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[发明专利]一种单层二硫化钨纳米片的制备方法-CN201610918657.5有效
发明人：常焜;李熠辉;汤宏伟;李苞;常照荣 -专利权人：河南师范大学
申请日： 2016-10-21 - 公布日： 2018-10-12 - 主分类号： C01G41/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种单层二硫化钨纳米片的制备方法，将硫代钨酸铵在惰性气体保护下于300‑1200℃保温1‑10h，冷却至室温得到待剥离的2H相二硫化钨块体；将二硫化钨块体置于离心管中，加入小分子溶剂超声剥离10‑72h，然后置于离心机中离心分离沉淀后得到二硫化钨纳米片悬浮液；将二硫化钨纳米片悬浮液置于离心管中，超声1‑10h，然后置于离心机中离心分离沉淀物后得到对应小分子溶剂的2H相单层二硫化钨纳米片悬浮液本发明直接以硫代钨酸铵为原料，通过在较宽温度范围内的热处理可以在水、乙醇等小分子溶剂中超声剥离成2H相单层二硫化钨纳米片，并且可以在这些小分子溶剂中稳定存在。
一种单层硫化纳米制备方法

[发明专利]一种碳化钨钴-铜-二硫化钼自润滑耐磨涂层及其制备方法-CN201010120568.9无效
发明人：袁建辉;祝迎春;季珩;郑学斌;杨涛 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2010-03-09 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： C23C4/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化钨钴-铜-二硫化钼自润滑耐磨涂层及其制备方法。其特征在于：以碳化钨钴、铜和二硫化钼粉末为原料，采用烧结破碎法制备碳化钨钴-铜-二硫化钼复合粉末，采用大气等离子喷涂方法制得碳化钨钴-铜-二硫化钼复合涂层。本发明所制得复合涂层的组分含量为：碳化钨钴∶铜∶二硫化钼＝(70～90)∶(6～18)∶余量，厚度为200～400μm。与传统碳化钨钴涂层相比，所得的碳化钨钴-铜-二硫化钼复合涂层的摩擦系数和磨损率都明显降低，是一种优良的自润滑耐磨涂层。
一种碳化二硫化钼润滑耐磨涂层及其制备方法

[发明专利]钨靶坯结构的制造方法以及钨靶材组件的制造方法-CN201610718463.0在审
发明人：姚力军;潘杰;相原俊夫;王学泽;寿奉粮 -专利权人：宁波江丰电子材料股份有限公司
申请日： 2016-08-24 - 公布日： 2018-03-09 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供一种钨靶坯结构的制造方法以及钨靶材组件的制造方法，所述钨靶坯结构的制造方法包括提供钨靶坯，所述钨靶坯具有焊接面；采用化学镀工艺，在所述钨靶坯焊接面上形成镍镀层。本发明采用化学镀工艺，在钨靶坯的焊接面上形成镍镀层，由于镍镀层材料与常用焊料之间具有良好的浸润性，因此利用所形成的镍镀层可以有效改善钨靶坯与其他材料的焊接性能，例如，可以提高钨靶坯与背板之间的结合力，使得钨靶坯与背板实现可靠结合，满足钨靶材组件长期稳定使用的需要。
钨靶坯结构制造方法以及钨靶材组件

[发明专利]一种钨涂层ODS铁素体钢第一壁部件的制造方法-CN201110398324.1有效
发明人：华云峰;李争显;王彦峰;王宝云;姬寿长;杜继红 -专利权人：西北有色金属研究院
申请日： 2011-12-04 - 公布日： 2012-05-09 - 主分类号： C23C14/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种钨涂层ODS铁素体钢第一壁部件的制造方法，该方法为：一、将铁素体钢靶材和钨靶材置于真空室中的水冷铜坩埚中，将铁素体钢基体采用辉光等离子清洗后水平置于铁素体钢靶材和钨靶材的上方；二、采用电子束加热蒸发铁素体钢靶材和钨靶材，在铁素体钢基体的下表面制备铁素体钢与钨成分梯度过渡的界面层；三、停止加热蒸发铁素体钢靶材，继续采用电子束加热蒸发钨靶材，在界面层的下表面连续制备钨涂层，得到钨涂层铁素体钢第一壁部件。采用本发明的方法制造的钨涂层达到理论密度，钨涂层与铁素体钢基体之间存在成分梯度过渡的界面层，制造的钨涂层ODS铁素体钢第一壁部件具有很好的抗热负荷过程中的热震应力。
一种涂层 ods 铁素体钢第一部件制造方法

