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[发明专利]光记录介质及其制造方法-CN200680012443.6无效
发明人：角田毅;片山和俊;神泽志保;河野伸幸 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2006-04-12 - 公布日： 2008-04-09 - 主分类号： G11B7/24 文献下载
摘要：本发明提供一种光记录介质，其是一种在基板上依次具有记录层、中间层、粘接层及保护层的光记录介质，其中，在将高温高湿保存试验前的中间层的厚度设为t时，所述高温高湿保存试验后的所述中间层的厚度t_1<
记录介质及其制造方法

[发明专利]用于晶体管的隔离结构-CN202210845784.2在审
发明人：郭玳榕;吴振诚;柯忠廷;林颂恩;徐志安 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-07-19 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：根据本公开的半导体结构包括：基鳍，位于衬底之上；纳米结构的堆叠，直接设置在基鳍之上；栅极结构，围绕纳米结构的堆叠中的每一个；隔离特征，设置在衬底之上并与基鳍相邻；以及电介质鳍，直接设置在隔离特征上。电介质鳍包括底部、位于底部之上的中间层和位于中间层之上的顶层。底部包括外层和内层，内层通过外层与栅极结构和隔离特征间隔开。中间层与内层的顶表面和外层的顶表面直接接触。电介质鳍的顶层的介电常数大于中间层的介电常数。
用于晶体管隔离结构

[实用新型]管路法兰垫片-CN200820134776.2无效
发明人：叶老彪 -专利权人：叶老彪
申请日： 2008-09-10 - 公布日： 2009-06-17 - 主分类号： F16L23/18 文献下载
摘要：一种管路法兰垫片，它包括上层、中间层、下层，垫片为圆环状，中间层包括橡胶层、石棉层、填充层，橡胶层的底面涂有溶剂油涂层，填充层的上面与下面均涂有溶剂油涂层，石棉层的上面涂有溶剂油涂层，橡胶层的底面与填充层的上面进行压合，填充层的下面与石棉层的上面进行压合，使橡胶层、石棉层、填充层成一体形成中间层，上层为酞菁绿层，涂着在中间层的上面，下层为联苯胺黄层，涂着在中间层的下面。本实用新型可适用于多种介质管路中，并不会因腐蚀对内部介质和外界环境造成污染。
管路法兰垫片

[发明专利]一种基于石墨烯的宽带可调太赫兹吸波器-CN202110444168.1在审
发明人：陈娟;靳书珍 -专利权人：西安交通大学;西安交通大学深圳研究院
申请日： 2021-04-23 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： H01Q17/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于石墨烯的宽带可调太赫兹吸波器，包括由上到下依次设置的顶层、第一介质层、中间层、第二介质层及底层基板；顶层和中间层均为石墨烯层；其中，入射波在顶层与中间层达到谐振时的吸收峰交叉重叠；顶层的化学势大小通过顶层与底层基板之间的偏置电压Vg进行调控，中间层的化学势大小通过中间层与底层基板之间的偏置电压Vs进行调控；本发明通过通过设置顶层和中间层，且均为石墨烯层，实现了良好的阻抗匹配；使入射波在顶层和中间层达到谐振时的吸收峰交叉重叠，实现有效拓宽其工作带宽；分别采用偏置电压动态调控石墨烯层的化学势，实现了吸波器吸波幅度的动态调节效果；本发明结构简单，尺寸小，具有完美的吸收效果
一种基于石墨宽带可调赫兹吸波器

[发明专利]光学信息记录介质-CN201180069554.1有效
发明人：北原淑行 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2011-10-11 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： G11B7/2403 文献下载
摘要：本发明涉及光学信息记录介质（10），包括：多个记录层（14）；以及分别设置在该多个记录层（14）之间的中间层（15）。在所述光学信息记录介质（10）中，折射率彼此不同的第一中间层（15A）和第二中间层（15B）以彼此交替的方式布置，并在第一中间层（15A）和第二中间层（15B）之间设置有一层所述记录层（14）；满足((n3-n1)/(n3+n1))2≤0.001，其中n1为所述记录层（14）的折射率，n3为所述第二中间层（15B）的折射率；并且发射记录光束RB时，所述记录层（14）会吸收该记录光束并产生热量，使得该记录层（14）和与该记录层邻接的第一中间层（15A）之间的界面（反射界面18A）发生变形，由此记录信息（记录点M）。
光学信息记录介质

