[发明专利]带电容的半导体器件的制造方法无效
| 申请号： | 98115026.8 | 申请日： | 1998-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN1089947C | 公开（公告）日： | 2002-08-28 |
| 发明（设计）人： | 川原润;斋藤忍;林喜宏;前岛幸彦 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/3065;H01L21/31 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 叶恺东,王忠忠 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种带电容的半导体器件的制造方法，该方法可防止形成绝缘膜覆盖电容的CVD或干法腐蚀工艺期间漏电流增加和耐介质击穿性降低。在该方法中，在第一绝缘膜上形成电容的下电极。第一绝缘膜一般形成在半导体衬底上或其上方。在下电极上与之重叠地形成电容的介质或铁电膜。在介质或铁电膜上与之重叠地形成电容的上电极。在不含等离子体的气氛中，在可防止氢因加热而活化的衬底温度下，通过热CVD工艺形成第二绝缘膜覆盖电容。第二绝缘膜的原材料具有在热CVD工艺期间分解原材料过程中不产生氢的性质。 | ||
| 搜索关键词： | 电容 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制造方法，包括以下步骤：(a)在第一绝缘膜上形成电容的下电极；所述第一绝缘膜形成在半导体衬底上或其上方；(b)在所述下电极上与之重叠地形成所述电容的介质膜；(c)在所述介质上与之重叠地形成所述电容的上电极；以及其特征在于还包括步骤：(d)在不含等离子体的气氛中，在防止氢由于加热而活化的所述衬底温度下，通过热CVD工艺形成第二绝缘膜覆盖所述电容；所述第二绝缘膜的原材料具有在所述热CVD工艺期间所述原材料分解过程中在气氛中不产生氢的性质。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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