[发明专利]用化学汽相沉积制作薄膜的方法和装置

权利要求书

1、一种制作一集成电路(870)的方法，该集成电路包括一薄膜(860)，

该方法包括下列步骤：

在一沉积反应器(180)中提供一基片(185)；

提供一气化前体；以及

令所述气化前体与一氧化剂气体在所述沉积反应器(180)中反应以在所述基片(185)上生成所述薄膜(860)，所述方法的特征在于：

提供一含有金属化合物的液态前体；

使用一文丘里雾发生器(141、142、143、16)生成所述液态前体的雾；以及

气化所述雾而生成所述气化前体而不造成所述金属化合物的严重过早分解。

2、按权利要求1所述的方法，其特征在于，所述液态前体的所述雾中的雾滴的平均直径小于1μm。

3、按权利要求1所述的方法，其特征在于，所述液态前体的所述雾中的雾滴的平均直径不超过0.5μm。

4、按权利要求1所述的方法，其特征在于，在大气压下使用所述文丘里雾发生器(141、142、143、16)和气化所述雾，而所述气化前体在所述沉积反应器(180)中在1-200Torr的低绝对气压下反应。

5、按权利要求1所述的方法，其特征在于，混合所述雾。

6、按权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述气化前体反应前混合所述氧化剂气体与所述气化前体。

7、按权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述气化前体反应前使所述气化前体从一喷头(184)流向所述基片(185)。

8、按权利要求1所述的方法，其特征在于，所述液态前体包括一溶解在一有机溶剂中的金属化合物。

9、按权利要求8所述的方法，其特征在于，所述液态前体的浓度不小于0.3克分子浓度。

10、按权利要求8所述的方法，其特征在于，所述液态前体的浓度不小于0.5克分子浓度。

11、按权利要求1、2、3、4、5、6、7、8、9或10所述的方法，其特征在于，所述薄膜(860)所含金属部分的有效数量可生成一铁电分层超点阵材料。

12、按权利要求11所述的方法，其特征在于，所述薄膜(860)包括下列金属之一：Sr、Ca、Ba、Cd、Pb、Ta、Hf、W、Nb、Zr、Bi、Sc、Y、La、Sb、Cr、Mo、V、Ru和Tl。

13、按权利要求11所述的方法，其特征在于，所述液态前体中包括含有超点阵生成元素的有机化合物，所述元素为下列元素之一：Bi、Y、Sc、La、Sb、Cr和Tl。

14、按权利要求11所述的方法，其特征在于，所述液态前体包括一含Bi有机化合物，该化合物为下列之一：三甲基铋(Bi(CH₃)₃)、三乙基铋(Bi(C₂H₇)₃)、三苯基铋、铋-三丁醇盐、铋-三戊醇盐和铋-三戊醇盐。

15、按权利要求11所述的方法，其特征在于，所述液态前体包括一多金属聚烷氧化物化合物，该多金属聚烷氧化物化合物含有下列金属中的至少两种金属：Sr、Ca、Ba、Cd、Pb、Ta、Hf、W、Nb、Zr、Bi、Sc、Y、La、Sb、Cr、Mo、V、Ru和Tl。

16、按权利要求15所述的方法，其特征在于，所述液态前体含有多金属聚烷氧化物分子，该分子式中的化学元素的比例由下式表示：

(Sr_dBa_e)[(Nd_pTa_q)(OR)₆]₂

其中，d+e＝1，p+q＝1，R为C₂H₅或CH(CH₃)₂。

17、按权利要求11所述的方法，其特征在于，所述气化前体含有一定数量的含Bi有机化合物和一定数量的金属聚烷氧化物化合物。