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[发明专利]紫外写入二氧化硅波导上制备布拉格光栅的方法-CN200410074149.0无效
发明人：夏君磊;吴远大;安俊明;郜定山;李健;龚春娟;胡雄伟 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2004-09-03 - 公布日： 2006-03-08 - 主分类号： G02B6/02 文献下载
摘要：一种在紫外写入二氧化硅波导上制备布拉格光栅的方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)在硅衬底或二氧化硅衬底上依次形成下包层，波导层和上包层；(2)通过紫外写入法在波导层中形成波导；(3)对紫外写入波导进行载氢；(4)然后在波导上写入布拉格光栅；(5)退火，稳定光栅性能。
紫外写入二氧化硅波导制备布拉格光栅方法

[发明专利]异质集成光波导可调波分复用/解复用器的制作方法-CN201410125843.4有效
发明人：刘瑞丹;王玥;吴远大;安俊明 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2014-03-31 - 公布日： 2014-06-25 - 主分类号： G02B6/132 文献下载
摘要：一种异质集成光波导可调波分复用/解复用器的制作方法，包括：去掉S0I基片上的部分顶层硅；在暴露的二氧化硅层上淀积二氧化硅波导芯层；在二氧化硅波导芯层材料上制作二氧化硅阵列波导光栅；在制作有二氧化硅阵列波导光栅上淀积二氧化硅波导上包层；去掉可调光衰减器阵列区域部分顶层硅上的材料，暴露出顶层硅；在可调光衰减器阵列区域部分的顶层硅上制作脊型波导，该脊型波导的一侧为第一平板波导区，另一侧为第二平板波导区；掺杂，形成P型掺杂区和N型掺杂区；在可调光衰减器阵列区域上的脊型波导上淀积绝缘材料层；淀积金属电极，完成制备。本发明可以实现基于同一S0I基平台的低损耗、低功耗、高响应速度的二氧化硅阵列波导光栅和S0I可调光衰减器阵列的异质集成芯片的制作。
集成波导可调波分复用解复用器制作方法

[发明专利]一种三包层掺铥光纤及其制备方法-CN201510424997.8有效
发明人：冯高峰;葛锡良;马静;章海峰;杨军勇 -专利权人：富通集团有限公司
申请日： 2015-07-20 - 公布日： 2018-02-23 - 主分类号： G02B6/036 文献下载
摘要：本发明提供了一种三包层掺铥光纤及其制备方法，该掺铥光纤包括纤芯；所述纤芯中包括二氧化硅、氧化铥、氧化铝和五氧化二磷，氧化铥的摩尔含量为0.2～0.8％，五氧化二磷的摩尔含量为0.5～1.0％，氧化铝与氧化铥的摩尔比≥8；所述纤芯的直径d1为10～30μm；套设在所述纤芯表面的内包层，内包层中包括掺杂剂和二氧化硅；内包层的直径为d2，2.5d1≤d2≤4d1；套设在所述内包层表面的外包层，所述外包层包括二氧化硅；和套设在所述外包层表面的树脂层本发明提供的三包层掺铥光纤通过控制内包层中的组分和纤芯中组分的含量、纤芯和内包层的直径，减小了纤芯的数值孔径，提高输出激光的斜率效率和光束质量。
一种包层光纤及其制备方法

[发明专利]一种纯硅芯低损耗光纤的制造方法-CN201610463104.5有效
发明人：马静;冯高锋;杨军勇;章海峰;陈坚盾 -专利权人：浙江富通光纤技术有限公司;富通集团有限公司;杭州富通通信技术股份有限公司
申请日： 2016-06-21 - 公布日： 2019-01-18 - 主分类号： C03B37/014 文献下载
摘要：本申请公开了一种纯硅芯低损耗光纤的制造方法，包括：对掺氟沉积管的内壁进行蚀刻；在所述掺氟沉积管内沉积二氧化硅并进行玻璃化，形成二氧化硅芯层；将具有所述二氧化硅芯层的所述掺氟沉积管熔缩为实心的芯棒，其中，所述掺氟沉积管形成内包层；在所述芯棒的外部沉积二氧化硅，形成外包层，制成纯硅芯光纤预制棒；将所述纯硅芯光纤预制棒进行拉丝，制成纯硅芯低损耗光纤。
一种纯硅芯低损耗光纤制造方法

