[发明专利]制造电子器件的方法无效
| 申请号: | 89106675.6 | 申请日: | 1989-08-05 |
| 公开(公告)号: | CN1019250B | 公开(公告)日: | 1992-11-25 |
| 发明(设计)人: | 山崎舜平;浦田一男;小山到;石田典也;佐佐木麻里;今任慎二;中下一寿;广濑直树 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号: | H01L23/28 | 分类号: | H01L23/28;H01L21/56 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 肖掬昌,程天正 |
| 地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 制造 电子器件 方法 | ||
1、一种制造电子器件的方法,包括下列步骤:
在半导体器件和至少一根有关的引线之间制造电气连接;以及
用有机树脂密封所说半导体器件,以使一部分的所说引线从该有机树脂密封物中引伸出去,
所说方法的特征在于,所说半导体器件的表面和所说引线通过等离子体处理加以清洗。
2、根据权利要求1的方法,其特征在于,其中所说等离子体处理是通过在等离子体源气体中引起的辉光放电来进行的。
3、根据权利要求2的方法,其特征在于,其中所说等离子体源气体是氩气。
4、根据权利要求3的方法,其特征在于,该方法还包括用绝缘材料涂敷所说半导体器件和所说引线。
5、根据权利要求4的方法,其特征在于,其中所说绝缘材料是按照下列步骤来涂敷的:
将所说半导体器件和所说引线置放在等离子体化学汽相沉积设备中的一对电极之间;
在所说电极间加一交流电压以产生辉光放电;
将一反应气体引进所说反应室;
将所说绝缘材料沉积在所说半导体器件的表面和所说引线上;以及
在所说半导体器件周围加上所说有机树脂,以便形成密封所说半导体器件的封装。
6、根据权利要求5的方法,其特征在于,其中所说交流电压的频率为1-500兆赫。
7、根据权利要求1的方法,其特征在于,其中多个所说半导体器件与用一引线框架整体形成的多根引线互相连接。
8、根据权利要求7的方法,其特征在于,其中所说引线在所说封装形成后为所说引线框架所隔离。
9、根据权利要求1的方法,其特征在于,在所说半导体器件和所说引线之间的连接是由金属丝线的焊接来完成的。
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