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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]自适应控制电路-CN202211419209.2在审
发明人：王道平 -专利权人：联发科技股份有限公司
申请日： 2022-11-14 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： G11C11/417 文献下载
摘要：本发明提供了一种静态随机存取存储器(SRAM)的自适应控制电路，包括切换电路、正向二极管接法晶体管、反向二极管接法晶体管和第一延迟电路。切换电路由电源电压供电并耦接至第一节点。反向二极管接法晶体管和正向二极管接法晶体管并联耦接在第一节点和第二节点之间。第一延迟电路耦接于第二节点与接地电压之间。本发明的自适应控制电路不仅提供了可接受的操作速度，而且还保持了足够的读取余量。
自适应控制电路

[发明专利]一种LED恒流驱动芯片-CN201510512994.X有效
发明人：乔明;于亮亮;何逸涛;代刚;方东;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2015-08-20 - 公布日： 2017-10-27 - 主分类号： H05B37/02 文献下载
摘要：包括第一高反向耐压恒流器件、第二高反向耐压恒流器件、第一高压二极管和第二高压二极管；第一高反向耐压恒流器件阳极与第二高压二极管阴极连接形成第一节点，第一高反向耐压恒流器件阴极与第二高反向耐压恒流器件阴极连接形成第二节点，第二高反向耐压恒流器件阳极与第一高压二极管阴极连接形成第三节点，第一高压二极管阳极与第二高压二极管阳极连接形成第四节点；第一节点和第三节点分别连接第一交流输入端和第二交流输入端，第二节点和第四节点分别连接第一直流输出端和第二直流输出端
一种 led 驱动芯片

[实用新型]一种电动轮汽车电源控制装置-CN201120088820.2无效
发明人：范德志;曾继军;彭建军;项东军 -专利权人：江西铜业股份有限公司
申请日： 2011-03-30 - 公布日： 2011-10-05 - 主分类号： B60R16/02 文献下载
摘要：本实用新型的技术方案是：设置二极管1D，二极管1D的阳极与钥匙开关的一节点由导线连接，二极管1D的阴极与电磁阀通过接线端子由导线连接，设置二极管2D，二极管2D的阳极与系统电源中间继电器的一节点由导线连接，二极管2D阴极与电磁阀通过接线端子由导线连接，电磁阀的供电方式有两种，一种由系统电源中间继电器和二极管2D提供，另一种由钥匙开关和二极管1D提供，两种方式互不干扰、互为备用。
一种动轮汽车电源控制装置

[发明专利]基于对称四端口的单相三电平功率因数校正整流器-CN201910871507.7有效
发明人：马辉;鲁海鹏 -专利权人：三峡大学
申请日： 2019-09-16 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： H02M1/42 文献下载
摘要：D1阳极、二极管D2阴极，其连接节点构成端点b；交流电源AC另一侧连接电感L一端，电感L另一端分别连接开关管Q3源极、开关管Q4漏极，其连接节点构成端点a；开关管Q3漏极分别连接二极管D1阴极、二极管D8阳极，其连接节点构成端点c；开关管Q4源极分别连接二极管D2阳极、二极管D7阴极，其连接节点构成端点d；二极管D8阴极连接电容Cdc2另一端连接二极管D7阳极，其连接节点构成端点m。
基于对称端口单相电平功率因数校正整流器

[实用新型]基于二极管的小压差电平转换电路-CN201721826446.5有效
发明人：陈乐;黄如星 -专利权人：前海联大（深圳）技术有限公司
申请日： 2017-12-25 - 公布日： 2018-07-03 - 主分类号： H03K19/0175 文献下载
摘要：一种基于二极管的小压差电平转换电路，其特征在于，该装置包括:第一微处理单元，第二微处理单元，第一电阻，第二电阻，第一节点，第二节点，单向二极管，第一电源，第二电源；所述第一微处理单元与单向二极管的正极耦接于第一节点，所述第二电阻的一端与第一直流电源电性耦接，所述第二电阻的另一端还与第一微处理单元耦接于第一节点；所述单向二极管的负极与第一电阻的一端耦接于第二节点，所述单向二极管的负极还与第二微处理单元耦接于第二节点本实用新型利用二极管单向导通特性，实现不同电平信号间数据传输，成本低廉，设计灵活。
微处理单元电阻单向二极管耦接电平转换电路二极管本实用新型负极压差电源正极单向导通特性电平信号电性耦接数据传输有效解决直流电源灵活

