[发明专利]制造电子器件的方法无效
| 申请号： | 89106675.6 | 申请日： | 1989-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN1019250B | 公开（公告）日： | 1992-11-25 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;浦田一男;小山到;石田典也;佐佐木麻里;今任慎二;中下一寿;广濑直树 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L23/28 | 分类号： | H01L23/28;H01L21/56 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 肖掬昌,程天正 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 介绍了一种经改进的电气器件的制造方法。该器件是个例如装在模制件中的集成电路芯片。在进行模制之前，将集成电路芯片涂以氮化硅，以保护集成电路芯片免受湿气通过裂纹或缝隙的侵袭。氟化硅涂层是在用等离子体化学汽相淀积法清洗集成电路芯片的表面之后进行的。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 电子器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造电子器件的方法，包括下列步骤：在半导体器件和至少一根有关的引线之间制造电气连接；以及用有机树脂密封所说半导体器件，以使一部分的所说引线从该有机树脂密封物中引伸出去，所说方法的特征在于，所说半导体器件的表面和所说引线通过等离子体处理加以清洗。
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