记录介质和磁记录再生装置-CN201380022551.1有效
发明人：神边哲也;丹羽和也;村上雄二;张磊 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2013-04-30 - 公布日： 2017-11-28 - 主分类号： G11B5/738 文献下载
摘要：使用一种热辅助磁记录介质(1)，该磁记录介质具备基板(101)；在基板(101)上形成的基底层(3)；和在基底层(3)的正上方形成的以具有L10结构的合金为主成分的磁性层(107)，基底层(3)是以下的层连续地层叠而成的第1基底层(104)，其具有晶格常数为0.302nm以上0.332nm以下的BCC结构；第2基底层(105)，其含有C且具有NaCl结构；和第3基底层(106)，其由MgO形成。
辅助记录介质再生装置

[发明专利]一种用于可穿戴设备的滤波天线-CN201810473582.3在审
发明人：刘雄英;朱海祥;李忠心;杨洪财 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2018-05-17 - 公布日： 2018-09-04 - 主分类号： H01Q1/27 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于可穿戴设备的滤波天线，包括顶层介质基板、底层介质基板、天线辐射单元、顶层金属地板、底层金属地板及人造磁导体结构，所述顶层介质基板的上表面印制天线辐射单元，其下表面印制顶层金属地板，所述底层介质基板的上表面刻蚀人工磁导体结构，其下表面印刷底层金属地板；所述天线辐射单元由圆形贴片及微带耦合馈电枝节结构构成。
地板天线辐射单元可穿戴设备底层介质底层金属顶层金属介质基板滤波天线上表面下表面顶层基板无线通信领域磁导体结构人工磁导体人体局域网穿戴设备辐射单元馈电枝节滤波性能微带耦合印制天线圆形贴片抗干扰低剖面高增益可用刻蚀印刷印制

[发明专利]一种低漏电流单向TVS结构-CN202111401648.6在审
发明人：彭时秋;喻先坤;王涛;肖步文;贺琪;张世权;张继 -专利权人：无锡中微晶园电子有限公司
申请日： 2021-11-19 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开一种低漏电流单向TVS结构，属于浪涌保护器件领域，包括衬底层、外延层、有源区、欧姆接触区、隔离区、介质层、金属层和钝化层；所述外延层形成于所述衬底层上；所述有源区和所述欧姆接触区均形成于所述外延层中；所述隔离区形成于所述外延层和所述衬底层中，贯穿所述外延层并延伸至所述衬底层中；所述介质层形成于所述外延层的表面；所述金属层形成于所述介质层和所述有源区及所述欧姆接触区上；所述钝化层形成于所述金属层及所述介质层上
一种漏电单向 tvs 结构

[发明专利]基于集成基片间隙波导的5G毫米波带通滤波器-CN202110520270.5有效
发明人：申东娅;刘明振 -专利权人：云南大学
申请日： 2021-05-13 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： H01P1/20 文献下载
摘要：该5G毫米波带通滤波器，包括：顶层介质板、中间层介质板以及底层介质板；顶层介质板的上表面印刷有金属层，顶层介质板内设有周期性金属通孔，顶层介质板的下表面印刷有周期性的金属贴片；顶层介质板中周期性金属通孔和金属贴片构成电磁带隙结构，形成理想磁导体；底层介质板的上表面印刷有两个开口相向的三角形谐振器，底层介质板的下表面印刷有金属层；对于任一三角形谐振器，开口相对的三角形顶点处连接微带线；底层介质板长度长于顶层介质板的长度以及中间层介质板的长度
基于集成间隙波导毫米波带通滤波器

[发明专利]磁记录介质-CN200410082421.X有效
发明人：檜上竜也;铃木博之;神边哲也;阪本浩二 -专利权人：日立环球储存科技荷兰有限公司
申请日： 2004-09-17 - 公布日： 2012-04-25 - 主分类号： G11B5/66 文献下载
摘要：本发明旨在为高度可靠的能高密度读写信息的磁记录设备提供磁记录介质。磁记录设备包括：磁记录介质，在记录方向上驱动介质的驱动器，电磁感应型写磁头和自旋阀型读磁头相接合的复合型磁头，移动磁头相对于介质运行的装置和磁头的读写信号处理装置。磁记录介质具有通过基底上的第一、第二、第三底层形成的磁性层。第一底层包含非晶结构的合金，第二底层包含钨元素或者含有钨元素的合金层，第三底层包含单层或多层体心立方结构的铬基合金层，磁性层包含单层或多层六角密堆结构的钴基合金层。
记录介质