[发明专利]Ge-P共掺杂的多模光纤-CN201280065933.8在审
发明人： D·C·布克班德;M-J·李;P·坦登 -专利权人：康宁股份有限公司
申请日： 2012-10-31 - 公布日： 2014-11-26 - 主分类号： G02B6/028 文献下载
摘要：根据至少一个实施例，梯度折射率多模光纤(10)包括：(i)基于二氧化硅的纤芯(20)，其共掺杂有GeO₂和1-12摩尔％的P₂O₅；该纤芯/sub>和α₂，在840和1100nm之间的波长(λ)范围处，1.8≤α₁≤2.4且1.9≤α₂≤2.4，以及(ii)围住纤芯的基于二氧化硅的包层区优选地，围住纤芯(20)的基于二氧化硅的包层区(200)具有低于纯二氧化硅更低的折射率。
ge 掺杂光纤

[发明专利]一种基于二维光栅结构的少模层间耦合器-CN202310851298.6在审
发明人：王希斌;车远华;孙士杰;谢宇航;王菲;张大明 -专利权人：吉林大学
申请日： 2023-07-12 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： G02B6/124 文献下载
摘要：一种基于二维光栅结构的少模层间耦合器及其制备方法，属于平面光波导器件及其制备技术领域。本发明由硅片衬底、在硅片衬底上制备的二氧化硅下包层、在二氧化硅下包层上制备的聚合物层间耦合层、在聚合物层间耦合层和二氧化硅下包层上制备的聚合物上包层组成，聚合物层间耦合层被包覆在聚合物上包层之中；上层氮化硅直波导芯由上层氮化硅直波导和上层二维光栅波导组成，下层氮化硅直波导芯层由下层二维光栅波导和下层氮化硅直波导组成。本发明充分发挥了氮化硅波导传输损耗低、透明窗口宽、热稳定性高的优势，以及聚合物材料种类多、制备工艺简单等优势，并且这两种材料还具备工艺成熟、相互兼容的特点，适合大规模制备生产，具有重要的应用前景。
一种基于二维光栅结构少模层间耦合器

[发明专利]装有掺以稀土或过渡金属的光纤的产品-CN93117056.7无效
发明人：陈成浩;Ｋ·Ｌ·沃克;Ｐ·Ｊ·勒梅尔 -专利权人：美国电话及电报公司
申请日： 1993-08-27 - 公布日： 1999-07-07 - 主分类号： G02B6/16 文献下载
摘要：以二氧化硅为主要原料掺以Ｇｅ、Ａｌ和稀土元素杂质的光纤对氢引起的衰减变化非常敏感。其损耗增加的速率在２０℃时是普通单模光纤的１０倍。二氧化硅为主要原料掺过渡金属杂质的光纤，其氢引起的衰减变化也大。为减少光纤衰减变化，本发明加设吸氢物质和／或“气密性”光纤被覆层，以基本上消除这种变化。较好的作法是设能吸氢的二氧化硅包层材料，并加设“气密性”光纤包层。还公开了将光纤连同吸气物质装入气密的封闭箱中。
装有稀土过渡金属光纤产品

[发明专利]具有低折射率玻璃环的对弯曲不敏感的光纤-CN201080007017.X无效
发明人： X·陈;M-J·李;A·刘 -专利权人：康宁股份有限公司
申请日： 2010-01-08 - 公布日： 2012-01-04 - 主分类号： G02B6/036 文献下载
摘要：光纤包括外径约小于120微米的基于二氧化硅的玻璃部分。所述玻璃部分包括芯、内包层和低折射率环。所述芯具有折射率n1，和相对于纯二氧化硅玻璃的相对折射率百分数Δ1％。所述内包层围绕着芯，并具有折射率n2，约小于40微米的径向厚度，和相对于纯二氧化硅玻璃的相对折射率百分数Δ2％，其中Δ1％＞Δ2％，Δ1％与Δ2％之差大于0.1％。低折射率环围绕着所述内包层，并包含硼和氟，具有约小于20微米的径向厚度，折射率n3，和相对于纯二氧化硅玻璃的第三相对折射率百分数Δ3％，其中Δ2％＞Δ3％，Δ3％约小于-0.5％。
具有折射率玻璃弯曲敏感光纤

