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[发明专利]新型MRAM中铜互联上底电极的制备方法-CN201910552556.4在审
发明人：刘鲁萍;蒋信;王雷 -专利权人：中电海康集团有限公司;浙江驰拓科技有限公司
申请日： 2019-06-25 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：本发明提供一种新型MRAM中铜互联上底电极的制备方法，包括：提供一基底，所述基底包括依次堆叠设置的金属互联层、第一阻挡层以及介电层，在所述第一阻挡层及介电层中形成有底部通孔，所述底部通孔与所述金属互联层相连；在所述基底表面依次沉积第二阻挡层和铜层，所述铜层充满所述底部通孔；以所述第二阻挡层作为抛光终点，对所述铜层进行化学机械抛光，并在检测到所述第二阻挡层后进行过抛光，以完全去除所述第二阻挡层之上的铜层；在抛光后的界面上沉积底电极金属层；图案化所述底电极金属层，得到MRAM底电极。本发明能够简化并彻底颠覆现有大马士革铜的化学机械抛光工艺，提高生产效率并降低工艺稳定性风险。
新型 mram 中铜互联上底电极制备方法

[发明专利]大马士革结构及制备方法-CN202310123532.3在审
发明人：尹佳山;周祖源;薛兴涛 -专利权人：盛合晶微半导体（江阴）有限公司
申请日： 2023-02-15 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种大马士革结构及制备方法，通过两次反溅射工艺可仅在通孔侧壁形成阻挡层与粘附层，使得通孔中的金属铜可直接与下层金属件进行金属互联，从而可减小互联点处的电阻率减小电阻、降低热损耗；位于侧壁底区的复合结构可提高金属铜的扩散难度，且侧壁顶区与侧壁底区之间可形成台阶以提高金属铜在通孔侧壁的覆盖率，从而可提高产品可靠性。
大马士革结构制备方法

[发明专利]一种新型合金互联条-CN202010367723.0在审
发明人：姚思源;李双庭 -专利权人：姚思源
申请日： 2020-04-30 - 公布日： 2020-08-14 - 主分类号： H01L31/05 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型合金互联条，包括基带，所述基带为铜包铝材质，所述基带中铜的质量分数为23%‑55%，所述基带中铜层厚度≥10μm，所述基带正面和反面均设有锡镀层。本发明的新型合金互联条通过采用铜包铝材质取代纯铜材质，将基带中铜含量控制在23%‑55%，从而使得互联条的生产成本大幅度降低，并保障新型合金互联条的电性能符合要求，解决了合金在取代铜后所生产的互联条在客户端出现的生产操作不便
一种新型合金互联条

[实用新型]无邦定线的IGBT功率模块-CN201020236753.X无效
发明人：李伟;何文牧;沈征 -专利权人：浙江华芯科技有限公司
申请日： 2010-06-24 - 公布日： 2011-03-23 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本实用新型提供一种完全避免使用邦定线互联的IGBT功率模块，从而达到减小线路互联寄生阻抗，机械热疲劳失效及热阻的效益，它包括铜合金底板、焊接于铜合金底板上的陶瓷覆铜基板、设置于陶瓷覆铜基板上的IGBT芯片和二极管芯片以及设置于铜合金底板上的外壳，IGBT和二极管之间通过刻蚀于陶瓷覆铜基板上的铜引线电连接，IGBT和二极管底面上的电极倒扣焊接于铜引线上；IGBT和二极管顶面上的电极通过金属互联片与陶瓷覆铜基板上的铜引线电连接。本实用新型有益效果在于：通过金属互联片连接各IGBT和二极管的顶面电极和陶瓷覆铜基板，减小IGBT模块互联寄生阻抗，并且能从金属互联片的上表面传走一部分热量从而降低了模块热阻，提高了模块的可靠性。
无邦定线 igbt 功率模块

[发明专利]一种高密度互联电路板层间互联结构及加工工艺-CN202111284469.9在审
发明人：李俊;钱国祥;姚晓建 -专利权人：安捷利美维电子（厦门）有限责任公司;广州美维电子有限公司
申请日： 2021-11-01 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： H05K1/11 文献下载
摘要：本发明公开了一种高密度互联电路板层间互联结构，包括芯板层，芯板层上开设有贯穿其上下表面的通孔；通孔采用铜填满，且芯板层的上下表面均覆盖有铜层；铜层与通孔内的铜接触以使得两者电导通，且铜层的表面平整。本发明的一种高密度互联电路板层间互联结构，能在对应通孔的位置加工出盲孔，以提高布线密度。本发明还公开了一种高密度互联电路板层间互联结构的加工工艺。
一种高密度电路板层间互联结加工工艺

