“二氧化硅上包层”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果19056534个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]用标准工艺制作金属间氧化层光波导的方法-CN200510086898.X无效
发明人：陈弘达;顾明;刘海军 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2005-11-17 - 公布日： 2007-05-23 - 主分类号： G02B6/13 文献下载
摘要：本发明一种用标准工艺制作金属间氧化层光波导的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一：在衬底上生长第一二氧化硅层；步骤二：在衬底上制作光源和探测器；步骤三：在二氧化硅层上淀积磷硅酸玻璃；步骤四：在磷硅酸玻璃上淀积第一金属层作波导下包层；步骤五：在第一金属层上淀积第二二氧化硅层做波导芯层；步骤六：在第二二氧化硅层上淀积第二金属层作波导上包层；其中第二二氧化硅层与硅基发光器相耦合，第二二氧化硅层与硅基光探测器相耦合。
标准工艺制作金属氧化波导方法

[实用新型]一种基于石墨烯的太赫兹波段偏振不敏感光调制器-CN202123081647.6有效
发明人：王迎来;王子昂;黄旭光;周桂耀 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2021-12-09 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： G02F1/035 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于石墨烯的太赫兹波段偏振不敏感光调制器，包括倒置的“U”型石墨烯层、二氧化硅包层、二氧化硅衬底层、方形GaAs芯层、倒置的“U”型多晶硅电极层和两个金属电极；方形GaAs芯层被二氧化硅包层包裹，位于二氧化硅衬底层上方；倒置的“U”型多晶硅电极层夹杂在二氧化硅包层和二氧化硅衬底层中；倒置的“U”型石墨烯层平放在二氧化硅包层和二氧化硅衬底层上方；两个金属电极分别放置于左边多晶硅电极层上方和右边的石墨烯层上方
一种基于石墨赫兹波段偏振不敏感光调制器

[发明专利]一种有源光纤及其制备方法-CN202210312904.2在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：浙江热刺激光技术有限公司
申请日： 2022-03-28 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： C03B37/027 文献下载
摘要：有源光纤，由内至外依次包括纤芯、内包层、内涂层和外涂层；纤芯包括二氧化硅基质以及掺杂于所述二氧化硅基质中的稀土元素；内包层从内至外依次包括第一二氧化硅基质层、环形区域层和第二二氧化硅基质层；环形区域层包括二氧化硅基质以及掺杂于所述二氧化硅基质中的氟和本发明通过在内包层中嵌入一层低折射率环形区域层，以提高泵浦光来回穿梭纤芯的概率，抑制螺旋光的产生，使得有源光纤的包层形状可保持圆形，有效地降低在激光器系统的熔接损耗；同时，低折射率环形区域可降低石英包层的有效面积，提高包层泵浦吸收。
一种有源光纤及其制备方法

[发明专利]一种有机无机混合集成的可变光衰减器及其制备方法-CN202111438405.X在审
发明人：丁颖智;尹悦鑫;许馨如;姚梦可;梁佳琦;吕昕雨;张大明 -专利权人：吉林大学
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：一种有机无机混合集成的可变光衰减器及其制备方法，属于平板光波导器件及其制备技术领域，由硅衬底、二氧化硅下包层、条形结构的掺锗的二氧化硅输入波导和掺锗的二氧化硅输出波导、基于垂直MMI结构的层间转换器、掺硼和磷的二氧化硅上包层、1×1马赫曾德热光开关、聚合物上包层和加热电极组成，输入波导和输出波导的折射率大于二氧化硅上包层的折射率。结构紧凑，以聚合物热光开关型VOA器件取代了传统无机PLC的VOA器件，实现了光从下层无机波导向上层聚合物波导的传输，本发明高效率地调节光传输功率，器件功耗低，实现了有机无机光子器件的单片集成，与现有二氧化硅
一种有机无机混合集成可变衰减器及其制备方法

