[发明专利]带电容的半导体器件的制造方法无效
| 申请号： | 98115026.8 | 申请日： | 1998-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN1089947C | 公开（公告）日： | 2002-08-28 |
| 发明（设计）人： | 川原润;斋藤忍;林喜宏;前岛幸彦 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/3065;H01L21/31 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 叶恺东,王忠忠 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电容 半导体器件 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件的制造方法，包括以下步骤：
(a)在第一绝缘膜上形成电容的下电极；
所述第一绝缘膜形成在半导体衬底上或其上方；
(b)在所述下电极上与之重叠地形成所述电容的介质膜；
(c)在所述介质上与之重叠地形成所述电容的上电极；
以及其特征在于还包括步骤：
(d)在不含等离子体的气氛中，在防止氢由于加热而活化的所述衬底温度下，通过热CVD工艺形成第二绝缘膜覆盖所述电容；
所述第二绝缘膜的原材料具有在所述热CVD工艺期间所述原材料分解过程中在气氛中不产生氢的性质。
2.根据权利要求1的方法，其中所述第二绝缘膜为SiO2，并且所述衬底的所述温度在300到500℃的范围内。
3.根据权利要求2的方法，其中所述第二绝缘膜的所述原材料包括选自[Si(OC2H5)4]、[(CH3)3SiOSi(CH3)3]、[Si(OC3H7)2(OCOCH3)2]和Si(NCO)4组成的组中的一个。
4.根据权利要求2的方法，其中所述第二绝缘膜的所述原材料包括[Si(OC2H5)4]，并且添加O3作为[Si(OC2H5)4]的氧化剂。
5.根据权利要求1的方法，其中所述第二绝缘膜为SiNx，并且所述衬底的所述温度在500到700℃的范围内。
6.根据权利要求5的方法，其中所述第二绝缘膜的所述原材料包括选自[Si(NMe2)4-nHn]、[(CH3)3SiOSi(CH3)3]、[Si(OC3H7)2(OCOCH3)2]和Si(NCO)4组成的组中的一个，其中n为零或自然数。
7.根据权利要求5的方法，其中所述第二绝缘膜的原材料包括[Si(NMe2)4-nHn]，其中n为零或自然数。
8.一种半导体器件的制造方法，包括以下步骤：
(a)在第一绝缘膜上形成电容的下电极；所述第一绝缘膜形成在半导体衬底上或其上方；
(b)在所述下电极上与之重叠地形成所述电容的介质膜；
(c)在所述介质膜上与之重叠地形成所述电容的上电极；
(d)形成第二绝缘膜覆盖所述电容；
其特征在于还包括步骤：
(e)使用不含氢的腐蚀气体通过干法腐蚀工艺选择性地除去所述第二绝缘膜，形成接触所述电容的所述下和上电极之一的接触孔；
所述腐蚀气体具有所述干法腐蚀工艺期间分解所述腐蚀气体过程中不产生氢的性质。
9.根据权利要求8的方法，其中所述第二绝缘膜为SiO2，所述腐蚀气体包括碳和氟的组合物。
10.根据权利要求9的方法，其中所述腐蚀气体为选自CF4和C2F6组成的组中的一个。
11.根据权利要求8的方法，其中第二绝缘膜为SiNx，并且所述腐蚀气体包括碳和氟的组合物。
12.根据权利要求11的方法，其中所述腐蚀气体为选自CF4、SiF4以及NF3和Cl2的混合物组成的组中的一个。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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