[发明专利]钨钛靶材组件的焊接方法-CN201510459904.5有效
发明人：姚力军;潘杰;相原俊夫;大岩一彦;王学泽;袁海军 -专利权人：宁波江丰电子材料股份有限公司
申请日： 2015-07-30 - 公布日： 2019-05-10 - 主分类号： B23K1/08 文献下载
摘要：一种钨钛靶材组件的焊接方法，包括：提供钨钛靶材和背板；在所述钨钛靶材的焊接面放入第一量的焊料并进行第一浸润处理；在所述背板的焊接面放入第二量的焊料并进行第二浸润处理；在所述第二浸润处理之后，向所述背板的焊接面添加第三量的焊料；在向所述背板的焊接面添加所述第三量的焊料后，且在所述第一浸润处理后，将所述钨钛靶材的焊接面扣合在所述背板的焊接面上。所述焊接方法能够提高钨钛靶材组件的焊接强度。
钨钛靶材组件焊接方法

[发明专利]靶材结构的制作方法-CN201110391372.8无效
发明人：潘杰;姚力军;王学泽;宋佳 -专利权人：余姚康富特电子材料有限公司
申请日： 2011-11-30 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：一种靶材结构的制作方法，所述方法包括：提供靶材，所述靶材为钨或钨合金；对所述靶材的待焊接面进行活化处理；利用化学镀工艺，在活化处理后的靶材的待焊接面上形成金属镀层；将化学镀处理后的靶材焊接至背板。在钨或钨合金靶材的待焊接面上化学镀形成金属镀层，利用金属镀层作为中间媒介，使得靶材与背板焊接后实现二者的牢固结合，具有较高的结合强度。本发明摸索出了一条稳定的在钨或钨合金靶材的待焊接面用化学镀方法镀金属层的工艺流程，并实现了工业化生产。
结构制作方法

[发明专利]一种钨靶材组件的焊接结构及其焊接方法-CN202110481416.X在审
发明人：姚力军;边逸军;潘杰;王学泽;张余 -专利权人：宁波江丰电子材料股份有限公司
申请日： 2021-04-30 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： B23K20/02 文献下载
摘要：本发明提供一种钨靶材组件的焊接结构及其焊接方法，所述焊接结构包括铝盖板、钨靶材、铝中间层和铜背板，铜背板设置有第一放置槽，所述铝中间层设置于第一放置槽中，为第一组合件，铝盖板设置有第二放置槽，所述钨靶材设置于第二放置槽中，为第二组合件，将第一组合件与第二组合件叠放，其中铝中间层与钨靶材相接触，钨靶材中与铝中间层的接触面为第一焊接面，第一焊接面上设置有第一钛金属膜，铜背板中与铝中间层的接触面为第二焊接面，第二焊接面上设置有第二钛金属膜，将所述焊接结构依次进行脱气、扩散焊接和去除包套，得到钨靶材组件，所述钨靶材组件焊接结合率在优选条件下可达到99％以上，便于后续加工安全稳定。
一种钨靶材组件焊接结构及其方法

