[发明专利]制造电容器的叉型下电极的方法

权利要求书

1.一种制造电容器的叉型下电极的方法，该电容器位于一基底，该方法包括：

在该基底之上形成一第一介电层；

在该第一介电层上形成一氮化物层；

在该氮化物层上形成一第二介电层；

对该第一介电层，该氮化物层，该第二介电层进行构图与蚀刻的步骤，直到该基底露出，从而形成一个接触窗开口；

在该接触窗开口中形成一导电插塞；

对该导电插塞旁的第二介电层进行构图与蚀刻的步骤，以形成两个区域，其中该区域是由该氮化物层、该导电插塞、与该第二介电层所围绕；

在该第二介电层、该氮化物层、该导电插塞上形成与该区域的形状共形的一导电层；

移除该导电层在该第二介电层上与该导电插塞的部分；以及

移除该第二介电层剩余的部分。

2.如权利要求1所述的制造电容器的叉型下电极的方法，其中，该第一介电层与该第二介电层为氧化硅，硼磷硅玻璃，旋涂式玻璃，或其它包括上述物体的混合物。

3.如权利要求1所述的制造电容器的叉型下电极的方法，其中，该导电插塞与该导电层由即时掺杂多晶硅形成。

4.如权利要求1所述的制造电容器的叉型下电极的方法，其中该氮化物层为氮化硅。

5.如权利要求1所述的制造电容器的叉型下电极的方法，还包括下列步骤：

在该叉型下电极上沉积一第三介电层；以及

在该第三介电层上形成一上电极。