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[发明专利]软介电材料的介电击穿电场强度和介电系数的测量系统-CN202211024423.8在审
发明人：贾攀;周健友;仲政 -专利权人：哈尔滨工业大学（深圳）
申请日： 2022-08-25 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： G01R31/12 文献下载
摘要：本申请涉及一种软介电材料的介电击穿电场强度和介电系数的测量系统，包括驱动机构、介电系数测量模块和击穿电场强度测量模块；击穿电场强度测量模块包括变压器、数据采集卡、俯视拍摄相机；测量过程中数据采集卡向变压器输入低电压，经过变压器放大为高电压，将高电压接入软介电材料形成回路电流，将回路电流峰值对应的电压作为介电击穿电压；通过俯视拍摄相机记录的电极面积的变化确定薄膜厚度的变化；根据介电击穿电压和薄膜厚度的变化，确定介电击穿电场强度；介电系数测量模块包括LCR表和俯视拍摄相机；通过LCR表测量两个电极之间的电容；通过俯视拍摄相机记录测量过程中电极面积的变化；通过电容和电极面积的变化，确定介电系数。
软介电材料击穿电场强度系数测量系统

[发明专利]半导体晶片处理过程中消除晶片电弧的方法与装置-CN99809732.2无效
发明人：萨蒂什·D·阿萨瓦尔;莱斯利·G·杰德;约翰·A·迈耶 -专利权人：泰格尔公司
申请日： 1999-07-06 - 公布日： 2002-07-17 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：一种在半导体处理工序中减少或消除电弧,即,晶片(26)表面介电击穿的方法与装置,包括控制晶片(26)两面的电压,以使电弧或介电击穿不会发生。利用本发明中的静电电极(50)并控制特定的吸附电压,晶片两面电压保持低于阈值电压,因此,电弧或介电击穿得到减少或消除。
半导体晶片处理过程消除电弧方法装置

[发明专利]用于检测复合物部件中的具有非导电材料的区域的非破坏性方法-CN200980118778.X有效
发明人： A·拉维亚冈萨雷斯;I·M·加西亚迭戈 -专利权人：空客运营有限公司
申请日： 2009-05-21 - 公布日： 2011-07-13 - 主分类号： G01N27/92 文献下载
摘要：该方法包括以下步骤：a)提供用于在所述部件的表面上施加电势的装置；b)确定对应于所述涂层的厚度E的介电击穿电势Pr；以及c)通过所述装置将所述介电击穿电势施加到所述部件以便当在其中没有出现介电击穿时识别那些具有非导电材料的区域
用于检测复合物部件中的具有导电材料区域破坏性方法

[发明专利]一种诱导损伤介电击穿固态纳米孔的制备方法和固态纳米孔器件-CN202310583779.3在审
发明人：袁志山;胡杰铭;林艳邦;王成勇 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2023-05-23 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： B82B3/00 文献下载
摘要：本发明涉及基因检测设备技术领域，具体涉及一种诱导损伤介电击穿固态纳米孔的制备方法和固态纳米孔器件。>4薄膜表面诱导出损伤区；S2.将诱导了损伤区的Si3N4薄膜芯片清洗，随后载入液池腔室，采用介电击穿技术对损伤区进行介电击穿，得到固态纳米孔，该诱导损伤介电击穿固态纳米孔的制备方法能够限制纳米孔生成位置，且能提高成孔速度，实现在薄膜上原位快速制造固态纳米孔，具有方便快捷和可操性强的优点。
一种诱导损伤击穿固态纳米制备方法器件

[发明专利]一种限域介电击穿固态纳米孔器件的制备方法及其产品和应用-CN202110850805.5有效
发明人：王德强;刘业香;何石轩;谢婉谊;方绍熙;周大明 -专利权人：中国科学院重庆绿色智能技术研究院
申请日： 2021-07-27 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种限域介电击穿固态纳米孔器件的制备方法及其产品和应用，属于纳米孔器件制备技术领域。本发明公开了一种限域介电击穿固态纳米孔器件的制备方法，该方法是基于聚焦离子束双面刻蚀沟道减薄薄膜的方法和限域介电击穿固态纳米孔器件制造方法，可以有效的限制电介质击穿法制备纳米孔的位置和数量；同时相比普通薄膜打薄技术对材料的损伤较小以及较高的材料稳定性
一种限域介电击穿固态纳米器件制备方法及其产品应用

[发明专利]用于检测环境友好型车辆中的介电击穿的装置和方法-CN201610670309.0有效
发明人：郑璘城;文喜圣 -专利权人：现代自动车株式会社
申请日： 2016-08-15 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： G01R31/12 文献下载
摘要：提供用于检测环境友好型车辆中的介电击穿的装置和方法。该装置包括：测量器，被配置为测量跨高压电池布置的绝缘电阻器的电阻值；以及控制器，被配置为使用测量器来测量施加至绝缘电阻器的电压并且分析所测量的电压的图案以检测介电击穿部分。
用于检测环境友好车辆中的击穿装置方法

[发明专利]一种提高PZT95/5铁电陶瓷介电击穿强度的方法-CN201410157942.0无效
发明人：董显林;王军霞;陈学锋;王根水;聂恒昌 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2014-04-18 - 公布日： 2014-07-30 - 主分类号： C04B35/493 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高PZT95/5铁电陶瓷介电击穿强度的方法，所述方法是首先采用液相法使氧化铝均匀分散在PZT95/5粉体中，然后制备成氧化铝包覆的PZT95/5铁电陶瓷；氧化铝的加入量为PZT95/5通过本发明方法，可使所制备的氧化铝包覆的PZT95/5铁电陶瓷的介电击穿强度相对于未经氧化铝包覆的PZT95/5铁电陶瓷的介电击穿强度提高25%，可望提高所得铁电陶瓷在能量转换领域应用时的能量输出能力和工作可靠性
一种提高 pzt95 陶瓷击穿强度方法