[发明专利]二硫化钨/氧化石墨烯复合材料、其制备方法与应用-CN201710103281.7有效
发明人：王元斐;秦禄昌;田天;陈友虎;李云朋 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2017-02-24 - 公布日： 2019-09-27 - 主分类号： H01G11/86 文献下载
摘要：本发明公开了一种二硫化钨/氧化石墨烯复合材料，包括二硫化钨纳米片和氧化石墨烯，并且所述二硫化钨纳米片穿插于氧化石墨烯的片层之间。优选的，所述二硫化钨纳米片与氧化石墨烯互相穿插复合。本发明还公开了制备所述二硫化钨/氧化石墨烯复合材料的方法以及所述二硫化钨/氧化石墨烯复合材料的用途，例如在制备电极材料、超级电容器中的用途。本发明利用二硫化钨纳米片与氧化石墨烯这两种二维材料层间不同的范德瓦耳斯力，使之相互插层，从而降低各自的团聚效应，进而能够增加其分散性，使其能够作为制备超级电容器或电池等器件，特别是此类器件的电极的优良材料
氧化石墨烯二硫化钨复合材料纳米片制备超级电容器穿插范德瓦耳斯力制备电极材料二维材料优良材料分散性电极层间插层片层优选电池团聚复合应用

[发明专利]一种钨靶材焊接方法及钨靶材组件-CN201810364276.6在审
发明人：姚力军;潘杰;王学泽;吴豪杰 -专利权人：宁波江丰电子材料股份有限公司
申请日： 2018-04-20 - 公布日： 2018-09-18 - 主分类号： B23K1/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种钨靶材焊接方法及钨靶材组件，涉及半导体制造技术领域。所述钨靶材焊接方法首先对钨靶材和铜背板进行焊接前加工及清洗，在所述钨靶材和所述铜背板中间放置焊料引流件，再利用钎焊工艺对所述钨靶材和所述铜背板进行钎焊接后获得钨靶材组件，对所述钨靶材组件进行冷却。所述钨靶材焊接方法在焊接前在所述钨靶材和所述铜背板间放置焊料引流件，保证了焊料的在所述钨靶材和所述铜背板间的均匀分布，提高了焊缝均匀性、焊接成功率以及焊接稳定性。
钨靶材焊接铜背板焊料引流件半导体制造技术钎焊工艺焊缝均匀性再利用成功率冷却清洗加工保证

[发明专利]石墨烯/二硫化钨薄膜柔性超级电容器及其制备方法与应用-CN201610859379.0在审
发明人：徐群杰;李健博;范金辰;杨灵慧;莫瑶;宋红江 -专利权人：上海电力学院
申请日： 2016-09-28 - 公布日： 2017-01-25 - 主分类号： H01G11/86 文献下载
摘要：本发明涉及石墨烯/二硫化钨薄膜柔性超级电容器及其制备方法与应用，制备方法具体包括以下步骤将二硫化钨加入到有机溶剂中，搅拌混合均匀，后经超声分散，形成均匀的分散液；将分散液经离心分离后，去除底部沉淀，得到二硫化钨/有机溶剂上清液；配制氧化石墨烯水溶液，与二硫化钨/有机溶剂上清液混合，超声分散均匀后，抽滤，得氧化石墨烯/二硫化钨复合膜，后经还原反应、洗涤、真空干燥，即制得石墨烯/二硫化钨薄膜柔性超级电容器。与现有技术相比，本发明制得的石墨烯/二硫化钨薄膜柔性超级电容器具有较高的电容量，柔韧性和稳定性良好，制备方法简单易行，绿色环保，在柔性电子器件方面具有很好的应用前景。
石墨硫化薄膜柔性超级电容器及其制备方法应用

[发明专利]一种大面积高质量完全单层的二硫化钨的制备方法-CN201510665056.3在审
发明人：任文才;高旸;马来鹏;马腾;成会明 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2015-10-08 - 公布日： 2017-04-19 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：本发明涉及二硫化钨领域，具体为一种大面积高质量完全单层的二硫化钨的制备方法。采用化学气相沉积技术，以对钨溶解度极低的金为生长基体，在常压下利用钨源和硫源高温下在金基体表面催化反应，自限制生长完全单层的二硫化钨的大尺寸单晶和大面积连续薄膜。利用常压条件下所得二硫化钨和金基体结合较弱的特点，分别采用鼓泡转移方法和鼓泡与卷对卷转移相结合的方法，在不破坏金基体的情况下将大面积完全单层的二硫化钨转移至刚性和柔性基体上。采用本发明可获得完全单层的高质量毫米级二硫化钨单晶和大面积连续薄膜，为单层二硫化钨在电子/光电子器件、自旋器件和太阳能电池、气体/光传感器、柔性薄膜电子/光电子器件等领域的应用奠定基础。
一种大面积质量完全单层硫化制备方法