[发明专利]一种半导体器件的制作方法-CN202210844475.3有效
发明人：宋富冉;周儒领;黄厚恒;伯秀秀 -专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2022-07-19 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：所述制作方法至少包括以下步骤：提供一衬底，所述衬底内设置多个阱区；在所述阱区上形成栅极结构；在所述衬底和所述栅极结构上形成第一介质层；对所述第一介质层进行氮化处理，形成中间层；以所述中间层为杂质离子的注入缓冲层，在所述栅极结构两侧的所述阱区内形成轻掺杂区；在所述中间层上形成第二介质层；刻蚀所述第二介质层至所述中间层或刻蚀所述第二介质层至所述第一介质层，形成侧墙结构；以所述中间层或所述第一介质层为杂质离子的注入缓冲层
一种半导体器件制作方法

[发明专利]光学信息记录介质及其制造方法-CN201180034707.9有效
发明人：北原淑行 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2011-06-27 - 公布日： 2013-03-20 - 主分类号： G11B7/245 文献下载
摘要：一种光学信息记录介质10，其包括：多个记录层14，各个记录层14通过记录光的照射而发生折射率的变化；以及设置在记录层14之间的中间层15。中间层15包括第一中间层15A和第二中间层15B，所述第一中间层15A被设置为在记录光进入记录层的入射侧的相对侧与该记录层14邻接，所述第二中间层15B被设置为在记录光进入记录层的入射侧与该记录层14邻接第一中间层15A和记录层14具有不同的折射率，而第二中间层15B和记录层14具有基本相同的折射率。第一中间层15A和第二中间层15B在它们之间的界面处相互融合，由此折射率在该界面处逐渐变化。
光学信息记录介质及其制造方法

[发明专利]一种波束可调圆极化贴片阵列天线及波束调控方法-CN202210143008.8在审
发明人：胡传灯;张现利;吴旭 -专利权人：深圳市环波科技有限责任公司
申请日： 2022-02-16 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01Q1/38 文献下载
摘要：该波束可调圆极化贴片阵列天线包括上层介质基板，所述上层介质基板包括若干个阵列排布的圆极化天线单元；中间层介质基板，所述中间层介质基板设置在所述上层介质基板背离圆极化天线单元的一侧，所述中间层介质基板上形成有基片集成波导结构；下层介质基板，所述下层介质基板设置在所述中间层介质基板背离所述上层介质基板的一侧，所述下层介质基板上形成有偏置电路，所述偏置电路用于控制所述圆极化天线单元的辐射状态。
一种波束可调极化阵列天线调控方法

[实用新型]中间层卷料组配机中间层裁切供料机构-CN202220698104.4有效
发明人：黄昌良;李志强;刘志能 -专利权人：无锡市莱科自动化科技有限公司
申请日： 2022-03-28 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： B26F1/44 文献下载
摘要：本实用新型是中间层卷料组配机中间层裁切供料机构，其结构包括安装在机架上校正平台两侧的2套中间层供料机构和2套裁切机构，单侧中间层供料机构和裁切机构靠近设置，校正平台后侧的机架上依次设置卷料送料机构和自动收卷机构本实用新型的优点：结构设计合理，实现了双侧中间层稳定裁切和供料，有助于后续取料、贴合等动作，是中间层卷料组配机的重要组成结构，可有效提高生产效率，改善组装精度。
中间层卷料组配机供料机构

[实用新型]中间层卷料组配机中间层取料机构-CN202220698337.4有效
发明人：黄昌良;李志强;刘志能 -专利权人：无锡市莱科自动化科技有限公司
申请日： 2022-03-28 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H05K3/46 文献下载
摘要：本实用新型是中间层卷料组配机中间层取料机构，其结构包括设置在机架上校正平台两侧的一对中间层取料机构本体，两侧中间层取料机构本体之间的校正平台后侧的机架上依次设有卷料送料机构和自动收卷机构。本实用新型的优点：结构设计合理，实现了双侧中间层片材的稳定取料，有助于与校正平台上薄膜线路板的组配，可取多片中间层，是中间层卷料组配机的重要组成结构，可有效提高生产效率，改善组装精度。
中间层卷料组配机机构

[实用新型]中间层卷料组配机中间层上料机构-CN202220698134.5有效
发明人：黄昌良;李志强;刘志能 -专利权人：无锡市莱科自动化科技有限公司
申请日： 2022-03-28 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： B65H23/032 文献下载
摘要：本实用新型是中间层卷料组配机中间层上料机构，其结构包括安装在机架上的校正平台两侧的2个中间层上料机构本体，两侧中间层上料机构本体之间的校正平台后侧的机架上依次设有卷料送料机构和自动收卷机构。本实用新型的优点：结构设计合理，实现了双侧中间层稳定上料，可对中间层卷料进行纠偏和清理，有助于后续裁切、供料、取料等动作，是中间层卷料组配机的重要组成结构，可有效提高生产效率，改善组装精度。
中间层卷料组配机机构

