“二极管节点”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果11448692个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[实用新型]级联五电平输出二极管箝位桥式变频器-CN201220483699.8有效
发明人：张锋 -专利权人：成都市思博睿科技有限公司
申请日： 2012-09-21 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： H02M7/487 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种级联五电平输出二极管箝位桥式变频器，包括多个结构相同的五电平输出变频器单元，每个五电平输出变频器单元由八个结构相同的可控开关和四个二极管构成，每四个可控开关串联为一个开关串联电路，每两个二极管的正负极首尾串联为一个二极管串联电路，二极管串联电路的两端分别与开关串联电路的中心节点两侧的两个节点连接，第一开关串联电路和第二开关串联电路并联后的两端为对应的五电平输出变频器单元的电源输出端；相邻的五电平输出变频器单元的开关串联电路的中心节点连接；首、尾两个五电平输出变频器单元的开关串联电路的中心节点分别为电源输入端的两端。
级联电平输出二极管箝位变频器

[实用新型]光电一体光源模块-CN201420514342.0有效
发明人：黄兆武 -专利权人：厦门光莆照明科技有限公司
申请日： 2014-09-09 - 公布日： 2014-12-31 - 主分类号： F21V23/00 文献下载
摘要：本实用新型公开一种光电一体光源模块，包括一基板、焊接设置于基板上一驱动电源电路、以及封装设置在该基板上的发光二极管单元；其中，该驱动电源电路是发光二极管线性驱动电源电路，具体是：交流电输入端依次电连接一保护电路模块及一整流模块，该整流模块的输出端正极和负极还连接一线性驱动电源芯片模块，该发光二极管单元与该线性驱动电源芯片模块连接，该发光二极管单元中的各发光二极管单体是串联连接，其中该线性驱动电源芯片模块的多个MOS控制端连接于该发光二极管单元中的多个发光二极管单体的串联节点，该发光二极管单元的输入总正极连接于该整流模块的输出端正极。
光电一体光源模块

[发明专利]智能免维护直流电源系统中储能超级电容组的连接电路-CN201210156847.X无效
发明人：尚武;王侨举;顾德明;张婕;甄雪灵;杜洋 -专利权人：天津市三源电力设备制造有限公司
申请日： 2012-05-21 - 公布日： 2012-09-12 - 主分类号： H02J1/10 文献下载
摘要：本发明公开一种智能免维护直流电源系统中储能超级电容组的连接电路，所述连接电路包括：AD/DC恒流限压充电器、DC/DC直流转换器、运行的储能超级电容C和并入的储能超级电容GC并联，还包括两组二极管，每组二极管分别由两个串联连接二极管组成；两组二极管中第一个二极管和第二个二极管之间的节点分别连接运行的储能超级电容C的正极和并入的储能超级电容GC的正极；两组二极管中第一个二极管的正极均连接AD/DC恒流限压充电器的正极A；两组二极管中第二个二极管的负极均连接
智能维护直流电源系统中储能超级电容连接电路

[发明专利]一种具有检测接线功能的单相插座-CN201310520003.3在审
发明人：楚军田;申连喜 -专利权人：中国华冶科工集团有限公司
申请日： 2013-10-29 - 公布日： 2014-01-29 - 主分类号： G01R31/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有检测接线功能的单相插座，包括：相线极L、零线极N、地线极E和检测电路；其中，检测电路包括：三个发光二极管、三个限流电阻和一个常开触点按钮；并且，在相线极L与零线极N之间、零线极N与地线极E之间分别依次串联有一个发光二极管和一个限流电阻；在串联在相线极L与零线极N之间的发光二极管靠近相线极L的一侧设置有节点A，常开触点按钮（3）设置在相线极L与节点A之间；在地线极E依次通过一个限流电阻、一个发光二极管，节点A和常开触点（3）与相线极L串联连接。
一种具有检测接线功能单相插座

[发明专利]发光二极管像素电路及显示面板-CN201811642317.X有效
发明人：付舰航 -专利权人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2020-10-13 - 主分类号： G09G3/3233 文献下载
摘要：本发明涉及一种发光二极管像素电路及显示面板。该发光二极管像素电路包括：作为驱动薄膜晶体管的第一薄膜晶体管(T1)，其栅极连接第一节点(G)，源极和漏极分别连接第二节点(S)和电源高电压(OVDD)；作为开关薄膜晶体管的第二薄膜晶体管(T2)，其栅极连接本行像素的扫描信号(SCANn)，源极和漏极分别连接第一节点(G)和数据信号(Vdata)；发光二极管(LED)，其阳极连接第二节点(S)，阴极连接电源低电压(OVSS)；以及第一电容(C1)，第二电容(C2)，和第三薄膜晶体管(T3)。本发明的发光二极管像素电路及显示面板，通过改进像素电路使其能够采用输出电压分辨率较低的源极芯片进行精细的电流控制；改进后的像素电路结构简单，且不需增加驱动信号。
发光二极管像素电路显示面板

