[发明专利]用化学汽相沉积制作薄膜的方法和装置无效
| 申请号： | 98807069.3 | 申请日： | 1998-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN1263569A | 公开（公告）日： | 2000-08-16 |
| 发明（设计）人： | 卡洛斯·A·帕兹德阿罗;拉里·D·麦克米伦;纳拉严·索拉亚攀;杰弗里·W·培根 | 申请（专利权）人： | 塞姆特里克斯公司 |
| 主分类号： | C23C16/44 | 分类号： | C23C16/44;C23C16/40;H01L21/314 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 韩宏 |
| 地址： | 美国科*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一文丘里雾发生器(141、142、143、16)从一含有有机金属化合物的液态前体生成雾,其中的雾滴的直径小于1μm。雾混合后送入一气化器(160),在该气化器中雾滴在低于该前体化合物发生分解的温度的100℃—250℃下气化。气化前体化合物在绝热管道(161、168)中在室温下由载气传送,以防止凝结和过早分解。由气化前体与氧化剂气体混合成的气态反应混合物从一喷头(184)喷入一沉积反应器中,该沉积反应器中有一加热到300℃—600℃的基片(185)。该气化前体在基片(185)上分解而在基片上生成一固体材料薄膜(860)。该薄膜(860)经500℃—900℃的高温处理,生成多晶金属氧化物材料、特别是铁电分层超点阵材料。 | ||
| 搜索关键词： | 化学 沉积 制作 薄膜 方法 装置 | ||
【主权项】：
1、一种制作一集成电路(870)的方法，该集成电路包括一薄膜(860)，该方法包括下列步骤：在一沉积反应器(180)中提供一基片(185)；提供一气化前体；以及令所述气化前体与一氧化剂气体在所述沉积反应器(180)中反应以在所述基片(185)上生成所述薄膜(860)，所述方法的特征在于：提供一含有金属化合物的液态前体；使用一文丘里雾发生器(141、142、143、16)生成所述液态前体的雾；以及气化所述雾而生成所述气化前体而不造成所述金属化合物的严重过早分解。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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