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[发明专利]一种铜-石墨-二硫化钨纳米管自润滑复合材料及其制备方法-CN201310013667.0有效
发明人：凤仪;钱刚;李斌;张学斌;黄仕银;刘红娟;丁克望 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2013-01-15 - 公布日： 2013-04-17 - 主分类号： C22C47/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种铜-石墨-二硫化钨纳米管自润滑复合材料及其制备方法，其中自润滑复合材料是以铜为基体，石墨及二硫化钨纳米管为固体润滑添加剂，通过放电等离子烧结法制成，其组分及质量百分比分别为：铜80–90%，石墨7–10%，二硫化钨纳米管3–10%；其制备方法是将二硫化钨纳米管经研磨﹑敏化﹑活化及化学镀铜后与电解铜粉及石墨粉末按配比量通过机械球磨法混合均匀，再将混合粉末进行放电等离子烧结，最终制得二硫化钨纳米管及石墨增强的铜基自润滑复合材料
一种石墨硫化纳米管自润滑复合材料及其制备方法

[发明专利]一种包含细晶钨与二硫化钨的自润滑涂层的电火花沉积制备方法-CN202110601189.X有效
发明人：柳泉;梁振刚;金浩;岳明凯;郭策安;张健 -专利权人：沈阳理工大学
申请日： 2021-05-31 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： C23C26/02 文献下载
摘要：本发明涉及钢构件表面抗磨损涂层的制备领域，具体为一种包含细晶钨与二硫化钨的自润滑涂层的电火花沉积制备方法。基体材料采用钢，电火花沉积用电极为镍粉与二硫化钨粉烧结而成的复合材料电极，采用电火花沉积技术，在钢基体表面沉积包含细晶钨与二硫化钨的自润滑涂层。采用镍粉与二硫化钨粉末一起经压制烧结成复合材料电极，复合材料电极中镍粉与二硫化钨粉的质量比例为(40～60):(40～60)。该自润滑涂层与钢基体为结合力强的冶金结合，均匀弥散分布的细晶钨能够增强自润滑涂层的硬度，使自润滑涂层具有更好的减摩耐磨效果，能够解决在摩擦磨损环境下钢构件表面的磨损问题。
一种包含细晶钨硫化润滑涂层电火花沉积制备方法

[发明专利]一种二维硒化钨的生长方法-CN202211536717.9在审
发明人：王广;吕志权;周溯媛;杨鸣;彭刚 -专利权人：中国人民解放军国防科技大学
申请日： 2022-12-02 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明属于材料技术领域，具体涉及一种二维硒化钨的生长方法，以硒化钨为靶材，加热；加热到目标温度时，通入保护气体，进行化学气相沉积，将硒化钨沉积在衬底上，生长完成后，迅速降温以阻止合成的硒化钨受到刻蚀，得到二维硒化钨；在加热过程中，从衬底向靶材通入保护气体；本申请的二维硒化钨可以通过控制温度，得到不同的晶体形态，且底层的硒化钨的尺寸较好；本申请的硒化钨晶体的均匀性较好，各层之间的耦合作用差异较大；两层硒化钨之间具有均匀的应变分布和层间耦合，二维硒化钨的整体质量较高。
一种二维硒化钨生长方法

[发明专利]一种平板二硫化钨纳米片的水热制备方法-CN201810060729.6在审
发明人：杨秀英;刘婷婷;张德庆;贾亦轩;曹茂盛 -专利权人：齐齐哈尔大学
申请日： 2018-01-22 - 公布日： 2018-06-19 - 主分类号： C01G41/00 文献下载
摘要：本发明属于材料物理与化学领域，特别涉及一种平板形貌的二硫化钨纳米片材料的制备方法，平板形貌的二硫化钨纳米片展现了突出的储能性能，解决了现有的清洁能源在时间、空间上分布不均匀，锂离子电池发展受限的问题。本发明以氯化钨、二乙基二硫代氨基甲酸钠以及十六烷基三甲基溴化铵作为原料，在一定的用量范围内达到摩尔比为2：1：1时，采用水热法可以制备出平板形貌的二硫化钨纳米片。其在储能材料方面的应用超过其它形貌（花状、管状、棒状）的二硫化钨纳米片，并且实验的可重复性高，具有优异的循环稳定性。
二硫化钨形貌纳米片制备二乙基二硫代氨基甲酸钠十六烷基三甲基溴化铵纳米片材料循环稳定性锂离子电池材料物理储能材料化学领域可重复性清洁能源不均匀氯化钨摩尔比水热法棒状储能花状受限水热应用