[实用新型]一种多触点互联条-CN201720272657.2有效
发明人：朱新民 -专利权人：苏州铂尼德光伏科技有限公司
申请日： 2017-03-20 - 公布日： 2017-12-08 - 主分类号： H01L31/05 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种多触点互联条，包括铜基片、镀锡层、连接触点、压合孔、上导流点、下导流点；所述互联条为长条形铜基片外部电镀有镀锡层，所述铜基片上设有多个连接触点，所述连接触点采用超导材料压合而成；所述连接触点处的铜基片上设有压合孔，所述压合孔内以及压合孔的铜基片上下部位设有上、下导流点，所述上、下导流点对称配置为连接触点；本新型采用在互联条的铜片上设置多个触点，在触点上设置透孔，并压合超导材料，带有镀锡层的多触点互联条，提高了电流的收集效率，增加互联条焊接的牢固度。
一种触点互联条

[实用新型]一种陶瓷互联高密度线路板-CN201120253427.4有效
发明人：刘建春;阳正辉;程冬九 -专利权人：深圳市星之光实业有限公司
申请日： 2011-07-18 - 公布日： 2012-01-25 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种陶瓷互联高密度线路板，包括陶瓷基板，陶瓷基板上均覆着有铜层，所述铜层分为上铜层和下铜层分别覆着于陶瓷基板的上下面，上下铜层和陶瓷基板设有用于导通电路的通孔，通孔内设有导电材料。本方案具有高导热、导电能力强、高附着力、互联过孔电阻低等优异性能，应用到LED芯片封装中可以明显提高工作寿命和可靠性。
一种陶瓷高密度线路板

[发明专利]铜互联工艺中电镀铜填充方法及铜互联结构-CN202011251727.9在审
发明人：鲍宇 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2020-11-11 - 公布日： 2021-02-19 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及铜互联工艺中电镀铜填充方法，涉及半导体集成电路制造技术，包括在第一介质层中形成凹槽；在所述凹槽的底部表面和侧面形成阻挡层，并在阻挡层上形成籽晶层；进行铜电镀工艺，其中在铜电镀工艺过程中，在电镀液中间歇加入杂质金属离子，以使对于一片晶圆，在铜电镀工艺开始时，在电镀液中加入有杂质金属离子，以在籽晶层表面形成一层合金层，在合金层的形成过程中杂质金属离子完全消耗，而后进入纯铜电镀工艺阶段，通过纯铜电镀工艺将所述凹槽填充而构成铜互联结构的主体铜结构，可大大减小铜导线电阻值，并可提升EM，且可使工艺简化。
铜互联工艺镀铜填充方法联结

[发明专利]一种半导体器件的制备方法-CN201310145232.1有效
发明人：周鸣 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-04-24 - 公布日： 2017-09-01 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件的制备方法，所述方法包括提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成金属互联结构；对所述金属互联结构中金属材料和层间介质层的表面进行处理，所述处理方法包括以下子步骤（a）选用NH3等离子体进行处理本发明中为在制备金属互联结构时，填充金属铜并平坦化，然后对所述金属铜以及超低K材料的表面进行处理，通过所述处理能消除所述超低K材料层的空隙，形成比超低K材料层硬度大的表面，而对于金属铜表面的处理，则使所述金属铜表面更加光滑，降低其粗糙度，以消除金属铜和位于金属铜上的覆盖层之间的接缝（cap layer seam），提高器件的VBD性能。
一种半导体器件制备方法

[发明专利]一种HDI刚挠结合板层间盲孔全铜填充的制备方法-CN201510713485.3在审
发明人：周江涛 -专利权人：安捷利电子科技（苏州）有限公司
申请日： 2015-10-28 - 公布日： 2016-02-03 - 主分类号： H05K3/42 文献下载
摘要：本发明提供一种HDI刚挠结合板层间盲孔全铜填充的制备方法，包括步骤：1）准备双面覆铜板，对所述双面覆铜板进行单面减铜；2）采用激光钻孔在所述双面覆铜板的减铜的一面制备出倒梯形的盲孔；3）清洁所述盲孔的孔壁及孔底，除去钻孔时留在孔壁及孔底的残渣；4）在所述盲孔的孔壁及孔底的表面沉积上金属铜层；5）在沉积了所述金属铜层的盲孔内填满铜，从而使所述HDI刚挠结合板实现层间互联。相较于现有技术，本发明实现了对HDI刚挠结合板层间盲孔的全铜填充，确保了盲孔的层间导通性，提高了HDI刚挠结合板的布线密度，减少了设备投资成本，提高了生产效率和生产效益。
一种 hdi 结合板层间盲孔全铜填充制备方法