[发明专利]一种采用双层圆形贴片的双通带平衡滤波器-CN202010448346.3有效
发明人：张钢;刘事成;张其运;张菡茜;张可琢;杨继全 -专利权人：南京师范大学
申请日： 2020-05-25 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01P1/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用双层圆形贴片的双通带平衡滤波器，包括上下两层介质基板，所述上下两层介质基板中间设有金属接地板，所述上层介质基板顶层金属板设有顶层圆形贴片、第一输入端口馈线、第二输入端口馈线、顶层第一槽线和顶层第二槽线，所述下层介质基板底层金属板设有底层圆形贴片、第一输出端口馈线、第二输入端口馈线、底层第一槽线和底层第二槽线，所述金属接地板设有接地板第一槽线和接地板第二槽线。所述输入端口馈线一端延伸至介质基板的侧边，另一端与圆形贴片相切。
一种采用双层圆形双通带平衡滤波器

[发明专利]磁记录介质和磁记录再生装置-CN201310376361.1有效
发明人：丹羽和也;神边哲也;村上雄二;张磊 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2013-08-26 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： G11B5/65 文献下载
摘要：本发明的磁记录介质，具有在基板上形成的基底层、和在基底层上形成的以具有L10型晶体结构的合金为主成分的磁性层。基底层从基板侧起依次具有晶格常数a为2.87埃≤a＜3.04埃的第一基底层；晶格常数a为3.04埃≤a＜3.18埃的BCC结构的第二基底层；晶格常数a为3.18埃≤a＜3.31埃的BCC结构的第三基底层；和具有NaCl型晶体结构的上层基底层。第一基底层具有B2结构、或具有以Cr为主成分的BCC结构，本发明的磁记录介质采用热辅助磁记录方式或微波辅助磁记录方式记录信息。
记录介质再生装置

[发明专利]垂直磁记录介质和磁记录再现装置-CN201610208270.0有效
发明人：徐晨;黑川刚平 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2016-04-06 - 公布日： 2019-06-25 - 主分类号： G11B5/667 文献下载
摘要：本发明提供垂直磁记录介质和磁记录再现装置。本发明的垂直磁记录介质是在非磁性基板上依次至少层叠背衬层、基底层、中间层、垂直磁记录层而成的，其中，所述背衬层至少具备具有非晶质结构的软磁性膜，所述基底层是从所述非磁性基板侧起层叠第1基底层和第2基底层而成的，所述第1基底层由非晶质结构的TiV合金构成，所述第2基底层包含NiW合金，所述中间层包含Ru或Ru合金，具有所述非晶质结构的软磁性膜、第1基底层、第2基底层相接地设置。
垂直记录介质再现装置

[发明专利]一种倒置蘑菇钉结构小型化天线-CN202110523303.1在审
发明人：扆梓轩;刘安琦;李美玲;杨雪霞 -专利权人：上海大学
申请日： 2021-05-13 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： H01Q1/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种倒置蘑菇钉结构小型化天线，包括：上层结构、与所述上层结构相贴设置的中层结构及与所述中层结构相贴设置的下层结构；所述中层结构包括顶层介质及与所述顶层介质相贴设置的底层介质，所述底层介质远离顶层介质的一端面上贴附有下层完整地板；所述上层结构包括多个金属线，所述金属线呈m*n周期排列于顶层介质远离底层介质的一端面上，且每个金属线之间相互垂直相交，且每个金属线相交的位置处对应设置有金属贴片，所述金属贴片贴附设置于顶层介质靠近底层介质的一端面上
一种倒置蘑菇结构小型化天线