[发明专利]一种金属氧化物半导体气体传感器及其制备方法和应用-CN202210025951.9有效
发明人：仝召民;舒宏伟;牛峰 -专利权人：山西大学
申请日： 2022-01-11 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： G01N27/414 文献下载
摘要：本发明属于气体传感器领域，尤其涉及一种金属氧化物半导体气体传感器及其制备方法和应用。本发明提供的气体传感器包括：导电纤芯；包覆在所述导电纤芯侧面的二氧化硅包层；缠绕固定于所述二氧化硅包层表面的两个气体检测电极；包覆在所述二氧化硅包层表面的金属氧化物半导体层，两个所述气体检测电极的自由端从所述金属氧化物半导体层穿出本发明提供的气体传感器以导电纤芯作为热源，以二氧化硅作为绝缘基底，具有热源利用率高、体积小、制备工艺简单等优点，且该气体传感器还具有一定的柔韧性，使金属氧化物半导体气体传感器的柔性可穿戴应用成为可能。
一种金属氧化物半导体气体传感器及其制备方法应用

[发明专利]光纤预制棒、光纤、光纤布拉格光栅及其制备方法-CN202111088338.3在审
发明人：曹珊珊;陈焕权;郑加金;油光磊;徐海涛;朱钱生;刘志忠;沈一春;薛驰 -专利权人：中天科技光纤有限公司;江苏中天科技股份有限公司;南京邮电大学;江东科技有限公司
申请日： 2021-09-16 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： C03B37/012 文献下载
摘要：该光纤由内向外包括芯棒、第一掺氟包层、第二掺氟包层、第三掺氟包层、外包层和耐高温涂层；芯棒主要由掺锗二氧化硅制成，其相对于外包层的折射率为0.42％～0.48％；第一掺氟包层、第二掺氟包层以及第三掺氟包层都主要由掺氟二氧化硅制成；第一掺氟包层相对于外包层的折射率为‑0.001％～‑0.005％，第二掺氟包层相对于外包层的折射率为‑0.05％～‑0.1％，第三掺氟包层相对于外包层的折射率为‑0.02％～‑0.03％；外包层主要由二氧化硅制成；耐高温涂层涂覆在外包层外。
光纤预制布拉格光栅及其制备方法

[发明专利]用于光频梳的氮化硅微环谐振腔的制备方法-CN202011392129.3有效
发明人：冯梁森;李维;李昱东;武腾飞 -专利权人：中国航空工业集团公司北京长城计量测试技术研究所
申请日： 2020-12-01 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： G02B6/136 文献下载
摘要：一种用于光频梳的氮化硅微环谐振腔的制备方法，包括：硅片上生长二氧化硅作为下包层；下包层上生长氮化硅作为缓冲层；缓冲层上生长二氧化硅作为掩膜层，再将其制备成长条形、方形或者圆形的周期性结构；在具有周期性结构的缓冲层上分多步生长氮化硅作为波导层，生长结束后进行高温退火，冷却后再次进行氮化硅生长直到所需的波导层厚度；在波导层上旋涂一层聚合物，然后进行纳米压印，形成图形，压印结束后移去纳米压印模板；利用ICP刻蚀工艺将聚合物图形转移到氮化硅波导层上，并对硅片进行有机清洗，去掉聚合物，完成图形转移，得到微环结构和条形波导结构；在波导层上继续生长一层二氧化硅作为上包层，完成氮化硅微环谐振腔的制备。
用于光频梳氮化硅微环谐振腔制备方法