[发明专利]一种具有层状结构的二硫化钨/二硫化钼/石墨烯复合材料及其制备方法、应用-CN202010321901.6有效
发明人：杨亚东;吴炳辉 -专利权人：山东海科创新研究院有限公司
申请日： 2020-04-22 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： B01J27/051 文献下载
摘要：本发明提供了一种二硫化钨/二硫化钼/石墨烯复合材料，所述复合材料具有层状结构；片状二硫化钨、片状二硫化钼和石墨烯片复合，形成层状结构。本发明提供的二硫化钨复合材料，通过静电吸附作用，将二硫化钨、二硫化钼和石墨烯进行复合，具有特定的层状结构，可以提供更多的活性部位和更高的活性表面积，大大提高了二硫化钨催化活性的能力，从而提高了HER性能而且制备方法简单、条件温和，易操作以及成本低，能够更好的推动二硫化钨复合催化剂的商业化应用。本发明不仅为析氢领域提供了一种优良的催化剂，并且为制备复合型二维催化剂的合成提供了一个新的思路。
一种具有层状结构硫化二硫化钼石墨复合材料及其制备方法应用

[发明专利]在柔性碳基底生长垂直二硫化钨的方法、二硫化钨-碳复合材料及应用-CN202211124043.1在审
发明人：巩倩;康黎星;李清文 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2022-09-15 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01G11/86 文献下载
摘要：本发明公开了一种在柔性碳基底生长垂直二硫化钨的方法、二硫化钨‑碳复合材料及应用。所述方法包括：在碳纳米管薄膜上生长形成碳镀层，得到碳镀层/碳纳米管复合薄膜；在其表面生长三氧化钨，得到三氧化钨/碳镀层/碳纳米管复合薄膜；再进行硫化处理，使形成的二硫化钨纳米片垂直生长于碳镀层/碳纳米管复合薄膜上，制得二硫化钨‑碳复合材料。本发明通过化学气相沉积方法，在易于滑移变形的CNT薄膜表面沉积碳镀层，可阻止CNTs的滑移，改善基底的稳定性，进而有效实现二硫化钨纳米片的垂直生长，制备过程简单，易于控制；并且，制备得到的二硫化钨纳米片垂直率高
柔性基底生长垂直硫化方法复合材料应用

[发明专利]一种二维二硫化钼、二硫化钨纳米薄片电化学制备方法-CN201610395897.1有效
发明人：武卫明;张长松;郑勇;阎冬;田大勇;殷美丽;侯绍刚 -专利权人：安阳工学院
申请日： 2016-06-07 - 公布日： 2017-11-21 - 主分类号： C25B1/00 文献下载
摘要：二硫化钼或者二硫化钨具有较好的催化析氢活性和储锂性能，且热和化学稳定性良好，为了提高二硫化钼或二硫化钨的利用率，提高催化析氢的催化活性和储锂比容量，需要将硫化物制备为单分子层或者多分子层二维材料。本发明通过电化学的方法，以二硫化钼（或二硫化钨）‑金属复合材料为阳极，石墨或者铂电极为阴极，硫酸盐为电解质，成功剥离出了厚度在1‑20纳米的二维二硫化钼或二硫化钨。以这种二维硫化物的电催化析氢活性良好，且具有优异的储锂性能。
一种二维二硫化钼硫化纳米薄片电化学制备方法

[发明专利]一种碳化硅纤维/二硫化钨复合吸波材料及其制备方法-CN202211250245.0在审
发明人：姜超;赵子翔 -专利权人：中南大学
申请日： 2022-12-06 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H05K9/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种碳化硅纤维/二硫化钨复合吸波材料及其制备方法，属于新型吸波材料技术领域。将二硫化钨采用水热法负载在碳化硅纤维上，得到碳化硅纤维/二硫化钨复合吸波材料。本发明通过引入二硫化钨纳米层，增加了复合材料的介电性能，提升了整体的吸波性能。
一种碳化硅纤维硫化复合材料及其制备方法