[发明专利]制造电容器的叉型下电极的方法有效
| 申请号： | 98124128.X | 申请日： | 1998-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN1250946A | 公开（公告）日： | 2000-04-19 |
| 发明（设计）人： | 林大成 | 申请（专利权）人： | 世大积体电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/31;H01L21/311;H01L21/3213;H01L21/82 |
| 代理公司： | 柳沈知识产权律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种制造电容器的叉型下电极的方法,该电容器位于一基底,该方法包括在基底上依次形成第一介电层、氮化物层、第二介电层;对上述各层构图与蚀刻,直到基底露出,形成接触窗开口;在开口中形成导电插塞;对导电插塞旁的第二介电层进行构图与蚀刻以形成两个区域,其中该区域由氮化物层、导电插塞与第二介电层围绕;形成共形的导电层;移除导电层在第二介电层上与导电插塞的部分;以及移除第二介电层剩余的部分。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 电容器 叉型下 电极 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造电容器的叉型下电极的方法，该电容器位于一基底，该方法包括：在该基底之上形成一第一介电层；在该第一介电层上形成一氮化物层；在该氮化物层上形成一第二介电层；对该第一介电层，该氮化物层，该第二介电层进行构图与蚀刻的步骤，直到该基底露出，从而形成一个接触窗开口；在该接触窗开口中形成一导电插塞；对该导电插塞旁的第二介电层进行构图与蚀刻的步骤，以形成两个区域，其中该区域是由该氮化物层、该导电插塞、与该第二介电层所围绕；在该第二介电层、该氮化物层、该导电插塞上形成与该区域的形状共形的一导电层；移除该导电层在该第二介电层上与该导电插塞的部分；以及移除该第二介电层剩余的部分。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于世大积体电路股份有限公司，未经世大积体电路股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/98124128.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：包括带丝网印刷电阻道和/或导电道的陶瓷板的电子元件
- 下一篇：辊洗组合物
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