[发明专利]一种基于双模干涉的平面光波导RGB耦合器-CN202211202298.5在审
发明人：胡晓龙;蒋剑坤;王洪 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2022-09-29 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：所述耦合器从下至上依次包括硅片衬底、在硅片衬底上制备的二氧化硅下包层、在二氧化硅下包层上制备的条形结构的光波导芯层、在光波导芯层和二氧化硅下包层上制备的二氧化硅上包层；光波导芯层被包埋在二氧化硅上包层中；光波导芯层中，沿光的传播方向，包括顺次连接的中央输入波导、第一双模干涉波导、连接波导、第二双模干涉波导和输出波导；本发明利用双模干涉、氮化硅波导以及波导级联方式实现工艺容差大、尺寸小以及强限光的特点，
一种基于双模干涉平面波导 rgb 耦合器

[发明专利]一种高屏蔽耐热光纤及其制备方法-CN201610910875.4有效
发明人：何异;徐阿宏;黄芳;朱森祥 -专利权人：福州盛世凌云环保科技有限公司
申请日： 2016-10-19 - 公布日： 2019-11-19 - 主分类号： C03B37/018 文献下载
摘要：本发明公开了一种高屏蔽耐热光纤及其制备方法，该高屏蔽耐热光纤包括屏蔽层、内包层、芯材三层，其中屏蔽层为碳膜，内包层为二氧化硅基低折射率玻璃，芯材为二氧化硅基高折射率玻璃；其中二氧化硅基低折射率玻璃按分子数量包括二氧化硅85‑92份、二氧化硫2‑3份、二氧化碳2‑3份、氧化硼6‑8份；二氧化硅基高折射率玻璃按分子数量包括二氧化硅85‑92份、五氧化二磷3‑4份、氧化锗8‑10份。
一种屏蔽耐热光纤及其制备方法

[发明专利]一种双包层光纤-CN201310248898.X有效
发明人：熊良明;罗杰;李江;胡鹏;成煜;曹蓓蓓 -专利权人：长飞光纤光缆有限公司
申请日： 2013-06-21 - 公布日： 2013-09-25 - 主分类号： G02B6/036 文献下载
摘要：本发明涉及一种双包层光纤，包括纤芯和包层，其特征在于所述的纤芯为离子掺杂的二氧化硅基玻璃芯层，所述的包层包括内包层和外包层，所述的内包层为具有两个对称于纤芯分布的低折射率掺杂应力区的全固二氧化硅基玻璃层，所述的外包层是由空气孔排列而成的环形二氧化硅基玻璃层，外包层外设置支撑层，所述的支撑层为全固二氧化硅基玻璃层，光纤最外层为涂覆层。本发明不需采用低折射率特种涂料作外包层，大幅降低了涂料成本；其外包层为空气孔的二氧化硅基玻璃，耐高温，安全适用于高功率光纤激光器和光纤放大器中，同时适合大模场面积光纤的制备。
一种包层光纤

[发明专利]一种抗弯曲单模光纤及其制备方法-CN201810798627.4在审
发明人：邢应朋;李强;殷国亮;王晓娟;王骏杰;顾菊香;王怀童;张云朋;许永 -专利权人：江苏南方光纤科技有限公司
申请日： 2018-07-19 - 公布日： 2018-12-11 - 主分类号： G02B6/036 文献下载
摘要：本发明公开了一种抗弯曲单模光纤及其制备方法，主要解决的技术问题是现有技术中单模光纤弯曲附加损耗大，并且在室内的断裂概率高的问题，本发明通过一种抗弯曲单模光纤，包括由内而外依次设置的芯层、内包层、环沟层和外包层，所述芯层采用掺锗的二氧化硅，所述内包层采用纯二氧化硅，所述环沟层采用掺氟的二氧化硅，所述外包层采用纯二氧化硅的技术方案，较好地解决了该问题，可用于单模光纤。
单模光纤抗弯曲纯二氧化硅二氧化硅内包层外包层环沟芯层制备弯曲附加损耗断裂概率依次设置掺氟掺锗可用室内

