专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]功率半导体器件及其制作方法-CN202310762804.4在审
  • 刘佳鹏;吴锦鹏;任春频;黄琦欢;曾嵘;赵彪;屈鲁;陈政宇 - 清华大学
  • 2023-06-27 - 2023-07-28 - H01L29/747
  • 本申请提供了一种功率半导体器件及其制作方法,所述功率半导体器件包括阳极区、阴极区、第一材料层以及形成于所述第一材料层上下两侧的第二材料层和第三材料层,所述第二材料层与所述阴极区贴合,所述第三材料层与所述阳极区贴合;所述第一材料层、所述第二材料层和所述第三材料层在水平方面上依次分为有源区、过渡区和电场畸变区;所述电场畸变区形成有第一低寿命区,所述第二材料层形成有第二低寿命区,所述第三材料层形成有第三低寿命区。本申请通过设置三个低寿命区优化边缘终端区的电场分布。
  • 功率半导体器件及其制作方法
  • [发明专利]压接型半导体器件-CN202310645836.6在审
  • 刘佳鹏;吴锦鹏;杨晨;黄琦欢;曾嵘;余占清;陈政宇;赵彪 - 清华大学
  • 2023-06-02 - 2023-06-30 - H01L23/04
  • 本申请提供一种压接型半导体器件,可用于电力半导体器件技术领域。所述压接型半导体器件包括:芯片、设置在所述芯片的阳极侧的阳极金属管壳以及设置在所述芯片的阴极侧的阴极金属管壳;所述芯片的阳极侧和所述阳极金属管壳之间还设置有阳极金属垫片,所述阳极金属垫片和所述阳极金属管壳之间通过第一低热阻结合层连接;和/或所述芯片的阴极侧和所述阴极金属管壳之间还设置有阴极金属垫片,所述阴极金属垫片和所述阴极金属管壳之间通过第二低热阻结合层连接。本申请实施例提供的压接型半导体器件,能够将金属垫片与金属管壳之间的压力接触面替换为低热阻结合层,大幅降低了封装结构的接触热阻,从而降低器件整体的结壳热阻。
  • 压接型半导体器件

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