[发明专利]金属铜大马士革互联结构的制造方法-CN201110274227.1有效
发明人：郑春生;张文广;徐强;陈玉文 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2011-09-15 - 公布日： 2012-02-29 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提出一种金属铜大马士革互联结构的制造方法，包括如下步骤：在金属介电层中预先制作第一通孔和第一沟槽，并在金属介电层上由下至上依次沉积蚀刻阻挡层、牺牲层、硬掩膜层、第一抗反射涂层、对应于所述第一通孔的图形化的第一光刻胶；在后段互联金属工艺整合中形成双大马士革结构；在双大马士革结构中采用非氧化性酸去除蚀刻阻挡层之上的牺牲层；采用旋涂工艺将蚀刻阻挡层上方除金属铜之外的区域重新填满低介电常数材料，形成金属铜大马士革互联结构本发明提供了一种金属铜大马士革互联结构的制造方法，以杜绝干法蚀刻和/或灰化工艺等在传统工艺中导致的低介电常数的损伤。
金属大马士革联结制造方法

[发明专利]金属铜大马士革互联结构的制造方法-CN201110274610.7无效
发明人：郑春生;张文广;徐强;陈玉文 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2011-09-15 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提出一种金属铜大马士革互联结构的制造方法，包括如下步骤：在金属介电层中预先制作第一通孔和第一沟槽，并在金属介电层上由下至上依次沉积蚀刻阻挡层、牺牲层、硬掩膜层、金属硬掩膜层、第一抗反射涂层、对应于第一沟槽的图形化的第一光刻胶；在后段互联金属工艺整合中形成双大马士革结构；在双大马士革结构中采用非氧化性酸去除蚀刻阻挡层之上的牺牲层；采用旋涂工艺将蚀刻阻挡层上方除金属铜之外的区域重新填满低介电常数材料，形成金属铜大马士革互联结构本发明提供了一种金属铜大马士革互联结构的制造方法，以杜绝干法蚀刻和/或灰化工艺等在传统工艺中导致的低介电常数的损伤。
金属大马士革联结制造方法

[发明专利]铜互联线大马士革技术中减少铜凹陷的方法-CN201110170846.6有效
发明人：黄仁东 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2011-06-23 - 公布日： 2011-11-16 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及一种铜互联线大马士革技术中减少铜凹陷的方法，包括以下步骤：提供一基底，所述基底中形成有线槽，在所述基底表面依次覆盖有阻挡层和铜层；在所述铜层上方形成一保护层；利用光刻和刻蚀工艺去除位于所述线槽外铜层上方的保护层，保留位于线槽中铜层上方的保护层；进行第一次化学机械平坦化，去除位于所述线槽外的铜层；进行第二次化学机械平坦化，去除位于所述线槽外的阻挡层和剩余的保护层。本发明所述工艺方法通过在线槽内的铜层上设置一层保护层，使得在化学机械平坦化过程中，线槽内的铜层能够得到保护，该保护层在第二次化学机械平坦化时被去除，从而获得无铜凹陷的铜互联线大马士革结构。
铜互联线大马士革技术减少凹陷方法

[发明专利]一种厚铜高密度互联印制板的制作方法-CN202011140993.4在审
发明人：寻瑞平;胡永国;张雪松;冯兹华 -专利权人：江门崇达电路技术有限公司
申请日： 2020-10-22 - 公布日： 2021-01-22 - 主分类号： H05K3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种厚铜高密度互联印制板的制作方法，包括以下步骤：在生产板上制作盲孔开窗图形，通过蚀刻去除开窗处的铜层，再利用激光在开窗处钻出盲孔；退膜后在生产板上钻出塞孔，而后使盲孔和塞孔金属化；在生产板上制作镀孔图形，通过电镀加厚塞孔和盲孔的孔壁铜层；退膜后在塞孔和盲孔中填塞树脂油墨并固化，通过磨板使板面平整；在生产板上制作掩孔图形，通过微蚀减薄表面铜层的厚度；退膜后通过磨板使板面平整；在生产板上钻出通孔通槽，而后使通孔和通槽金属化；生产板板依次经过后工序后，制得厚铜高密度互联印制板。本发明方法实现了大孔径盲孔和厚铜高密度互联印制板的制作，还避免了树脂进入不需塞孔的通孔和槽内。
一种高密度印制板制作方法

[发明专利]制造铜镶嵌结构的方法-CN02108571.4有效
发明人：章勋明;余振华;梁孟松 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2002-04-02 - 公布日： 2003-10-15 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种在半导体底材上制作铜镶嵌(damascene)结构的方法。首先，形成介电层于半导体底材上。并蚀刻介电层，以形成开口图案于介电层中，而曝露出部份半导体底材。接着，进行氮化程序以便在开口图案的表面形成氮化表层，以防止后续铜原子的扩散效应。然后，进行化学电镀反应以形成铜层于半导体底材上，且填充于开口图案中。再对半导体底材进行化学机械研磨程序，以移除位于介电层上表面的部份铜层，且定义铜镶嵌结构于开口图案中。随后，形成铜金属矽化层于铜镶嵌结构上表面，而防止铜原子发生扩散效应。
制造镶嵌结构方法

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