[发明专利]双银玻璃-CN201811313804.1在审
发明人：吕宜超;刘莹;黄剑;谭小安 -专利权人：中国南玻集团股份有限公司;深圳南玻应用技术有限公司
申请日： 2018-11-06 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： C03C17/36 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种双银玻璃，包括玻璃基底和依次位于玻璃基底上的第一复合介质层、第一种子层、第一功能层、第一保护层、第二复合介质层、第二种子层、第二功能层、第二保护层、第三介质层，其中，第一复合介质层包括的第一下子介质层、第一中间层、第一上子介质层，第一下子介质层与玻璃基底相邻，第一上子介质层与第一种子层相邻，第一中间层位于第一下子介质层与第一上子介质层之间，第二复合介质层包括的第二下子介质层、第二中间层、第二上子介质层，第二下子介质层与第一保护层相邻，第二上子介质层与第二种子层相邻，第二中间层位于第二下子介质层与第二上子介质层之间，并且第一中间层和第二中间层包含金属层。
玻璃

[实用新型]双银玻璃-CN201821819437.8有效
发明人：吕宜超;刘莹;黄剑;谭小安 -专利权人：中国南玻集团股份有限公司;深圳南玻应用技术有限公司
申请日： 2018-11-06 - 公布日： 2019-08-13 - 主分类号： C03C17/36 文献下载
摘要：本实用新型实施例公开了一种双银玻璃，包括玻璃基底和依次位于玻璃基底上的第一复合介质层、第一种子层、第一功能层、第一保护层、第二复合介质层、第二种子层、第二功能层、第二保护层、第三介质层，其中，第一复合介质层包括的第一下子介质层、第一中间层、第一上子介质层，第一下子介质层与玻璃基底相邻，第一上子介质层与第一种子层相邻，第一中间层位于第一下子介质层与第一上子介质层之间，第二复合介质层包括的第二下子介质层、第二中间层、第二上子介质层，第二下子介质层与第一保护层相邻，第二上子介质层与第二种子层相邻，第二中间层位于第二下子介质层与第二上子介质层之间，并且第一中间层和第二中间层包含金属层。
介质层中间层复合介质层种子层双银玻璃玻璃基第一保护层功能层本实用新型第二保护层光学性能金属层钢化

[发明专利]具有双金属栅极的半导体器件以及制造方法-CN201010004777.7有效
发明人：权彦五;S·A·克里施南;安藤孝;M·P·胡齐克;M·M·弗兰克;W·K·汉森;R·杰哈;梁越;V·纳拉亚南;R·拉马钱德兰;K·K·H·黄 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2010-01-20 - 公布日： 2010-08-25 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：半导体衬底；形成在所述衬底上的PFET，所述PFET包括设置在所述衬底上的SiGe层、设置在所述SiGe层上的高k电介质层、设置在所述高k电介质层上的第一金属层、设置在所述第一金属层上的第一中间层、设置在所述第一中间层上的第二金属层、设置在所述第二金属层上的第二中间层、以及设置在所述第二中间层上的第三金属层；形成在所述衬底上的NFET，所述NFET包括设置在所述衬底上的所述高k电介质层、设置在所述高k电介质层上的所述第二中间层、以及设置在所述第二中间层上的所述第三金属层。
具有双金属栅极半导体器件以及制造方法

[发明专利]基础数据平台的切源方法、相关装置及计算机存储介质-CN202110850015.7在审
发明人：李世杰;雷立动;邝智颖 -专利权人：中国银行股份有限公司
申请日： 2021-07-27 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： G06F16/22 文献下载
摘要：本申请提供一种基础数据平台的切源方法、相关装置及计算机存储介质，该方法包括：首先，获取基础数据平台的基础层数据；然后，将所述基础数据平台的基础层数据按照预先设定的存储方式，加工至目标系统的中间层数据模型中，得到切源后的中间层数据；再判断所述切源后的中间层数据与未切源前的中间层数据是否存在差异；若判断出所述切源后的中间层数据与未切源前的中间层数据存在差异，则确定出现所述差异的原因；并根据所述原因对应的解决方式，对所述切源后的中间层数据进行修正，得到修正后的中间层数据；最终将修正后的中间层数据，加工至应用层数据模型中，得到第一切源报表。
基础数据平台方法相关装置计算机存储介质