[其他]有架空旁路层的金属—半导体场效应管及制造方法无效
| 申请号： | 86105841 | 申请日： | 1986-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN86105841A | 公开（公告）日： | 1988-02-24 |
| 发明（设计）人： | 吉亚姆比罗·多恩泽里 | 申请（专利权）人： | 泰利特拉电话电子通讯联合股票公司 |
| 主分类号： | H01L29/64 | 分类号： | H01L29/64;H01L29/76;H01L21/04 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人： | 刘晖 |
| 地址： | 意大*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在这一新型肖特基势垒场效应MESFET晶体管的结构中，包括一个基片和三个电极源极、栅极和漏极。用一个形如连续薄片的栅极，使其电阻接近于零。栅极使源极部分旁路，并在其连接上形成一个架空层。制造工艺基本上包括第一次光掩模，蒸发，在光刻胶上制作金属化层，电镀生长一层金属，第二次光掩模，以及腐蚀整个金属化层和去除两层光刻胶。 | ||
| 搜索关键词： | 架空 旁路 金属 半导体 场效应 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种肖特基势垒金属一半导体场效应晶体管MESFET包括：一个基片，一个接收输入信号的栅极，一个产生放大输出信号的漏极和一个源极，其特征是：栅极G由一个连续薄片构成，该薄片通过架空旁路跨越源极部位并用块形连接焊到与上述部位处于同侧的基片上，其另一端焊到源极的另一侧，栅极薄片面积是使其长度为相应的全纵向长度，从而栅极电阻小到可以忽略的程度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于泰利特拉电话电子通讯联合股票公司，未经泰利特拉电话电子通讯联合股票公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/86105841/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