[发明专利]一种单层或双层二硫化钨薄膜的制备方法-CN201911019510.2有效
发明人：杨培志;马春阳;杨雯;杜凯翔;申开远 -专利权人：云南师范大学
申请日： 2019-10-24 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明提供了一种单层或双层二硫化钨薄膜的制备方法，采用双‑异丙基环戊烯基二氢化钨（WH2(iPrCp)2）和氧分子（O2）等离子体作为前驱体，通过原子层沉积（ALD）方法制备出三氧化钨（WO3）薄膜。之后通过硫化WO3薄膜得到单层或双层二硫化钨（SW2）薄膜。本发明采用原子层沉积技术，可通过反应周期精确控制薄膜厚度，可生成单层或双层、致密性良好的二硫化钨（SW2）薄膜，具有重复性好、控制精度高等优势。
一种单层双层硫化薄膜制备方法

[发明专利]一步化学气相沉积制备高质量二硫化钨纳米片的方法-CN201510583083.6在审
发明人：何春年;周静雯;赵乃勤;师春生;刘恩佐;李家俊 -专利权人：天津大学
申请日： 2015-09-14 - 公布日： 2015-12-30 - 主分类号： C01G41/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种一步化学气相沉积制备高质量二硫化钨纳米片，包括：以偏钨酸铵、钨酸钠中的一种或两种混合物为钨源，以硫脲为硫源，按钨源中的钨、硫源中的硫摩尔比为1:(1.8～2.5)，并按钨源中的钨与NaCl的摩尔比为1:(50～600)计，将钨源、硫源和NaCl加入去离子水中溶解，再冷冻和进行真空干燥，得到混合物；将制得的混合物研磨成粉末，过筛后铺于方舟中，置于管式炉恒温区进行煅烧和化学气相沉积，得到产物A；水洗并进行真空干燥，得到二硫化钨纳米片。本发明可得到结晶度高、质量好、尺寸均一、厚度较薄、可量产的单晶二硫化钨纳米片。
一步化学沉积制备质量硫化纳米方法

[发明专利]一种二维纳米二硫化钨半导体薄膜及其制备方法-CN202111279042.X在审
发明人：张璐 -专利权人：山东云海国创云计算装备产业创新中心有限公司
申请日： 2021-10-31 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种二维纳米二硫化钨半导体薄膜的制备方法，包括：将三氧化钨放入陶瓷舟内，并将陶瓷舟置于石英管腔室内；将滴有石墨烯量子点的蓝宝石衬底正面朝下放在陶瓷舟内；将陶瓷舟放置于管式炉中的高温恒温区中央位置；将硫粉放入陶瓷舟内，并放置于管式炉中的低温区；连接真空泵抽真空，以保证石英管腔室的空气被排尽；将管式炉在第一预定时间内加热至第一预定温度，恒温反应第二预定时间，得到二硫化钨半导体薄膜。本发明还公开了一种二维纳米二硫化钨半导体薄膜。本发明利用柠檬酸热解法制备出尺寸均匀的石墨烯量子点。石墨烯量子点作为二硫化钨生长的促进剂，蓝宝石衬底上引入石墨烯量子点降低了表面杂质，促进二硫化钨沉积。
一种二维纳米硫化半导体薄膜及其制备方法