[发明专利]基于横向溢流集成电容的多模式复用像素结构-CN202211518474.6在审
发明人：徐江涛;杨曰近;聂凯明;高志远;高静 -专利权人：天津大学
申请日： 2022-11-30 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H04N25/77 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于横向溢流集成电容的多模式复用像素结构，包括源极跟随器和行选择管，一号传输栅一端连接至浮动扩散节点，另一端经一号光电二极管接地，二号传输栅一端连接至浮动扩散节点，另一端经二号光电二极管接地，三号传输栅一端连接至浮动扩散节点，另一端经三号光电二极管接地，四号传输栅一端连接至浮动扩散节点，另一端经四号光电二极管接地；复位管一端连接至浮动扩散节点，另一端连接电压源；横向溢出集成电容一端接地，另一端经依次串联的电容控制栅、电荷存储栅、浮动扩散栅连接至浮动扩散节点。
基于横向溢流集成电容模式像素结构

[发明专利]具有多个存储节点的图像传感器像素-CN201510747290.0有效
发明人：伊贤敏 -专利权人：豪威科技股份有限公司
申请日： 2015-11-06 - 公布日： 2019-02-05 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有多个存储节点的图像传感器像素。图像传感器像素包含光电二极管、第一存储节点、第二存储节点、第一转移存储栅极、第二转移存储栅极、浮动扩散及输出栅极。所述光电二极管用于响应于图像光而产生图像电荷。所述第一存储节点、所述第二存储节点及所述光电二极管具有第一掺杂极性。所述第一转移存储栅极经耦合以将所述图像电荷从所述光电二极管转移到所述第一存储节点。所述第一转移存储栅极安置在所述第一存储节点的较大部分上方。所述第二转移存储栅极经耦合以将所述图像电荷从所述第一存储节点转移到所述第二存储节点。所述第二转移存储栅极安置在所述第二存储节点的较大部分上方。所述输出栅极将所述图像电荷从所述第二存储节点转移到所述浮动扩散。
具有存储节点图像传感器像素

[发明专利]具有级联二极管电路的升压电路和逆变器拓扑-CN201710486849.8有效
发明人： E·特梅西;M·弗里施 -专利权人：文科泰克(德国)有限责任公司
申请日： 2017-06-23 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： H02M1/42 文献下载
摘要：用于连接至交流(AC)电源的功率因数校正(PFC)升压电路包括：用于连接至AC电源的AC输入节点(102)；用于连接至参考电位的参考电位节点(104)；以及至少第一和第二功率晶体管，其相对于彼此反向串联连接在所述AC输入节点与所述参考电位节点之间，其中第一功率晶体管(T1)反向并联连接到第一功率二极管(D5)，第二功率晶体管(T2)反向并联连接到第二功率二极管(D6)。第一二极管电路(D1、D2)连接在所述AC输入节点(102)与正输出节点(112)之间，并且包括具有不同恢复时间的第一和第二二极管元件的串联连接。
具有级联二极管电路升压逆变器拓扑

[实用新型]一种IGBT串联运行电压均分补偿电路-CN200520050491.7无效
发明人：刘文辉;刘文华 -专利权人：刘文辉;刘文华
申请日： 2005-03-16 - 公布日： 2006-05-31 - 主分类号： H02M1/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种IGBT串联运行电压均分补偿电路，它包括第一电压均分电阻、第二电压均分电阻、第一电压均分电容、第二电压均分电容、门极电阻、门极二极管、电压均分二极管，所述第一电压均分电阻与第一电压均分电容并联后一端接到IGBT的集电极，另一端接到门极二极管阳极及第二电压均分电阻和第二个电压均分电容的并联节点；门极二极管阴极与门极电阻串联后接到IGBT的门极；第二电压均分电阻与电压均分二极管的阳极串联后与第二个电压均分电容并联后，其并联节点接到IGBT的源极。本实用新型可以有效均分串联运行的IGBT在关断过程中、开通过程中及关断后加在各IGBT集电极和发射极之间的电压，大大提高了IGBT串联运行的可靠性。
一种 igbt 串联运行电压均分补偿电路

[实用新型]图像传感器像素、图像传感器像素电路及成像系统-CN201621431785.9有效
发明人： S·威利卡奥 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2016-12-26 - 公布日： 2017-08-25 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：图像像素可包括光电二极管、存储节点、浮动扩散和电容器。第一晶体管可耦接在所述光电二极管与所述存储节点之间。第二晶体管可耦接在所述存储节点与所述浮动扩散之间。第三晶体管可耦接在所述电容器与所述浮动扩散之间。在所述存储节点与所述电容器之间可形成势垒。所述势垒可表现出处于所述光电二极管的所述电位与所述电荷存储节点的所述电位之间的电位。所述势垒可将图像电荷溢出部分从所述存储节点转移到所述电容器。所述第三晶体管可将所述溢出电荷从所述电容器转移到所述浮动扩散。所述电容器可以为所述存储节点遮挡图像光，或者可以将所述图像光中的至少一些朝所述光电二极管反射。
图像传感器像素电路成像系统

