专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]3电平I型逆变器及半导体模块-CN201910139296.8有效
  • 石野雅章;西田信也 - 三菱电机株式会社
  • 2019-02-22 - 2021-10-29 - H02M7/00
  • 具有:第1~第4开关器件,它们连接于第1、第2电位之间;第1~第4,它们分别与第1~第4开关器件反向并联连接;以及第5、第6,它们在第1、第2开关器件的连接节点和第3、第4开关器件的连接节点之间,以相对于第2、第3开关器件的串联连接反向并联的方式串联连接,第5、第6的连接节点与输入节点连接,该输入节点呈第1电位与第2电位的中间电位,第2、第3开关器件的连接节点与输出节点连接,第2开关器件及由第1反向导通IGBT构成,第3开关器件及由第2反向导通IGBT构成。
  • 电平逆变器半导体模块
  • [发明专利]一种背照式电荷域全局快门图像传感器及其制作方法-CN202011191650.0有效
  • 袁恺;陈世杰 - 联合微电子中心有限责任公司
  • 2020-10-30 - 2022-11-18 - H01L27/146
  • 本发明提供一种背照式电荷域全局快门图像传感器及其制作方法,该图像传感器包括衬底、光电、电荷存储节点、深沟槽隔离结构、介质层及电荷传输晶体,其中,光电及电荷存储节点均位于衬底中,且在水平方向上间隔预设距离,深沟槽隔离结构位于光电与电荷存储节点之间,并在垂直方向上贯穿衬底,电荷传输晶体位于介质层中,且电荷传输晶体在衬底上的垂直投影与光电及电荷存储节点均部分重叠。本发明采用金属遮光层和贯通衬底的背面深沟槽隔离结构将电荷存储节点完全遮蔽,与光电实现衬底内的完全隔离,并在衬底外制备传输晶体来实现光电到电荷存储节点的光电子传输,可以有效抑制寄生光效应的影响
  • 一种背照式电荷全局快门图像传感器及其制作方法
  • [发明专利]双极性脉冲发生器-CN201510811157.7在审
  • 赵涛;徐烟红;王灿;费伟;王保中 - 中国科学院合肥物质科学研究院
  • 2015-11-19 - 2017-05-31 - H03B5/12
  • 本发明公开了一种双极性脉冲发生器,包括有至少两个基本单元,各个基本单元相互并联;所述的基本单元包括有两个部分,第一部分包括有开关S、D1和电容器C,D1的第一和电容器C的第一连接,D1的第和电容器C的第分别通过节点连接开关S的不同;第部分包括电感绕组L1、电感绕组L2和D2,D2的第一连接绕组L1的第一D2的第通过节点连接绕组L2的第一,绕组L1的第通过节点连接绕组L2的第
  • 极性脉冲发生器
  • [实用新型]激光头保护电路-CN201020670324.3无效
  • 林军;张其锋;孙露 - 惠州市德赛汽车电子有限公司
  • 2010-12-20 - 2011-08-17 - G11B7/004
  • 本实用新型提供一种激光头保护电路,其特征在于,包括D2,D2的正极与供电端口LD3V3相连接,三Q1的基极B解码芯片端口(F)之间设置有电路节点(O),电路节点(O)与EC1之间设置有电路节点(Q),D2的负极连接到电路节点(Q)。所述D2的负极还可以通过串联一限流电阻R3再连接到电路节点(Q)。本实用新型用一个D2和一个电阻R3就解决了目前激光头所存在的缺陷,使激光头电流不会过大,极其简便,经济节约。
  • 激光头保护电路
  • [发明专利]图像传感器-CN202011036929.1在审
  • 藤田雅人;李允基;沈殷燮;李景镐;金范锡;金泰汉 - 三星电子株式会社
  • 2020-09-27 - 2021-06-08 - H04N5/369
  • 公开了一种图像传感器,其包括:第一光电组;第光电组;第一转移晶体组;第转移晶体组;其中存储有第一光电组中产生的电荷的衬底的浮置扩散区;以及用于向第光电组施加电源电压的电源节点将势垒电压施加到第转移晶体组的至少一个转移晶体。电源电压使第光电组中产生的电荷迁移到电源节点,势垒电压在第光电组与浮置扩散区之间形成势垒。
  • 图像传感器
  • [发明专利]图像传感器-CN202211261665.9在审
  • 崔珉准;秋明来;金石山;徐珉雄;宋智娟;郑絃溶 - 三星电子株式会社
  • 2022-10-14 - 2023-04-18 - H04N25/46
  • 多个像素中的每一个包括灵敏度基于外部电压来调整的有机光电、硅光电、第一浮动扩散节点、第浮动扩散节点、转换增益晶体和驱动晶体。由硅光电生成的电荷在第一浮动扩散节点中累积。由有机光电生成的电荷在第浮动扩散节点中累积。转换增益晶体的一端连接到第一浮动扩散节点,并且另一端连接到第浮动扩散节点。驱动晶体被配置为生成与第一浮动扩散节点的电压对应的像素信号。
  • 图像传感器
  • [实用新型]一种带加热电路的烹饪器具及一种加热电路-CN202020300257.X有效
  • 朱泽春;冯明宇;徐胜;金俊奇 - 九阳股份有限公司
  • 2020-03-12 - 2020-10-02 - H05B1/02
  • 本申请公开了一种带加热电路的烹饪器具及一种加热电路;加热电路包括:选择开关,其第一输入端用于连接电源的一,第一选择端连接第一节点,第选择端连接第节点,第一节点与第节点之间设有第一二极,第一节点与第三节点之间串联保温指示发光,第三节点用于连接电源的另一;第节点与第三节点之间设有第一并联电路,其第一路上串联加热指示发光,第路上串联烹饪电路,第一二极、保温指示发光相对于第一节点的导通方向相同,第一二极、加热指示发光相对于第节点的导通方向相反
  • 一种加热电路烹饪器具
  • [发明专利]氧化物场沟槽(OFT)控制器件-CN202111003833.X在审
  • F·戈蒂埃 - 意法半导体(图尔)公司
  • 2021-08-30 - 2022-03-01 - H03K17/74
  • 本公开的实施例涉及氧化物场沟槽(OFT)控制器件。一种器件,包括连接在第一节点与第一端子之间的可控电流源,第一端子耦合到可控的阴极。电容器连接在第一节点与第端子之间,第端子耦合到可控的阳极。第一开关连接在第一节点与第三端子之间,第三端子耦合到可控的栅极。第开关连接在第端子与第三端子之间。第一二极连接在第三端子与第端子之间,第一二极的阳极优选耦合到第三端子。
  • 氧化物沟槽oft二极管控制器件

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