[发明专利]一种铌掺杂二维硫化钨晶体材料的制备方法-CN202111641662.3在审
发明人：陈飞;夏媛;吕秋燃;苏伟涛 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种铌掺杂二维硫化钨晶体材料的制备方法，采用化学气相沉积法，以Si/SiO2为衬底，金属钨箔为钨源，金属铌箔为铌源，生长衬底倒扣在金属钨箔上，金属铌箔面积小于金属钨箔面积，生长衬底一端直接与金属钨箔接触，另一端在铌源的正上方，与硫蒸气反应，在衬底上制备得到了一种铌掺杂二维硫化钨晶体材料。所得的单层铌掺杂硫化钨晶体材料，可作为晶体管的沟道材料应用于超薄高效场效应晶体管领域。
一种掺杂二维硫化晶体材料制备方法

[发明专利]一种碳化钨-硫化钨复合催化材料及其制备方法和应用-CN202210260511.1在审
发明人：刘伟;王太坤;蔡倩;洪文婷 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2022-03-16 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： C25B1/04 文献下载
摘要：本申请公开了一种碳化钨‑硫化钨复合催化材料及其制备方法和应用。一种碳化钨‑硫化钨复合催化材料，包括钨箔基底层和碳化钨‑硫化钨复合催化层；所述碳化钨‑硫化钨复合催化层生长于所述钨箔基底层表面。该复合催化材料以钨箔作为基底兼钨源，使碳化钨‑硫化钨薄膜和钨箔界面能形成稳定的化学键，从而增强导电性；在钨箔上形成三氧化钨薄膜，以三氧化钨为前驱体，一步法合成的碳化钨‑硫化钨薄膜具有垂直的鳞片结构，增大了比表面积
一种碳化硫化复合催化材料及其制备方法应用

[发明专利]一种高致密铬钨合金靶材的制备方法-CN201410404763.2在审
发明人：张路长;张凤戈;郝权;姜海;唐培新;何向晖;赵雷;缪磊 -专利权人：安泰科技股份有限公司
申请日： 2014-08-15 - 公布日： 2016-03-02 - 主分类号： B22F3/15 文献下载
摘要：本发明属于粉末冶金材料制备技术领域，提供一种高致密铬钨合金靶材的制备方法。该铬钨合金靶材包括以下原子百分比的成分：铬80～99％，钨1～20％。该铬钨合金靶材的制备方法为：将钨粉还原后，和铬粉通过预合金粉末制备、装包套、脱气、热等静压、机加工等处理，获得所述铬钨合金靶材。本发明的铬钨合金靶材密度高(相对密度不小于99％)、组织均匀，晶粒细小(不大于50μm)；通过该靶材可用于电极触头材料等镀膜领域，制备具有高硬度、高耐电压强度、低截流值、可替代纯钨的薄膜材料。
一种致密合金制备方法

[发明专利]一种高纯高富钨相钨钛靶材及其制备方法-CN200810239844.6有效
发明人：储茂友;王星明;张碧田;段华英;邓仕斌;韩沧;潘德明;陈洋 -专利权人：北京有色金属研究总院
申请日： 2008-12-19 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： C23C14/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种难熔合金钨钛靶材及其制备方法，具体为一种高纯高富钨相含量的钨钛靶材及其热压制备方法，属于难熔合金靶材技术领域。该方法是以高纯W粉，Ti粉以及高纯Mo、Cr、Ta、Nb等添加金属粉为原料，采用高温高压的热压成型工艺制备高致密的钨钛合金靶材，靶材相对密度达到95～99％，富钨相的含量达到80～93％。相对于现有技术，本方法混料时添加部分高纯Nb、Mo、Cr、Ta等金属粉，能稳定合金中的富钨相，增加合金中富钨相的含量，提高了靶材的使用质量。
一种高纯高富钨相钨钛靶材及其制备方法