[发明专利]基于量子阱二极管器件的光通信网络结构及其控制方法-CN202310911212.4在审
发明人：王永进;傅康 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2023-07-21 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H04B10/11 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于量子阱二极管器件的光通信网络结构及其控制方法。所述基于量子阱二极管器件的光通信网络结构包括多个网络节点，网络节点包括：光源，包括量子阱二极管器件，量子阱二极管器件能够向外界发射第一光信号，量子阱二极管能够接收来自于外界的第二光信号并将第二光信号转换为光生电流信号；发射结构，用于驱动光源中的量子阱二极管器件向外界发射第一光信号；接收结构，用于接收光生电流信号；模式切换结构；控制组件，包括信息处理结构和组网协议结构，信息处理结构包括发射处理电路和接收处理电路，组网协议结构中存储有全部的网络节点的地址信息
基于量子二极管器件光通信网络结构及其控制方法

[发明专利]基于混合H桥的单相两管五电平整流器-CN201911283810.1有效
发明人：马辉;鲁海鹏;郑凯通;韩笑 -专利权人：三峡大学
申请日： 2019-12-13 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： H02M1/42 文献下载
摘要：基于混合H桥的单相两管五电平整流器，包括开关管Q1、开关管Q2，交流电源Vs一侧分别连接二极管D1阳极、二极管D2阴极，该连接节点构成端点b；电感L另一端与二极管D3、D4、D5、D6的连接节点构成端点a；开关管Q1漏极与二极管:Sub>源极与二极管D2、D4、D8的连接节点构成端点d；二极管D8阳极连接电容C2负极构成端点m；二极管D11阳极、二极管D12<
基于混合单相两管五电平整流器

[发明专利]根据入射光选择光电流路径的图像传感器和图像感测方法-CN200710110170.5无效
发明人：朴钟银;李容济 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2007-06-14 - 公布日： 2008-01-16 - 主分类号： H04N5/335 文献下载
摘要：像素对可以包括第一像素，包括第一光电二极管、第一晶体管对以及具有第一电容量的第一浮置扩散节点。该像素对还可以包括第二像素，包括第二光电二极管、第二晶体管对以及具有第二电容量的第二浮置扩散节点。第一晶体管对的第一晶体管可以被连接在第一光电二极管和第一浮置扩散节点之间。第一晶体管对的第二晶体管可以被连接在第一光电二极管和第二浮置扩散节点之间。第二晶体管对的第一晶体管可以被连接在第二光电二极管和第二浮置扩散节点之间。第二晶体管对的第二晶体管可以被连接在第二光电二极管和下一个像素对的第一浮置扩散节点之间。第一浮置扩散节点的第一电容量可以大于第二浮置扩散节点的第二电容量。
根据入射选择电流路径图像传感器图像方法

[实用新型]一种采样电阻保护电路及空调器-CN201820987085.0有效
发明人：史欧阳;杨帆;黄银彬;郑嘉良;刘志辉 -专利权人：珠海格力电器股份有限公司
申请日： 2018-06-25 - 公布日： 2019-02-22 - 主分类号： H02H11/00 文献下载
摘要：本实用新型公开一种采样电阻保护电路及空调器，该采样电阻保护电路包括：二极管以及三相电流采样电路；二极管的正端连接于采样电阻保护电路的原接地端，二极管的负端连接于三相电流采样电路的原总采样输出节点；二极管，用于当采样电阻保护电路的电源接反时，承受原接地端施加的电压，以保护采样电阻；其中，原接地端和原总采样输出节点为采样电阻保护电路的电源正接时的接地端与总采样输出节点。由此，当电源接反后，二极管由于自身的反向截止特性，可以承受来自原接地端(现正极)的电压，以避免电流过大烧毁采样电阻。
采样电阻二极管电路原接地端输出节点总采样三相电流采样电路电源空调器接反正极本实用新型反向截止接地端负端正端正接烧毁施加

[发明专利]具有减小的EMI噪声的无桥式PFC功率变换器-CN201410228724.1在审
发明人：许华明;李威;张辉;张新豪;张毅 -专利权人：弗莱克斯电子有限责任公司
申请日： 2014-05-27 - 公布日： 2014-12-17 - 主分类号： H02M7/217 文献下载
摘要：开关单元包括耦合至输入AC电压源的相对两端的第一晶体管开关和第二晶体管开关，以及第一整流二极管和第二整流二极管，一个整流二极管串联地耦合至两个晶体管开关中的每个晶体管开关。升压电感器耦合至每个晶体管开关和整流二极管串联之间的接合节点。第三整流二极管或第三晶体管开关耦合至输入AC电压源和第一晶体管开关之间的接合节点。第四整流二极管或第四晶体管开关耦合至输入AC电压源和第二晶体管开关之间的接合节点。整流二极管耦合至输出电容器。两个开关单元能被交错。
具有减小 emi 噪声无桥式 pfc 功率变换器

