[其他]有架空旁路层的金属—半导体场效应管及制造方法

权利要求书

1、一种肖特基势垒金属一半导体场效应晶体管MESFET包括：一个基片，一个接收输入信号的栅极，一个产生放大输出信号的漏极和一个源极，其特征是：栅极G由一个连续薄片构成，该薄片通过架空旁路跨越源极部位并用块形连接焊到与上述部位处于同侧的基片上，其另一端焊到源极的另一侧，栅极薄片面积是使其长度为相应的全纵向长度，从而栅极电阻小到可以忽略的程度。

2、一种如权利要求1所述的晶体管，其特征是：具有I形的源极，即源极包括两个横向尺寸较大的端头和一个位于上述两端头之间起连接作用的中间段，该中间段的横向尺寸较小，纵向尺寸较大，栅极薄片的纵向尺寸比源极中间段的纵向尺寸稍小，比源极横向尺寸大很多。

3、一种如权利要求1所述的晶体管，其特征是：漏电极的纵向尺寸比栅极薄片的纵向尺寸稍大，而漏极的横向宽度与栅极薄片架空连接旁路的源极中间段的尺寸有相同的数量级。

4、一种如上述各项权利要求所述的晶体管，其特征是：漏极的主要工作面与栅极在基片上架空旁路一端的焊接线相对且平行，二者之间稍稍分开很小的距离。

5、一种如上述各项权利要求所述的晶体管，其特征是：栅极和漏极的块形接触都集中在各自主体上，其台面的大小有相同的数量级，并位于纵向源极中间段的两个相对的侧面上。

6、一种如上述各项权利要求所述的晶体管，其特征是：外部具有块形接触的栅极和漏极的位置，相对于源极端头之间连接的中间段，基本上是对称的。

7、一种用来制造如上述各项权利要求所述的MESFET晶体管的工艺方法，其特征如下：

（1）在基片上制作有源区，源极和漏极的接触制作在上述有源区上;

（2）用光掩模工艺制作栅极和各个块形连接的接触点;

（3）蒸发制作源极和漏极之间的金属化层（钛-钯-金）的主要部位，电镀生长使金属层，例如金，增厚到所需厚度，如2至10微米;

（4）进行第二次光掩模工艺制作栅极到源极中间段中央的跨越连接或架空旁路;

（5）最后，将位于漏极上的整个金属化层进行腐蚀，去掉金，留下D和S_G之间有效区中的焊接线G，同时去掉光刻胶，制成栅极连到源极的架空旁路连接。