[发明专利]时间依赖性介电击穿的缓解-CN201710905773.8有效
发明人：黄意君;杨宝如;谢东衡 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-09-29 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明描述在栅极堆叠件中形成间隔件层以缓解时间依赖性介电击穿(TDDB)故障的示例性置换栅极工艺。例如，方法可以包括形成具有第一凹槽的部分制造的栅极结构。本发明的实施例还涉及时间依赖性介电击穿的缓解。
时间依赖性击穿缓解

[发明专利]一种石墨烯基介电弹性体复合材料及其制备方法-CN201410314148.2有效
发明人：宁南英;田明;马琴;张立群;刘苏亭 -专利权人：北京化工大学
申请日： 2014-07-03 - 公布日： 2014-09-10 - 主分类号： C08L7/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种石墨烯基介电弹性体复合材料及其制备方法，该复合材料包括弹性体基体、氧化石墨烯基介电填料和交联体系，其中氧化石墨烯基介电填料是表层用聚多巴胺有机层包覆的氧化石墨烯，并且该介电填料以纳米水平层状分散在弹性体基体中，形成聚多巴胺有机层包覆的氧化石墨烯片层包裹胶乳粒子的隔离网络结构；该制备方法用多巴胺仿生修饰氧化石墨烯，显著降低了介电损耗，提高电击穿强度，并且聚多巴胺有机层厚度可以通过多巴胺修饰过程的参数调控，进而按需调控复合材料的介电常数、介电损耗和电击穿强度，可以制备出满足生物医疗领域安全性的石墨烯基介电弹性体复合材料。
一种石墨烯基介电弹性体复合材料及其制备方法

[发明专利]微孔的产生-CN201180033254.8无效
发明人：库尔特·纳特尔曼;乌尔里希·珀什尔特;沃尔夫冈·默勒 -专利权人：肖特公开股份有限公司
申请日： 2011-07-04 - 公布日： 2013-03-20 - 主分类号： B26F1/28 文献下载
摘要：穿孔点由HF耦合点（10）标记并借助HF能量软化，以便在该处实现介电击穿（11）。击穿（11）被加宽成孔（12）。
微孔产生

[发明专利]隔膜用多孔基材和包含其的电化学装置用隔膜-CN202280007242.6在审
发明人：李昭咏;金志殷;朴素定;成东昱 -专利权人：株式会社LG新能源
申请日： 2022-05-06 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01M50/491 文献下载
摘要：根据本发明的多孔基材的孔尺寸小且均匀，因此具有优异的物理强度和耐久性，并且能够确保高介电击穿电压，引起低短路发生率。
隔膜多孔基材包含电化学装置

[实用新型]测试结构-CN201721725841.4有效
发明人：冯军宏 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路新技术研发（上海）有限公司
申请日： 2017-12-12 - 公布日： 2018-08-14 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种测试结构，包括：相互并联的多条支路，每条中包括相互串联的测试单元和保护单元，测试单元包括至少两条间隔排列的金属线和设置于相邻金属线之间的介电材料层，介电材料层分别与其两侧相邻的金属线接触，每个测试单元中各相邻金属线之间的距离相等，且相邻金属线之间存在可变化的电势差，用于当电势差增大到一定数值时电击穿介电材料层，保护单元防止其所在支路的介电材料层被击穿后支路的电流过大。保护单元与测试单元串联成支路后，将多条支路并联，能够在一次测量中得到介电材料在不同厚度下的击穿电压，节约了测试资源，提高了测试效率。
介电材料层支路测试单元相邻金属线保护单元测试结构电势差金属线击穿串联本实用新型测试效率测试资源击穿电压间隔排列介电材料距离相等一次测量支路并联可变化并联节约

[发明专利]铜导线镶嵌结构-CN200410018458.6无效
发明人：郭强 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2004-05-19 - 公布日： 2005-11-23 - 主分类号： H01L23/52 文献下载
摘要：本发明提供一种铜导线镶嵌结构，它利用在内金属介电层中，形成一具有较内金属介电层的介电常数值高且电性与机械性能均较内金属介电层优异的介电层，来防止当VLSI进入深亚微米工艺时，因选用介电常数较低的内金属介电材质来与铜导线搭配，所引起的漏电流并提升内金属介电层电击穿的寿命与铜导线与内金属介电层间的附着力。
导线镶嵌结构

[实用新型]一种叉指电极的圆柱形绝缘电极线-CN201220526231.2有效
发明人：王冰 -专利权人：王冰
申请日： 2012-10-15 - 公布日： 2013-04-24 - 主分类号： H01B7/00 文献下载
摘要：本圆柱形绝缘电极用于介电电泳放大应用，例如在回收贵重金属的介电电泳分离系统中，采用的薄至30微米的绝缘材料保证了在回收贵重金属介电电泳分离系统中无电化学反应，无由于电击穿而造成的短路现象，很好的防护了电击发生的可能；同时，还可有效提供足够的介电电泳里所需的电场强度和频率要求。
一种电极圆柱形绝缘

[发明专利]双镶嵌结构的形成方法-CN200610119153.3有效
发明人：汪钉崇;蓝受龙;杨小明 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2006-12-05 - 公布日： 2008-06-11 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种双镶嵌结构的形成方法，包括：提供一半导体基底，在所述半导体基底中形成有金属导线层；在所述半导体基底上形成含氮的高应力介质层；在所述含氮的高应力介质层上形成介电层；在所述介电层中形成开口。该方法形成的器件中金属导线沿介质层不会发生电击穿的问题。
镶嵌结构形成方法

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