[发明专利]有机发光二极管补偿电路、显示面板和显示装置-CN201811010765.8有效
发明人：徐豪杰;周星耀;李玥;高娅娜 -专利权人：武汉天马微电子有限公司
申请日： 2018-08-31 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： G09G3/3225 文献下载
摘要：本发明公开了一种有机发光二极管补偿电路、显示面板和显示装置，包括：第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、存储电容以及有机发光二极管；第一晶体管的栅极和第一扫描信号线电连接，第一极和数据信号线电连接，第二极和第一节点电连接；第二晶体管的栅极和第一发光控制信号线电连接，第一极和第一电压信号线电连接，第二极和第二节点电连接；第三晶体管的栅极和第一节点电连接，第一极和第二节点电连接，第二极和第三节点电连接；第四晶体管的栅极和第一控制信号线电连接，第一极和感测信号线电连接，第二极和第二节点电连接。本发明提供的有机发光二极管补偿电路具有外部补偿功能，可以提升工作性能。
有机发光二极管补偿电路显示面板显示装置

[发明专利]传输门电路下方具有微笑结构的CMOS图像传感器像素-CN200610079259.5有效
发明人：塞特亚得夫·H·那哥拉亚 -专利权人：豪威科技有限公司
申请日： 2006-04-24 - 公布日： 2006-10-25 - 主分类号： H01L21/822 文献下载
摘要：本发明的像素包括光电二极管和传输晶体管，传输晶体管形成在光电二极管与漂浮节点之间，并选择性地将信号从光电二极管传输至漂浮节点，而且传输晶体管具有形成在其传输门电路与漂浮节点的界面处的鸟嘴结构。本发明的像素还包括用于将漂浮节点复位到参考电压的复位晶体管以及被漂浮节点控制的放大晶体管。
传输门电路下方具有微笑结构 cmos 图像传感器像素

[发明专利]太赫兹分谐波混频器中二极管嵌入阻抗仿真提取电路及方法-CN202210033556.5在审
发明人：张波;陈波 -专利权人：四川众为创通科技有限公司
申请日： 2022-01-12 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： G06F30/36 文献下载
摘要：本发明涉及太赫兹分谐波混频器中二极管嵌入阻抗仿真提取电路及方法，它包括射频源、本振源、二极管非本征模型、第一二极管管芯、第二二极管管芯、电流探针和电压节点；所述射频源和本振源分别连接在二极管非本征模型的两个端口上，用于提供射频信号和本振信号；所述第一二极管管芯和第二二极管管芯分别连接在二极管非本征模型的剩下两个端口上；所述电流探针和电压节点设置与所述本振源和二极管非本征模型的端口之间用于分别测试混频电流中产生的调制信号的电流和电压本发明建立的混频器性能分析电路模型简单有效，仅由三个仿真元件构成，数量比现有方法减少一半以上，由此降低二极管阻抗提取复杂度。
赫兹谐波混频器二极管嵌入阻抗仿真提取电路方法

[发明专利]多功能LED基板-CN201010509693.9无效
发明人：杨庭芳 -专利权人：宏亚光电股份有限公司
申请日： 2010-10-18 - 公布日： 2012-05-16 - 主分类号： F21V23/06 文献下载
摘要：一种多功能LED基板，设置有电路基板，电路基板上封装有发光二极管模块，电路基板设置有第一桥式整流电路与第二桥式整流电路，第一桥式整流电路具有一组第一负载节点以及一组第一电源节点，第二桥式整流电路具有一组第二负载节点以及一组第二电源节点，且第一电源节点与第二电源节点为呈并联状，而发光二极管模块设置有以多个发光二极管所串接形成的第一发光件与第二发光件，且第一发光件与第二发光件分别连接于第一负载节点与第二负载节点，可利用第一与第二负载节点的串联与否，来改变发光二极管模块所需的启动电源，以使封装于电路基板上的发光二极管模块，可利用不同电压的电源加以启动。
多功能 led 基板

[发明专利]包括DRAM电容器的图像传感器及其操作方法-CN202210282446.2在审
发明人：沈殷燮;安正言卓;李景镐 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-03-22 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H04N5/374 文献下载
摘要：多个像素中的每一个包括：第一光电二极管；传输晶体管，连接到第一光电二极管；第一浮动扩散节点、第二浮动扩散节点和第三浮动扩散节点，所述第一浮动扩散节点、第二浮动扩散节点和第三浮动扩散节点连接到传输晶体管以累积由第一光电二极管产生的电荷；LCG电容器，连接到第三浮动扩散节点以累积由第一光电二极管产生的电荷；MCG晶体管，连接在第一浮动扩散节点与第二浮动扩散节点之间；以及LCG晶体管，连接到第三浮动扩散节点。
包括 dram 电容器图像传感器及其操作方法

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