[发明专利]半导体存储器冗余电路有效
| 申请号： | 98115951.6 | 申请日： | 1998-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN1205520A | 公开（公告）日： | 1999-01-20 |
| 发明（设计）人： | H·戈贝 | 申请（专利权）人： | 西门子公司 |
| 主分类号： | G11C8/00 | 分类号： | G11C8/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 马铁良,王忠忠 |
| 地址： | 联邦德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有分段组织的字线(WL)的半导体存储器的冗余电路,在这种电路中,当在一个分段(分段8、9、10)中出现一种故障字线(defectWL)时,借助从属于有关分段的熔丝组(10、11)通过分段间冗余,可以通过一个分段选择信号(RPDZ’)起动在相同的分段中或者在另一分段中的冗余字线(Red.WL)。分段选择信号(RPDZ’)通过分析熔丝组的输出信号直接产生。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 冗余 电路 | ||
【主权项】：
1．具有分段线组织的字线(WL)的半导体存储器的冗余电路，在这种电路中，当在一个分段(分段8、9、10)中出现一种故障字线(defectWL)时，借助从属于有关分段的熔丝组(10、11)通过分段间冗余，可以通过一个分段选择信号(RPDZ’)起动，在相同的分段中或者在另一分段(分段8、9、10；分段8r、9r、10r)中的冗余字线(Red．WL)，其特征在于，分段选择信号(RPDZ’)是可以通过分析熔丝组(10、11)的输出信号(FRX)产生的。
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