[发明专利]一种弯曲不敏感多模光纤-CN201410419458.0在审
发明人：张磊;龙胜亚;王润涵;黄荣;张立岩;王瑞春 -专利权人：长飞光纤光缆股份有限公司
申请日： 2014-08-25 - 公布日： 2015-02-18 - 主分类号： G02B6/036 文献下载
摘要：本发明涉及一种弯曲不敏感多模光纤，包括有芯层、内包层和外包层，其特征在于芯层半径R1为23～26微米，芯层折射率剖面呈抛物线，分布指数α为1.9～2.2，最大相对折射率差Δ1为0.9～1.2%，内包层从内到外依次为第一内包层、第二内包层和下陷包层，其中第一内包层单边宽度1~3μm，相对折射率差Δ2为-0.02～0.02%，第二内包层为纯二氧化硅层，单边宽度为2~6μm，下陷包层为掺F二氧化硅玻璃层，下陷包层的宽度为4.5~8μm，相对折射率差为-0.38%～-0.45%；所述的外包层为纯二氧化硅玻璃层。本发明使用了粘度匹配的双内包层结构，从粘度设计上减少拉丝张力对光纤芯层部分的影响，降低光纤的弯曲敏感性；同时合理优化和设计光纤内包层宽度与下陷包层的体积，使两者互相匹配并达到最优值，同时获得较好的抗弯曲性能以及
一种弯曲敏感光纤

[发明专利]光耦合结构、系统及光耦合结构的制备方法-CN201811529559.8有效
发明人：杨林;杨尚霖;张磊 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2018-12-13 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种光耦合结构、系统及光耦合结构的制备方法，其中，所述方法包括：步骤S101：准备基底；步骤S102：在基底上形成铌酸锂光波导；步骤S103：在铌酸锂光波导的周壁上形成包裹铌酸锂光波导的二氧化硅芯层；步骤S104：在二氧化硅芯层的周壁上形成包裹二氧化硅芯层的二氧化硅包层。
耦合结构系统制备方法

[发明专利]一种采用脊形波导的马赫曾德光调制器晶片结构及其制备工艺-CN201610518099.3在审
发明人：华平壤;陈朝夕 -专利权人：派尼尔科技（天津）有限公司
申请日： 2016-06-30 - 公布日： 2016-09-28 - 主分类号： G02F1/035 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于镁掺杂近化学计量比铌酸锂单晶薄膜和单晶氧化钽脊形波导的光调制器制作方式，所选用的基底材料是铌酸锂晶体，该晶片的复合结构自下向上包括铌酸锂衬底，二氧化硅下包层，镁掺杂近化学计量比铌酸锂单晶薄膜，单晶氧化钽脊形波导结构，二氧化硅上包层，行波电极。本发明能够大大降低了在光传输过程中的损耗，在铌酸锂薄膜层镁掺杂的浓度达到抗光折变阈值，能够对短波长如红光、绿光或蓝紫色光进行调制，采用二氧化硅作为上下包层，在实现低功耗驱动的同时降低了调制器的尺寸，提高了器件的稳定性
一种采用脊形波导马赫曾德光调制器晶片结构及其制备工艺

[发明专利]一种平面光波导分路器波导分叉的填充方法-CN201310623856.X在审
发明人：吕耀安;翟继鑫 -专利权人：无锡宏纳科技有限公司
申请日： 2013-12-01 - 公布日： 2015-06-03 - 主分类号： G02B6/125 文献下载
摘要：本发明公开了一种平面光波导分路器波导分叉的填充方法，其特征在于包括以下步骤：101、将表面进行等离子体物理刻蚀后的晶圆放入上包层生长设备中进行上包层薄膜沉积；102、在晶圆表面生长一薄层高掺杂硼磷的二氧化硅薄膜；103、将生长完二氧化硅薄膜的晶圆放入1000-1500度高温炉中退火1-5小时；104、在晶圆表面上生长6-8微米低掺杂硼磷的二氧化硅薄膜；105、重复步骤104两次，即再生长12-16微米低掺杂硼磷的二氧硅薄膜；106、将生长完二氧化硅薄膜的晶圆放入1000-1500度高温炉中退火10-20小时后取出。
一种平面波导分路分叉填充方法