[发明专利]一种平坦化方法-CN201010545902.5有效
发明人：肖志强;黄蕴;张明;吴建伟 -专利权人：无锡中微晶园电子有限公司
申请日： 2010-11-16 - 公布日： 2011-06-15 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本发明涉及一种平坦化方法，其包括如下步骤：a、提供衬底，衬底上设置底层金属连线；b、淀积绝缘介质层；c、涂布光刻胶；d、对衬底及光刻胶进行热处理；e、对衬底及光刻胶进行干法刻蚀，并保留位于金属连线底层台阶处的绝缘介质层；f、用EKC溶液清洗；g、再次淀积绝缘介质层；h、再次涂布光刻胶；i、对上述衬底及光刻胶进行热处理；j、对上述衬底及光刻胶进行干法刻蚀，去除绝缘介质层及所述绝缘介质层上的光刻胶，并保留位于金属连线底层台阶处的绝缘介质层；所述保留的绝缘介质层的厚度与所述底层金属连线的厚度相当；k、对上述衬底通过干法去胶后，再用EKC溶液清洗。
一种平坦方法

[发明专利]一种基于角度扫描增强红外光谱吸收的介质超表面-CN201911214494.2有效
发明人：朱锦锋;谢奕浓;李法君;刘雪莹 -专利权人：厦门大学
申请日： 2019-12-02 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： G01N21/35 文献下载
摘要：本发明涉及超材料领域，提供了一种基于角度扫描增强红外光谱吸收的介质超表面，所述介质超表面包括：下层金属层、中间层衬底层、上层介质光栅以及上层共形化合物；所述下层金属层和所述中间层衬底层为自下而上复合形成；所述上层介质光栅呈周期性均匀分布在所述中间层衬底层上；所述上层共形化合物在通过预设角度的光源扫描时均匀涂覆在所述中间层衬底层和所述上层介质光栅表面。本发明实施例提供的基于角度扫描增强红外光谱吸收的介质超表面，在利用此介质表面进行痕量检测时，不但可以增加光和物质间的相互作用，还可以有效提高对物质的感知性能，提高了检测的精准度。
一种基于角度扫描增强红外光谱吸收介质表面

[发明专利]一种低损耗介质加载型表面等离子激元光波导-CN201010238680.2无效
发明人：郑铮;卞宇生;刘娅;朱劲松 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2010-07-28 - 公布日： 2011-08-31 - 主分类号： G02B6/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有低传输损耗和较强光场限制能力的介质加载型表面等离子激元光波导，该波导结构的横截面包括金属基底层(1)、位于金属基底层上的高折射率介质区域(3)、被高折射率介质区域和金属基底层包围的低折射率介质区域金属基底层上的高折射率介质区域可显著地缩小该波导结构的光场分布范围，实现对传输光场的二维亚波长约束；同时低折射率介质区域的存在，使得该波导仍能保持较低的传输损耗。所述光波导结构克服了现有介质加载型表面等离子激元光波导在光场限制能力和传输损耗之间的矛盾，为超高集成度光波导芯片的实现提供可能。
一种损耗介质加载表面等离子激元光波导

[发明专利]一种侧发光的LED芯片-CN202210186402.X在审
发明人：叶华 -专利权人：深圳禾只木装饰照明有限公司
申请日： 2022-02-28 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本发明涉及一种侧发光的LED芯片，该LED芯片为倒装LED芯片，该LED芯片包括电极层、半导体层以及外延衬底层，其中，该电极层设置在该半导体层的下方，该外延衬底层设置在该半导体层的上方，该电极层、该半导体层以及该外延衬底层自下而上叠设在一起，该外延衬底层的顶部设置有光学介质层，借助该光学介质层在该外延衬底层的顶部形成一光反射面，该光反射面处于该外延衬底层与该光学介质层之间，该LED芯片具有侧向出光面，该侧向出光面位于该LED芯片的四周，该半导体层中产生光线，该光线向上穿透进入该外延衬底层中，之后，该光线在该光反射面位置被反射后，从该侧向出光面照射出来。
一种发光 led 芯片

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