[实用新型]一种模斑转换芯片-CN202122827195.5有效
发明人：余创;黄望隆;胡胜 -专利权人：武汉驿路通科技股份有限公司
申请日： 2021-11-17 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： G02B6/14 文献下载
摘要：本实用新型提供一种模斑转换芯片，涉及光通信领域；模斑转换芯片包括：硅基板以及设置在所述硅基板上的二氧化硅波导；所述二氧化硅波导包括依次连接的输入段、过渡段和输出段；所述输入段的数值孔径a为0.28～0.41μm；所述输出段的数值孔径b为0.12～0.15μm；所述过渡段的数值孔径c由靠近所述输入段的一端到靠近所述输出段的一端逐渐减小，且b≤c≤a；所述二氧化硅波导的外侧设置有二氧化硅包层；所述二氧化硅包层的折射率小于所述二氧化硅波导的折射率
一种转换芯片

[发明专利]一种超低衰减大有效面积单模光纤-CN202111269795.2在审
发明人：郑福生;刘军;王瑞春;李伯中;吴广哲;邓黎;周新艳;卢贺;刘善沛;朱继红;吴俊 -专利权人：国家电网有限公司信息通信分公司;长飞光纤光缆股份有限公司
申请日： 2021-10-29 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： G02B6/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种超低衰减大有效面积单模光纤，包括有芯层和包层，所述的包层从内到外依次包括有内包层和外包层，其特征在于所述的芯层为氯掺杂二氧化硅玻璃层，或为氟氯共掺杂二氧化硅玻璃层，芯层半径R1为4～10μm，相对折射率差Δn1为‑0.1％～0.2％，所述的内包层为氟掺杂二氧化硅玻璃层，内包层半径R2为20～40μm，相对折射率差Δn2为‑0.4％～‑0.11％，所述的外包层为全部或部分氟掺杂二氧化硅玻璃层
一种衰减有效面积单模光纤

[发明专利]一种碳包层二氧化硅复合微球及其制备方法和应用-CN202211390220.0在审
发明人：陶育宏;黄骏成;那海宁;朱锦 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2022-11-08 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： C01B33/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳包层二氧化硅复合微球及其制备方法和应用，属于复合材料领域，所述的碳包层SiO2复合微球包括改性二氧化硅微球内核和水热碳层外壳；制备方法包括以下步骤：(1)利用改性剂溶液对表面具有硅羟基基团的二氧化硅微球进行改性，得到所述的改性二氧化硅微球；(2)以改性二氧化硅微球和碳源为原料进行水热反应，在改性二氧化硅微球表面包覆水热碳层，得到所述的碳包层SiO本发明原料易得、方法简单、绿色无污染，且制得的碳包层SiO2复合微球具有可调节的粒径大小、碳层形态与外壳碳含量，能够高效催化加速纤维素水解成糖，且重复利用效果好
一种包层二氧化硅复合及其制备方法应用

[实用新型]光纤-CN201822100675.X有效
发明人：汤明明;钱宜刚;沈一春;何亮;秦钰;吴椿烽 -专利权人：中天科技精密材料有限公司;江苏中天科技股份有限公司
申请日： 2018-12-13 - 公布日： 2019-10-18 - 主分类号： G02B6/036 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种光纤，涉及光通信技术领域，其中光纤包括由内而外依次包括单掺锗二氧化硅芯层、隔断层、单掺氟二氧化硅光学包层及外包层，所述隔断层用于防止单掺锗二氧化硅芯层中锗和单掺氟二氧化硅光学包层中氟相互扩散；其中所述单掺氟二氧化硅光学包层分为三层，从内到外依次为浅掺氟层、主掺氟层及辅掺氟层，所述浅掺氟层及辅掺氟层的折射率均大于所述主掺氟层的折射率。通过隔断层的设置减少了掺杂元素的迁移导致的折射率的抵消，且通过单掺氟二氧化硅光学包层的分层设置，使SiO₂内掺氟的量在半径方向有一个浓度逐渐变化的过程，这种变化的过程可以使光纤截面粘度沿半径方向呈逐渐变化的趋势
掺氟层掺氟二氧化硅光学包层隔断层折射率掺锗二氧化硅逐渐变化光纤芯层低弯曲损耗光纤光通信技术领域本实用新型掺杂元素分层设置光纤截面低损耗外包层三层抵消迁移扩散