[发明专利]垂直堆叠的图像传感器-CN201480011066.9有效
发明人：范晓峰 -专利权人：苹果公司
申请日： 2014-01-15 - 公布日： 2018-06-19 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有光电二极管芯片和晶体管阵列芯片的垂直堆叠图像传感器。光电二极管芯片包括至少一个光电二极管和从光电二极管芯片的顶表面垂直延伸的传输门。该图像传感器进一步包括堆叠于光电二极管芯片的顶部的晶体管阵列芯片。该晶体管阵列芯片包括控制电路和存储节点。该图像传感器进一步包括垂直堆叠于晶体管阵列芯片上的逻辑芯片。传输门从至少一个光电二极管向晶体管阵列芯片传送数据，并且逻辑芯片选择性地激活垂直传输门、复位门、源极跟随器门和行选择门。 1
晶体管阵列芯片光电二极管芯片图像传感器垂直堆叠传输门光电二极管逻辑芯片源极跟随器传送数据存储节点控制电路顶表面复位门行选择堆叠垂直激活

[发明专利]信号调整单元、信号调整模块及测试机-CN202111048233.5有效
发明人：魏津;胡雪原;鄢书丹 -专利权人：绅克半导体科技（苏州）有限公司
申请日： 2021-09-08 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本发明公开一种信号调整单元、信号调整模块及测试机，信号调整单元包括控制端，其包括模拟联动开关；信号调整电路包括场效应管和SRD二极管；节点连接输出端；当输出信号为上升沿脉冲信号或下降沿脉冲信号时，给模拟联动开关一控制指令，使得模拟联动开关由初始的待机状态切换至工作状态，以使场效应管导通，从而让SRD二极管处于由正偏压转换为负偏压并形成强大的反向电流状态，且在SRD二极管所有的少数载流子都被抽出后，SRD二极管的反向电流瞬间截止，以在节点上实现高压摆率的上升沿阶跃脉冲信号或下降沿阶跃脉冲信号。本发明利用SRD二极管和场效应管对测试通道输出信号的压摆率进行调整，使其具有较高的压摆率。
信号调整单元模块测试

[发明专利]像素阵列及图像传感器-CN201810236872.6在审
发明人：莫要武;徐辰;张正民;任冠京;高哲;谢晓;邵泽旭;马伟剑;石文杰 -专利权人：上海晔芯电子科技有限公司
申请日： 2018-03-21 - 公布日： 2018-08-28 - 主分类号： H04N5/335 文献下载
摘要：本发明公开了一种像素阵列及图像传感器，所述一种像素阵列包含排成行和列的多个像素单元，每个像素单元包括：多个光电二极管；多个传输晶体管，源极分别连接至各自的光电二极管，漏极共同连接至浮动扩散节点；复位晶体管，连接于固定电源和所述浮动扩散节点之间；读取电路，连接至所述浮动扩散节点。本发明像素单元中的多个光电二极管共用复位电路和读取电路，提高了填充因子，增大了灵敏度和信噪比；在采用上述像素阵列的图像传感器中，通过像素阵列内多个像素单元的组合或像素单元内光电二极管的读取控制，能适当提高图像传感器的动态范围
像素阵列像素单元光电二极管图像传感器浮动扩散节点读取电路灵敏度传输晶体管复位晶体管读取控制复位电路固定电源可移植性填充因子图像应用信噪比漏极源极帧率成行

[发明专利]升压电荷增压电路-CN200610115777.8无效
发明人：吴哲铭;吴盈锋 -专利权人：天时电子股份有限公司
申请日： 2006-08-16 - 公布日： 2008-02-20 - 主分类号： H02M3/07 文献下载
摘要：一种升压电荷增压电路，包含多个二极管等效网络、至少一个升压电容网络以及至少一个逆电流截止电路。所述的二极管等效网络以串联方式电连接，每两个二极管等效网络间具有一个节点，每一个节点对应一升压阶，其中最低升压阶的二极管等效网络的低压侧为此升压电荷增压电路的一个输入端，输入端接收一输入电压信号。每一个升压电容网络的一个端点分别与一节点电连接，每一升压电容网络的另一端点分别与一时钟信号电连接。每一逆电流截止电路分别与二极管等效网络电连接，其中所述的逆电流截止电路具有至少两导通路径，导通路径依据每一升压阶中时钟信号的切换交替开启。
升压电荷增压电路

[发明专利]有源像素传感器和有源像素传感器阵列-CN200610006730.8有效
发明人：金永灿;金利泰 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-02-07 - 公布日： 2006-08-16 - 主分类号： H04N5/335 文献下载
摘要：一种CMOS有源像素传感器，其包括：光电二极管、传输晶体管、复位晶体管、叉指型源极跟随器晶体管和选择晶体管，其中，所述光电二极管响应入射光产生电荷，所述传输晶体管将存储在所述光电二极管中的电荷传输至感测节点，所述复位晶体管耦合至电源电压，其对所述感测节点的电压进行复位，使所述感测节点基本上具有电源电压的电平，所述叉指型源极跟随器晶体管对所述感测节点的电压进行放大，所述选择晶体管响应于选择信号将所述叉指型源极跟随器晶体管的源电极电压传输至内部电路，因此，可以增大所述源极跟随器晶体管的沟道长度，并降低由源极跟随器晶体管引起的MOS器件噪声。
有源像素传感器阵列