[发明专利]一种高致密铬钨合金靶材的制备方法-CN201410404503.5有效
发明人：张凤戈;姚伟;姜海;张路长;唐培新;何向晖;郝权;赵雷;孙继洲 -专利权人：安泰科技股份有限公司
申请日： 2014-08-15 - 公布日： 2017-11-07 - 主分类号： B22F3/15 文献下载
摘要：本发明属于粉末冶金材料制备技术领域，提供一种高致密铬钨合金靶材的制备方法。该铬钨合金靶材包括以下原子百分比的成分铬80～99％，钨1～20％。该铬钨合金靶材的制备方法为将钨粉还原后，和铬粉通过预合金粉末制备、装包套、脱气、热等静压、机加工等处理，获得所述铬钨合金靶材。本发明的铬钨合金靶材密度高(相对密度不小于99％)、组织均匀，晶粒细小(不大于50μm)；通过该靶材可用于电极触头材料等镀膜领域，制备具有高硬度、高耐电压强度、低截流值、可替代纯钨的薄膜材料。
一种致密合金制备方法

[发明专利]一种镍钴钼钨硫化物的制备方法-CN201510268736.1在审
发明人：黄翔;沈丹阳;岳利 -专利权人：中国海洋大学
申请日： 2015-05-22 - 公布日： 2015-08-19 - 主分类号： B01J27/051 文献下载
摘要：本发明公开了一种镍钴钼钨硫化物的制备方法，包括如下步骤：配制钴盐或镍盐、钼盐或钨盐溶液，在钴盐溶液、镍盐溶液中的一种或者钴盐与镍盐的混合溶液中，加入钼盐溶液或钨盐溶液中的一种或者钼盐和钨盐的混合溶液，搅拌30分钟以上，将得到相应金属的复合氧化物沉淀；再经过滤、洗涤、烘干，最后将所得沉淀进行硫化得到钴钼硫化物、镍钼硫化物、钴钨硫化物、镍钨硫化物、钴钼钨硫化物、镍钼钨硫化物或镍钴钼钨硫化物。本发明方法优点在于硫化前的前驱体由共沉淀法制得，硫化物在载体上分散性好，合成工艺简单易行，周期短，成本低。
一种镍钴钼钨硫化物制备方法

[发明专利]一种钒钨合金靶坯的制备方法-CN202011301391.2有效
发明人：姚力军;边逸军;潘杰;王学泽;章丽娜 -专利权人：宁波江丰电子材料股份有限公司
申请日： 2020-11-19 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种钒钨合金靶坯的制备方法，所述钒钨合金靶坯中钒和钨的质量比为(10.06‑10.16):1；所述制备方法包括如下步骤：按配方将钒粉和钨粉在转速为500‑600r/min下进行球磨，之后加入模具中夯实后进行烧结，得到所述钒钨合金靶坯；所述烧结为先进行第一保温，之后升温进行第二保温，然后依次进行加压和保温保压。本发明提供的方法，通过在金属粉末混合过程中引入高能球磨(转速为500‑600r/min)，使得在混粉阶段就使得钒和钨之间进行初步合金化，使得溅射所得的镀膜厚度均匀，提高了靶材的实际使用效率。
一种合金制备方法

[发明专利]基于二硫化钨纳米片材料的有机太阳电池及其制备方法-CN201410710313.6有效
发明人：陈红征;马春燕;傅伟飞;王玲;杨曦;徐明生 -专利权人：浙江大学
申请日： 2014-11-30 - 公布日： 2015-03-25 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于二硫化钨纳米片材料的有机太阳电池及其制备方法。包括从上到下依次排布的阴极、电子传输层、有机光敏层、空穴传输层、阳极和衬底，其中空穴传输层为二硫化钨纳米膜，由二硫化钨纳米片制备而成。本发明采用的二硫化钨纳米膜，相对于目前现有空穴传输材料，制备方法简单，可溶液加工，无需高温退火，将其用于有机太阳电池中，可以取得和现有常用的空穴传输材料等效的效果，具有较好的应用前景，对推动有机太阳电池的产业化应用具有重要意义
基于硫化纳米材料有机太阳电池及其制备方法

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