[发明专利]一种硅基铌酸锂高速光调制器及其制备方法-CN201710255559.2在审
发明人：李萍;范宝泉;刘丹;姜绍志 -专利权人：天津领芯科技发展有限公司
申请日： 2017-04-19 - 公布日： 2018-11-02 - 主分类号： G02F1/03 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基铌酸锂高速光调制器及其制备方法，调制器包括：硅基底晶片、二氧化硅下包层、铌酸锂薄膜、光学波导、金属电极、硅V形槽、耦合光纤，二氧化硅下包层位于硅基底晶片的上表面；铌酸锂薄膜位于二氧化硅下包层之上本发明的有益效果为：(1)实现了铌酸锂单晶晶体与硅单晶晶体的异质集成；(2)铌酸锂晶片的薄膜化，以及二氧化硅下包层的低介电常数、低介电损耗等特性，可实现铌酸锂光调制器的调制速率(或调制带宽)的提升；(3)铌酸锂晶片的薄膜化，以及二氧化硅下包层的高绝缘性，可实现分布于铌酸锂薄膜中的微波电磁场强度的增加，提高电场对光场的调制效率，降低器件的驱动电压。
二氧化硅下包层硅基铌酸锂薄膜调制器铌酸锂晶片薄膜化高速光铌酸锂晶片制备铌酸锂光调制器低介电常数低介电损耗微波电磁场铌酸锂单晶调制带宽调制效率高绝缘性光学波导降低器件金属电极驱动电压耦合光纤电场硅V形槽硅单晶晶体的上表面异质调制

[发明专利]一种基于直波导结构的热光开关及其制备方法-CN202310177605.7在审
发明人：王艳双 -专利权人：长春职业技术学院
申请日： 2023-02-28 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： G02F1/01 文献下载
摘要：该热光开关为直波导结构，沿光的传播方向由输入聚合物/二氧化硅混合直波导、聚合物/石墨烯/二氧化硅混合直波导、输出聚合物/二氧化硅混合直波导组成；从下至上，聚合物/石墨烯/二氧化硅混合直波导依次由硅衬底、下包层、波导芯层和侧包层、单层石墨烯、上包层和金属加热电极组成，波导芯层、单层石墨烯和金属加热电极沿光的传输方向为具有同一对称平面的左右对称结构。当对金属加热电极进行调制时，分布在二氧化硅芯层和聚合物上包层界面处的光场能量会发生改变，进而改变光信号与单层石墨烯的相互作用能力，最终改变光信号的吸收损耗，从而实现开关功能。
一种基于波导结构开关及其制备方法

[发明专利]一种基于稀疏矩阵结构的高分辨率低串扰相控阵扫描芯片-CN202310206913.8在审
发明人：冯吉军;刘海鹏;任文波;张福领;封治华 -专利权人：上海理工大学
申请日： 2023-03-07 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本发明提出一种基于稀疏矩阵天线的高分辨率硅光相控阵扫描芯片，包括硅基衬底、二氧化硅缓冲层、二氧化硅包层和基于硅波导的芯层；芯层包括光分束单元、热光移相器和出射光栅波导阵列；光分束单元和出射光栅波导阵列位于二氧化硅包层内且位于二氧化硅缓冲层上；热光移相器置于二氧化硅包层上；光分束单元包括多个基于硅波导的分束器；分束器的工作带宽1450‑1750nm。
一种基于稀疏矩阵结构高分辨率低串扰相控阵扫描芯片